显示面板及其显示装置的制作方法

1.本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，对显示面板的要求也越来越高。显示基板上通常包括多个接触垫，这些接触垫由多个膜层组成。在显示基板的制作过程中，接触垫与其他电路的接合容易引发接触垫膜层断裂或剥离，从而影响显示效果。


技术实现要素：

3.本实用新型的实施例提供了一种显示基板，包括：
4.衬底基板，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；
5.多个子像素，位于所述显示区，且布置成阵列；
6.多个接触垫，位于所述周边区，其中所述多个接触垫中的至少一个包括第一导体部、第二导体部和第三导体部，所述第一导体部位于所述衬底基板上，所述第二导体部位于所述第一导体部背离所述衬底基板的一侧并且与所述第一导体部电连接，所述第三导体部位于所述第二导体部背离所述衬底基板的一侧并且与所述第二导体部电连接；
7.周边区绝缘层，位于所述周边区，所述第二导体部通过设置在所述周边区绝缘层中的第一过孔与所述第一导体部电连接；以及
8.周边区无机层，位于所述周边区，所述第三导体部通过设置在所述周边区无机层中的第二过孔与所述第二导体部电连接，其中所述第一导体部在所述衬底基板上的投影位于所述第二过孔在所述衬底基板的投影内。
9.例如，所述显示基板还包括：
10.周边区平坦化层，位于所述周边区无机层面向所述衬底基板的一侧，并且所述周边区无机层通过设置在所述周边区平坦化层中的第三过孔与所述第二导体部接触。
11.例如，所述多个接触垫包括：多个输入接触垫，在所述显示区一侧的周边区内沿第一方向排列，所述第一方向为所述多个子像素的阵列的行方向；以及多个输出接触垫，位于所述多个输入接触垫与所述显示区之间，并且沿所述第一方向排列。
12.例如，所述显示基板还包括：
13.多个连接接触垫，位于所述周边区，在所述多个输入接触垫背离所述显示区的一侧，所述输入接触垫的第一导体部通过设置在所述周边区的第一引线与所述连接接触垫电连接；
14.栅极驱动电路，位于所述显示区至少另一侧的周边区，所述栅极驱动电路与所述多个子像素连接，并且被配置为向所述多个子像素提供栅极驱动信号，所述输出接触垫的第一导体部通过设置在所述周边区的第二引线与所述栅极驱动电路或者与所述多个子像素中的至少一个电连接。
15.例如，所述连接接触垫包括：
16.第四导体部，位于所述衬底基板上，与所述第二导体部同层设置；
17.第五导体部，位于所述第四导体部背离所述衬底基板的一侧，与所述第三导体部同层设置，所述第五导体部通过设置在所述周边区无机层中的第四过孔与所述第四导体部电连接；以及
18.接触垫绝缘部，位于所述周边区无机层面向所述衬底基板的一侧，覆盖所述第四导体部的边缘。
19.例如，所述显示基板还包括周边区平坦化层，所述周边区无机层通过设置在所述周边区平坦化层中的第五过孔与所述第四导体部接触，所述接触垫绝缘部与所述周边区平坦化层同层设置。
20.例如，所述第一导体部在所述衬底基板上的投影的边缘与所述第二过孔在所述衬底基板的投影的边缘之间的间距在1μm至2μm的范围内。
21.例如，所述第一导体部在所述衬底基板上的投影的几何中心与所述第二过孔在所述衬底基板的投影的几何中心大致重合，所述第一导体部在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在12μm至14μm的范围内，所述第二过孔在所述衬底基板的投影在第一方向上的尺寸在14μm至16μm 的范围内，所述第一方向为所述多个子像素的阵列的行方向。
22.例如，所述第二导体部在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在19μm至21μm的范围内，所述第三导体部在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在20μm至22μm的范围内，所述第一方向为所述多个子像素的阵列的行方向。
23.例如，所述第三过孔在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在 16μm至20μm的范围内。
24.例如，所述第一过孔在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在 7μm至9μm的范围内。
25.例如，所述第三导体部在所述衬底基板上的投影在第一方向上的尺寸在20μm至22μm的范围内，在第二方向上的尺寸在140μm至150μm的范围内。
26.例如，所述周边区无机层中的第二过孔的侧壁相对于所述衬底基板所在的平面具有坡度角θ1；
27.所述第一导体部的边缘具有面向所述衬底基板的第一表面、背离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，所述第一导体部的第三表面相对于所述衬底基板所在的平面具有坡度角θ2，
