天线及其制作方法、天线装置及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种天线，其特征在于，包括第一基底，位于所述第一基底上的基材层；所述基材层中具有多个呈阵列排布的天线腔体，所述天线腔体的内侧具有导电层，每个所述天线腔体和其内侧的所述导电层形成一天线单元；其中，每个所述天线腔体包括靠近所述第一基底一侧的近端开口，和远离所述第一基底一侧的远端开口，所述远端开口的口径大于所述近端开口的口径；并且，所述天线腔体相对远离所述第一基底处的口径，不小于相对靠近所述第一基底处的口径。2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，每个所述天线腔体包括相连的第一腔体和第二腔体，所述第二腔体相对所述第一腔体靠近所述第一基底设置；其中，由所述第二腔体指向所述第一腔体的方向，所述第一腔体的口径逐渐增大，所述第二腔体的口径不变；所述第一腔体靠近所述第二腔体的端部的口径，与所述第二腔体靠近所述第一腔体的端部的口径的差值小于第一预设值。3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述第一腔体包括至少一个相对所述第一基底倾斜设置的第一侧壁；所述第二腔体包括至少一个相对所述第一基底垂直设置的第二侧壁。4.根据权利要求3所述的天线，其特征在于，所述第一腔体为方椎体，包括四个相对所述第一基底倾斜设置的第一侧壁；所述第二腔体为长方体，包括四个相对所述第一基底垂直设置的第二侧壁。5.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述基材层的材料包括硅、石英、陶瓷中的任一种。6.一种天线装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述天线和移相器，所述移相器与所述天线相连。7.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于，所述移相器包括相对设置的第二基底和第三基底，以及设置在所述第二基底和所述第三基底之间的介质层，所述第二基底和所述第三基底之间的电场能够改变所述介质层的介电常数。8.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述第二基底与第一基底共用。9.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述第二基底靠近所述第三基底一侧具有第一电极层，所述第三基底靠近所述第二基底一侧具有第二电极层；其中，所述第一电极层具有多个狭缝，所述狭缝与所述天线腔体一一对应；每个所述天线腔体的近端开口在所述第三基底上的正投影，和与之对应的所述狭缝在所述第三基底上的正投影具有重叠区域；所述第二电极层包括多个子电极，所述子电极与所述天线腔体一一对应；每个所述天线腔体的近端开口在所述第三基底上的正投影，和与之对应的所述子电极在所述第三基底上的正投影具有重叠区域。10.一种天线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基材层中制作多个呈阵列分布的天线腔体；在每个所述天线腔体的内侧制作导电层；其中，每个所述天线腔体包括靠近第一基底一侧的近端开口，和远离所述第一基底一侧的远端开口，所述远端开口的口径大于所述近端开口的口径，并且，所述天线腔体相对远离所述第一基底处的口径，不小于相对靠近所述第一基底处的口径。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述基材层的材料为硅；在基材层中制作多个呈阵列分布的天线腔体，具体包括：通过体硅刻蚀工艺制作多个呈阵列分布的所述天线腔体。12.一种天线装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：制作天线；制作移相器；将所述天线和所述移相器通过键合工艺或贴合工艺装配为一体。

技术总结
本发明提供一种天线、天线装置、天线的制作方法和天线装置的制作方法，属于天线技术领域。本发明提供的一种天线包括第一基底，位于第一基底上的基材层；基材层中具有多个呈阵列排布的天线腔体，天线腔体的内侧具有导电层，每个天线腔体和其内侧的导电层形成一天线单元；其中，每个天线腔体包括靠近第一基底一侧的近端开口，和远离第一基底一侧的远端开口，远端开口的口径大于近端开口的口径；并且，天线腔体相对远离第一基底处的口径，不小于相对靠近第一基底处的口径。若本实施例提供的天线应用到天线装置中，能够大幅度地提高天线装置的天线效率和功率容量，实现高增益的电控波束扫描功能。扫描功能。扫描功能。


技术研发人员：王瑛 丁天伦 武杰 贾皓程 李亮 唐粹伟 李强强 张玮 卫盟 刘昊 车春城
受保护的技术使用者：北京京东方传感技术有限公司
技术研发日：2020.09.08
技术公布日：2022/3/7