28.其中θ2＜θ1。
29.例如，所述坡度角θ1在80度至90度范围内，所述坡度角θ2在20 度至30度范围内。
30.例如，所述第二导体部的边缘具有面向所述衬底基板的第一表面、背离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，所述第二导体部的第三表面相对于所述衬底基板所在的平面具有坡度角θ3；
31.所述第三导体部的边缘具有面向所述衬底基板的第一表面、背离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，所述第三导体部的第三表面相对于所述衬底基板所在的平面具有坡度角θ4；
32.所述周边区绝缘层中的第一过孔的侧壁相对于所述衬底基板所在的平面具有坡度角θ5，
33.其中θ5＜θ3＜θ4。
34.例如，所述坡度角θ3在55度至65度范围内，所述坡度角θ4在58 度至67度范围内，所述坡度角θ5在40度至50度范围内。
35.例如，所述第一导体部、所述第二导体部、所述第三导体部、所述第一过孔和所述第二过孔各自在所述衬底基板上的投影均为矩形或平行四边形。
36.例如，所述多个子像素中至少一个包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述多个接触垫的所述第一导体部与所述栅极同层设置，所述第二导体部与所述源极和漏极同层设置。
37.例如，所述显示基板还包括位于显示区的发光元件、封装层、第一触控电极层、第二触控电极层和触控绝缘层，所述发光元件位于所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧，所述封装层位于所述发光元件背离所述衬底基板的一侧，所述第一触控电极层位于所述封装层背离所述衬底基板的一侧，所述触控绝缘层位于所述第一触控电极层背离所述衬底基板的一侧并且覆盖所述第一触控电极层，所述第二触控电极层位于所述触控绝缘层背离所述衬底基板的一侧；
38.所述周边区无机层与所述触控绝缘层同层设置，所述第三导体部与所述第一触控电极层和所述第二触控电极层中的至少之一同层设置。
39.例如，所述多个子像素中至少一个还包括显示区层间绝缘层、显示区第一栅绝缘层以及显示区第二栅绝缘层，所述显示区层间绝缘层位于所述栅极与所述源极和所述漏极之间，所述显示区第一栅绝缘层位于所述显示区层间绝缘层面向所述衬底基板的一侧，所述显示区第二栅绝缘层位于所述显示区层间绝缘层与所述显示区第一栅绝缘层之间；
40.所述周边区绝缘层包括周边区层间绝缘层和周边区第二栅绝缘层，其中所述周边区层间绝缘层与所述显示区层间绝缘层同层设置，所述周边区第二栅绝缘层与所述显示区第二栅绝缘层同层设置。
41.例如，所述多个子像素中至少一个包括薄膜晶体管和转接电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述转接电极与所述源极和所述漏极之一电连接，所述第二导体部与所述源极和漏极以及所述转接电极中的至少之一同层设置。
42.本实用新型的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
附图说明
43.图1a示出了根据本实用新型实施例的显示基板的平面示意图。
44.图1b示出了图1a的显示基板的显示区的平面示意图。
45.图2a示出了一种显示基板的接触垫的截面的示意图。
46.图2b示出了图2a的接触垫的扫描电子显微镜图。
47.图3示出了图1的显示基板的接触垫的平面示意图。
48.图4a示出了在图3中沿a1-b1的截面图。
49.图4b示出了图3的局部放大图。
50.图4c示出了在图4a的截面图对应的扫描电子显微镜图。
51.图5a示出了根据本实用新型另一实施例的显示基板的接触垫的截面图。
52.图5b示出了图5a的显示基板的接触垫的平面放大图。
53.图6示出了根据本实用新型一实施例的显示基板的显示区的截面图。
54.图7示出了根据本实用新型另一实施例的显示基板的显示区的截面图。
55.图8示出了根据本实用新型的另一实施例的显示基板的平面示意图。
56.图9示出了图8的显示基板的连接接触垫的一个示例沿a2-b2的截面图。
57.图10示出了图8的显示基板的连接接触垫的另一个示例沿a2-b2的截面图。
具体实施方式
58.虽然将参照含有本实用新型的较佳实施例的附图充分描述本实用新型，但在此描述之前应了解本领域的普通技术人员可修改本文中所描述的实施例，同时获得本实用新型的技术效果。因此，须了解以上的描述对本领域的普通技术人员而言为一广泛的揭示，且其内容不在于限制本实用新型所描述的示例性实施例。
59.另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
60.图1a示出了根据本实用新型实施例的显示基板的平面示意图。图1b 示出了图1a的显示基板的显示区的平面示意图。
61.如图1a所示，显示基板包括衬底基板10，衬底基板10包括显示区 11和围绕显示区11的周边区，例如在图1a中所述周边区包括位于显示区11至少一侧的周边区(也称作邦定区)12和位于显示区至少另一侧的周边区(也称作侧边区)13。在图1a中，邦定区12沿y方向位于显示区11的一侧，侧边区13沿x方向位于显示区11的两侧。在显示区11 中设有多个子像素pix。多个子像素pix可以布置成阵列的形式。在图1a 和图1b中，x表示子像素阵列的行方向，y表示子像素阵列的列方向。显示区11中还设置有多条栅极线g1至gn和多条数据线d1至dm，每条栅极线g1至gn与至少一行子像素pix连接，以向该行子像素pix提供栅极驱动信号，每条数据线d1至dm与至少一列子像素pix连接以向该列子像素pix提供数据信号。每个子像素pix可以在与之连接的栅极线上的栅极驱动信号的控制下开启，开启的子像素pix可以在与之连接的数据线上的数据信号的驱动下发光。
62.栅极驱动电路130位于侧边区13，在图1a中栅极驱动电路130有两个，分别位于显示区11两侧的侧边区13。栅极驱动电路130与所述多个子像素pix连接。在图1a和图1b中，栅极驱动电路130通过多条栅极线g1至gn连接至多行子像素pix，以分别向各行子像素pix提供栅极驱动信号。如图1a所示，栅极驱动电路130还连接各种驱动控制信号线，例如用于提供第一时钟信号的第一时钟信号线ck1、用于提供第二时钟信号的第二时钟信号线ck2以及用于提供启动信号的启动信号线stv。栅极驱动电路130可以包括多级级联的移位寄存器goa0至goan，各级移位寄存器goa0至goan连接相应的驱动控制信号线，以在驱动控制信号的控制下产生栅极驱动信号并提供至显示区11的子像素pix。
63.周边区中设置有多个接触垫。例如在图1a中，所述多个接触垫包括多个输入接触垫p1和多个输出接触垫p2，均位于邦定区12。所述多个输出接触垫p2位于所述多个输入接触垫p1与显示区11之间。在图1a 中，多个输入接触垫p1和多个输出接触垫p2沿第一方向排列成至少一行，所述第一方向为所述显示区11的面向所述邦定区12的侧边的延伸方向，即x方向。
64.多个输出接触垫p2与显示区11中的子像素pix和栅极驱动电路130 电连接。例如，多个输出接触垫p2可以通过多条第二引线w2分别连接至显示区11中的子像素pix和栅极驱动电路130。如图1a所示，左右两侧的多个输出接触垫p2分别通过多条第二引线w2连接至第一时钟信号线ck1、第二时钟信号线ck2和启动信号线stv，从而连接至栅极驱动电路130。图1a中位于中间的多个输出接触垫p2分别通过多条第二引线w2连接至显示区11中的数据线d1至dm，从而连接至显示区11中的子像素pix。在一些实施例中，邦定区12中可以设置例如单元测试(ct， ce11 test)电路、静电防护(esd，electro-static discharge)电路、多路复用电路等结构。例如单元测试电路可以设置在多个输出接触垫p2与显示区11之间的区域中，单元测试电路可以连接至多条测试信号线和显示区中的多个子像素。例如多路复用电路可以设置在单元测试电路与所述多个输出接触垫p2之间的区域，多路复用电路可以与至少一个输出接触垫 p2以及显示区11中的数据线连接，以将输出接触垫p2提供的数据信号进行多路复用之后提供至显示区11中的数据线。当然本实用新型的实施例不限于此。在一些实施例中，单元测试电路、静电防护电路、多路复用电路以及其他辅助电路中的至少之一可以设置在输入接触垫p1与输出接触垫p2之间的区域中。
65.在将控制芯片连接到显示基板时，输入接触垫p1与控制芯片的输入引脚连接，输出接触垫p2与控制芯片的输出引脚连接。柔性电路板提供的信号(例如但不限于电源信号、控制信号等)通过输入接触垫p1提供给控制芯片，使得控制芯片产生驱动信号(例如但不限于时钟信号、启动信号、数据信号等等)。控制芯片产生的驱动信号通过输出接触垫p2提供至显示区11的子像素pix和/或栅极驱动电路130，例如控制芯片产生的数据信号通过位于中间部分的输出接触垫p2提供至数据线d1至dm，从而提供给显示区11中的子像素；控制芯片产生的第一时钟信号、第二时钟信号和启动信号stv分别通过位于两侧的输出接触垫p2提供给第一时钟信号线ck1、第二时钟信号线ck2和启动信号线stv，从而提供给栅极驱动电路130。
66.图2a示出了一种显示基板的接触垫的截面的示意图。图2b示出了图2a的接触垫的扫描电子显微镜图。
67.如图2a所示，接触垫包括依次堆叠在衬底基板200上的导体层210、 220和230。绝缘层240位于导体层210和220之间，无机层250位于导体层220和230之间，栅极绝缘层260位于导体层210与衬底基板200 之间。导体层220通过绝缘层240中的过孔与所述导体层210电连接，导体层230通过无机层250中的过孔与导体层220电连接。导体层210在衬底基板200上的投影与无机层250在所述衬底基板10上的投影至少部分地重叠，重叠区在图2a中由“oa”表示。如图2b所示，该重叠区oa 使得导体层230在垂直于衬底基板200的方向上形成突起p，从而导致第三导体部230存在较大的金属断差。该金属断差使得显示基板在与控制芯片(ic)进行邦定(bonding)过程中容易发生膜层断裂(crack)。断裂部分形成水汽入侵通道，而控制芯片通常为整片金属水汽无法及时释放，从而出现信赖性ic剥离，导致异常显示。
68.本实用新型提供了一种显示基板，通过在周边区无机层与第一导体部之间设置一定的间距，能够使接触垫表面相对平坦，从而减少膜层断裂的发生。
69.图3示出了图1的显示基板的接触垫的平面示意图。图4a示出了在图3中沿a1-b1的截面图。图4b示出了图3的区域300的放大图。图 4c示出了在图4a的截面图对应的扫描电子显微镜图。
70.图3所示的接触垫可以为输入接触垫p1和输出接触垫p2中的任一接触垫。结合图3和图4a所示，接触垫包括第一导体部310、第二导体部320和第三导体部330。第一导体部310位于衬底基板10上，第二导体部320位于第一导体部310背离衬底基板10的一侧并且与第一导体部 310电连接。第三导体部330位于第二导体部320背离衬底基板10的一侧并且与第二导体部320电连接。结合参考图1a，输出接触垫p2的第一导体部310可以连接至邦定区的第二引线w2，从而与栅极驱动电路130 或者与显示区11中的多个子像素中的至少一个电连接。输入接触垫p1 的第一导体部310可以连接至用于与外部电路连接的连接接触垫，下文将对此进一步详细说明。接触垫在衬底基板10上的投影在第一方向(即，x 方向)上的尺寸l1在20μm至22μm的范围内，例如可以约为21.5μm，在第二方向(即，y方向)上的尺寸h1在140μm至150μm的范围内，例如可以约为145μm。在一些实施例中，接触垫的尺寸可以由第三导体部330的尺寸来限定，下文将对此进一步详细说明。
71.如图4a所示，在显示基板的邦定区12中还设置有周边区绝缘层340 和周边区无机层350。第二导体部320通过设置在周边区绝缘层340中的第一过孔v1与所述第一导体部310电连接。第三导体部330通过设置在周边区无机层350中的第二过孔v2与所述第二导体部320电连接。
72.如图4a所示，在显示基板的邦定区12中还可以设置有周边区第一栅绝缘层360。周边区第一栅绝缘层360设置在第一导体部310与衬底基板10之间。
73.在一些实施例中，周边区绝缘层340可以包括周边区第二栅绝缘层和周边区层间介质层。周边区第一栅绝缘层360、周边区第二栅绝缘层和周边区层间介质层中每一个的材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料。然而本实用新型的实施例不限于此，在另一些实施例中，周边区第一栅绝缘层360、周边区第二栅绝缘层和周边区层间介质层中每一个的材料可以包括但不限于聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。第一导体部310、第二导体部320以及第三导体部330的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如但不限于由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构。
74.在一些实施例中，衬底基板10可以包括有机材料，例如但不限于聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料中的一种或多种。衬底基板 10可以为柔性基板或非柔性基板。
75.如图3和图4a所示，第一导体部310在所述衬底基板10上的投影位于周边区无机层350的第二过孔v2在所述衬底基板10的投影内。如图4a所示，第一导体部310在所述衬底基板10上的投影的边缘与所述第二过孔v2在所述衬底基板10的投影的边缘之间具有一定间距d。在一些实施例中，所述间距d在1μm至2μm的范围内，例如可以约为1.5μm。
76.如图3和图4b所示，周边区绝缘层340中的第一过孔v1在所述衬底基板10上的投影在第一方向上(x方向)的尺寸l5在7μm至9μm的范围内，例如可以约为8μm。第一导体部310在所述衬底基板10上的投影在第一方向上的尺寸l4在12μm至14μm的范围内，例如可以约为13μm。周边区无机层350中的第二过孔v2在所述衬底基板10的投影在第一方向上的尺寸l3在14μm至16μm的范围内，例如可以约为15.5μm。如图 3和图4b所示，第一导体部310在衬底基板10上的投影的几何中心与第二过孔v2在所述衬底基板10的投影的几何中心可以大致重合。在显示基板的实际制作过程中，会因工艺波动而产生一定的工艺误差，使得第一导体部
310的投影的几何中心相对于第二过孔v2的投影的几何中心存在一定的偏差，这里所谓大致重合指的是允许该偏差。第二导体部320在衬底基板10上的投影在第一方向上的尺寸l2在19μm至21μm的范围内，例如可以约为20μm。第三导体部330在所述衬底基板10上的投影在第一方向上的尺寸l1在20μm至22μm的范围内，例如可以约为21.5μm。在一些实施例中，第三导体部330在所述衬底基板10上的投影在第二方向上的尺寸在140μm至150μm的范围内。
77.结合图3和图4b所示，在一些实施例中，上述第一导体部310、第二导体部320、第三导体部330、第一过孔v1以及第二过孔v2各自在衬底基板10上的投影的边缘在x方向上的间距与它们在y方向上的间距一致。例如第一导体部310的投影边缘与第二过孔v2的投影边缘之间在x 和y方向上的间距可以均为d，其他导体部和其他过孔彼此之间的间距也可以设置成在x和y方向上相等或不等，这里不再赘述。
78.结合图3和图4c所示，第一导体部310的边缘具有面向衬底基板10 的第一表面311、背离所述衬底基板10的第二表面312以及连接第一表面311和第二表面312的第三表面313。第一导体部310的第三表面313 相对于衬底基板10所在的平面具有20度至30度范围内的坡度角θ2。例如θ2可以在20度至25度范围内，在一些实施例中可以约为23度。
79.周边区绝缘层340中的第一过孔v1的侧壁相对于所述衬底基板10 所在的平面具有40度至50度范围内的坡度角θ5。例如θ5可以在45至 50度范围内，在一些实施例中约为47度。
80.第二导体部320的边缘具有面向所述衬底基板10的第一表面321、背离所述衬底基板10的第二表面322以及连接所述第一表面321和所述第二表面322的第三表面323，其中，所述第二导体部320的第三表面323 相对于所述衬底基板10所在的平面具有55度至65度范围内的坡度角θ3。例如θ3可以在58度至62度范围内，在一些实施例中可以约为60度。
81.周边区无机层350中的第二过孔v2的侧壁相对于所述衬底基板10 所在的平面具有80度至90度范围内的坡度角θ1。例如θ1可以在83度至87度范围内，在一些实施例中可以约为85度。
82.第三导体部330的边缘具有面向所述衬底基板10的第一表面331、背离所述衬底基板10的第二表面332以及连接所述第一表面331和所述第二表面332的第三表面333，其中，所述第三导体部330的第三表面333 相对于所述衬底基板10所在的平面具有58度至67度范围内的坡度角θ4。例如θ4可以在60度至64度范围内，在一些实施例中可以约为62度。
83.在一些实施例中，在坡度角θ1、θ2、θ3、θ4和θ5中，坡度角θ2最小，使得在工艺中由于第一导体部310的边缘引起的段差相对较小，从而使接触垫表面相对平坦。
84.在其他一些实施例中，上述第一导体部310、第二导体部320、第三导体部330、第一过孔v1以及第二过孔v2可以相对于衬底基板10所在的平面具有任意角度，在此不做限定。
85.虽然在图3中第一导体部310、第二导体部320、第三导体部330、第一过孔v1以及第二过孔v2各自在衬底基板10上的投影均为矩形，也就是说接触垫在衬底基板上的投影为矩形，然而本实用新型的实施例不限于此。接触垫(例如输入接触垫和输出接触垫中的至少一个)在衬底基板上的投影的形状可以根据需要来设置成其他形状，例如但不限于平行四边形、正方形、梯形或者其他多边形，本实用新型在此不做限定。
86.从图4c中可以看出，第一导体部310在衬底基板10上的投影的边缘与周边区无机层350在衬底基板10上的投影的边缘之间存在一定的间距，这使得第三导体部330在垂直于
衬底基板10的方向上形成的突起p’远远小于图2b中示出的突起p，从而降低了第三导体部330的金属断差，减小了显示基板在邦定过程中发生膜层断裂的风险。
87.图5a示出了根据本实用新型另一实施例的显示基板的接触垫的截面图。图5b示出了图5a的显示基板的接触垫的平面放大图。
88.图5a的接触垫与图4a的接触垫结构类似，包括基板10以及依次堆叠在基板10上的第一栅绝缘层560、第一导体层510、周边区绝缘层570、第二导体部520、周边区无机层550和第三导体部530，分别可以由上述第一栅绝缘层360、第一导体层310、周边区绝缘层370、第二导体部320、周边区无机层350和第三导体部330来实现，这里不再赘述。
89.图5a的接触垫与图4a的接触垫的区别至少在于在显示基板的周边区中还设置有周边区平坦化层570。周边区平坦化层570位于周边区无机层550面向衬底基板10的一侧。结合图5a和5b所示，周边区无机层 550通过设置在所述周边区平坦化层550中的第三过孔v3与所述第二导体部520接触。
90.如图5a和5b所示，周边区平坦化层570设置在周边区绝缘层540 和周边区无机层550之间，并且该周边区平坦化层570在衬底基板10上的投影与第二导体部520在衬底基板10上的投影至少部分地重叠。从图 5a和5b中可以看出，该周边区平坦化层570至少覆盖第二导体部520 的边缘。从图5a和5b中还可以看出，该周边区平坦化层570在衬底基板10上的投影与周边区无机层550在衬底基板10上的投影至少部分地重叠，并且该周边区平坦化层570在衬底基板10上的投影的边缘落入周边区无机层550在衬底基板10上的投影内，即，周边区无机层550至少覆盖周边区平坦化层570的边缘。这可以避免周边区平坦化层570由于裸露而吸水的问题，从而避免ic peeling的发生。
91.如图5a和5b所示，所述第一导体部510在所述衬底基板10上的投影的边缘与所述第二过孔v2在所述衬底基板10的投影的边缘之间具有一定间距d’。该间距d’可以与图4a中示出的间距d相等，例如，间距d’可以在1μm至2μm的范围内。
92.图6示出了根据本实用新型一实施例的显示基板的显示区的截面图。
93.如图6所示，显示区11中的子像素可以包括薄膜晶体管1120、显示区第一平坦化层1130以及发光元件1140。
94.薄膜晶体管1120包括位于衬底基板10上的有源层1122、位于有源层1122远离衬底基板10一侧的显示区第一栅绝缘层1128、位于显示区第一栅绝缘层1128上的栅极11211，位于栅极11211远离衬底基板10一侧的显示区第二栅绝缘层1129，位于显示区第二栅绝缘层1129上的显示区层间绝缘层11210以及位于显示区层间绝缘层11210上的源极1125及漏极1126。栅极11211可以与邦定区12中的第一导体连接部(310，510) 同层设置。源极1125及漏极1126可以与邦定区12中的第二导体部(320， 520)同层设置。因此，栅极11211和第一导体连接部(310，510)可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成。源极 1125及漏极1126与邦定区12中的第二导体部(320，520)可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成。显示区11中的显示区第一栅绝缘层1128与邦定区12中的栅极绝缘层(360，560)同层设置，邦定区12中的周边区绝缘层(340，540)与显示区11中的显示区绝缘层同层设置，其中，所述显示区绝缘层包括图6中示出的显示区第二栅绝缘层1129和显示区层间绝缘层11210。在一些实施例中，所述周边区绝缘层包括周边区层间绝缘层和周边区第二栅绝缘层，所述周边区层间绝缘层与所述显示区层间绝缘层11210同层设
置，所述周边区第二栅绝缘层1129与所述显示区第二栅绝缘层1129同层设置。
95.在本实用新型上述实施例一些示例中，有源层1122可以包括源极区 1123和漏极区1124，以及包括位于源极区1123和漏极区1124之间的沟道区。显示区层间绝缘层11210、显示区第二栅绝缘层1129及显示区第一栅绝缘层1128具有过孔，以暴露源极区1123和漏极区1124。源极1125 及漏极1126分别通过过孔与源极区1123和漏极区1124电连接。栅极 11211在垂直于衬底基板10的方向上与有源层1122中位于源极区1123 和漏极区1124之间的沟道区重叠。显示区第一平坦化层1130位于源极 1125及漏极1126的上方，用于平坦化薄膜晶体管1120远离衬底基板一侧的表面。显示区第一平坦化层1130中形成过孔1131，以暴露源极1125 或漏极1126(图中示出的情况)。在一些实施例中，有源层1122的材料可以包括多晶硅或氧化物半导体(例如，氧化铟镓锌)。栅极11211的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层(如钛、铝及钛三层金属叠层(ti/al/ti)。源极1125及漏极1126的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层(如钛、铝及钛三层金属叠层(ti/al/ti)。本实用新型的实施例对各功能层的材料不做限定。
96.在本实用新型的一些示例中，如图6所示，薄膜晶体管1120还可以包括第一显示金属层1127，第一显示区金属层1127与第二导体部(320， 520)同层设置。第一显示金属层1127包括上述薄膜晶体管的源极1125 和漏极1126。源极1125和漏极1126与第二导体部(320，520)同层设置。
97.在本实用新型的一些示例中，如图6所示，在显示区第一平坦化层 1130上形成发光元件1140，即发光元件1140设置在第一平坦化层1130 远离衬底基板10一侧。发光元件1140包括第一电极1141、发光层1142 及第二电极1143。发光元件的第一电极1141通过显示区第一平坦化层 1130中的过孔1131与漏极1126电连接。第一电极1141上形成像素限定层1144，像素限定层1144包括多个开口，以限定多个像素单元。每个开口使对应的第一电极1141外露。发光层1142设置在像素限定层1144的多个开口中，第二电极1143设置在像素限定层1144以及发光层1142上，例如该第二电极1143可以设置在部分或整个显示区域中，从而在制备工艺中可以整面形成。
98.在一些实施例中，显示区第一平坦化层1130的材料可以包括括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，也可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料，本实用新型的实施例对此不做限定。
99.在一些实施例中，第一电极1141可以包括反射层，第二电极1143 可以包括透明层或半透明层。由此，第一电极1141可以反射从发光层1142 发射的光，该部分光通过第二电极1143发射到外界环境中，从而可以提供光出射率。当第二电极1143包括半透射层时，由第一电极1141反射的一些光通过第二电极1143再次反射，因此第一电极1141和第二电极1143 形成共振结构，从而可以改善光出射效率。
100.例如，第一电极1141的材料可以包括至少一种透明导电氧化物材料，包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等。此外，第一电极 1141可以包括具有高反射率的金属作为反射层，诸如银(ag)。
101.在一些实施例中，对于oled，发光层1142可以包括小分子有机材料或聚合物分子
有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光；并且，根据需要发光层还可以包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层。对于qled，发光层可以包括量子点材料，例如，硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等，量子点的粒径为2-20nm。
102.在一些实施例中，第二电极1143可以包括各种导电材料。例如，第二电极1143可以包括锂(li)、铝(a1)、镁(mg)、银(ag)等金属材料。
103.在一些实施例中，像素限定层1144的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料，或者包括氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料，本实用新型的实施例对此不做限定。
104.此外，显示基板还包括存储电容器1160，存储电容器1160可以包括第一极1161和第二极1162。存储电容器1160的第一极1161设置在显示区第一栅绝缘层1128与显示区第二栅绝缘层1129之间，存储电容器1160 的第二极1162设置在显示区第二栅绝缘层1129与显示区层间绝缘层 11210之间。第一极1161和第二极1162叠置，在垂直于衬底基板10的方向上至少部分重叠。第一极1161和第二极1162使用显示区第二栅绝缘层1129作为介电材料来形成存储电容器。第一极1161与薄膜晶体管1120 中的栅极11211、邦定区12中的引线1220同层设置。同样地，如上所述，在上述示例的变型中，存储电容器1160的第一极和第二极还可以位于其他层中，从而得到不同结构的子像素。
105.在另一示例中，作为图6所示示例的变型，存储电容器的第一极仍然与栅极11211同层设置，而存储电容器的第二极与薄膜晶体管中的源极1125和漏极1126同层设置(即也位于第一显示金属层1127中)，由此存储电容器的第一极和第二极使用显示区第二栅绝缘层1129以及显示区层间绝缘层11210的叠层来作为介电材料来形成存储电容器。
106.在再一示例中，作为图6所示示例的变型，存储电容器的第一极不再与栅极11211同层设置，而是位于在显示区第二栅绝缘层1129与显示区层间绝缘层11210之间，而存储电容器的第二极与薄膜晶体管中的源极 1125和漏极1126同层设置(即也位于第一显示金属层1127中)，由此存储电容器的第一极和第二极使用显示区层间绝缘层11210来作为介电材料来形成存储电容器。
107.在本实用新型的一些示例中，如图6所示，显示基板还可以包括设置在发光元件1140上的封装层1150。封装层1150将发光元件1140密封，从而可以减少或防止由环境中包括的湿气和/或氧引起的发光元件1140的劣化。封装层1150可以为单层结构，也可以为复合层结构，该复合层结构包括无机层和有机层堆叠的结构，例如，封装层1150可以包括依次设置的第一无机封装层1151、第一有机封装层1152、第二无机封装层1153。封装层1150可以延伸至邦定区12，在上述示例中，该封装层未覆盖接触垫。
108.例如，该封装层的材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、高分子树脂等绝缘材料。氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料的致密性高，可以防止水、氧等的侵入；有机封装层的材料可以为含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等，例如高分子树脂等以对显示基板的表面进行平坦化处理，并且可以缓解第一无机封装层和第二无机封装层的应力，还可以包括干燥剂等吸水性材料以吸收侵入内部的水、氧等物质。
109.在本实用新型的一些示例中，如图6所示，显示基板还可以包括显示区阻挡层
1171，位于封装层1150的远离衬底基板10的一侧，第一触控电极层1172位于显示区阻挡层1171背离衬底基板10的一侧，触控绝缘层1174位于第一触控电极层1172背离衬底基板10的一侧并且覆盖第一触控电极层1172，第二触控电极层1173位于触控绝缘层1174背离衬底基板10的一侧。在图6中，第二触控电极层1173通过触控绝缘层1174 中的过孔与第一触控电极层1172电连接，当然本实用新型实施例不限于此，第一触控电极层1172和第二触控电极层1173可以根据需要而设置成其他图案。第一触控电极层1172和第二触控电极层1173可以用于实现电容型触控结构，该电容型触控结构为自电容型或互电容型。
110.上述位于邦定区12的第三导体部(330，530)可以与显示区的第二触控电极层1173同层设置，以及上述位于邦定区12的周边区无机层(350， 550)可以与显示区的触控绝缘层1174同层设置。
111.在一些实施例中，第三导体部(330，530)可以与显示区的第一触控电极层1172同层设置，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，从而简化制备工艺。
112.在一些实施例中，第三导体部(330，530)可以包括在垂直于衬底基板10的方向上依次叠置的第三导体第一子部和第三导体第二子部，第三导体第一子部与第一触控电极层1172同层设置，第三导体第二子部与第二触控电极层1173同层设置。
113.图7示出了根据本实用新型另一实施例的显示基板的显示区的截面图。图7的显示区结构与图6的显示区结构相比，区别至少在于显示基板还包括转接电极1180、显示区第二平坦化层1190和显示区钝化层11110。为了简化描述，下面将主要对区别部分进行详细说明。
114.转接电极1180设置在显示区第一平坦化层1130上。转接电极1180 通过过孔1131与漏极1126电连接，该转接电极1180可以避免直接在显示区第一平坦化层1130和显示区第二平坦化层1190中形成孔径过大的直通过孔，从而改善过孔电连接的质量，同时转接电极1180还可以与其他信号线(例如电源线等)等同层形成，由此不会导致工艺步骤增加。
115.在一些实施例中，邦定区12中的接触垫还可以包括除第一导体部、第二导体部以及第三导体部之外的导体结构，该导体结构位于所述第二导体部背离所述衬底基板的一侧并且与所述第二导体部电连接。转接电极 1180可以与接触垫的该导体结构同层设置，因此，转接电极1180与该导体结构可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，从而简化制备工艺。
116.在一些实施例中，第二导体部(320，520)可以与转接电极1180同层设置，因此，转接电极1180与第二导体部(320，520)可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成，从而简化制备工艺。
117.在一些实施例中，第二导体部(320，520)可以包括在垂直于衬底基板10的方向上依次叠置的第二导体第一子部和第二导体第二子部，第二导体第一子部与源极1125和漏极1126中的至少之一同层设置，第二导体第二子部与转接电极1180同层设置。
118.例如，转接电极1180的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构。
119.在本实用新型的一些示例中，如图7所示，显示区第二平坦化层1190 设置在转接电极1180远离衬底基板10的一侧，用以在转接电极1180远离衬底基板10一侧提供平坦化表面。在显示区第二平坦化层1190中形成过孔1191。发光元件的第一电极1141通过显示区第
二平坦化层1190中的过孔1191与转接电极1180电连接。
120.显示区钝化层11110位于薄膜晶体管1120和显示区第一平坦化层 1130之间。显示区钝化层11110中可以设置有过孔11111。显示区钝化层 11110可以保护薄膜晶体管的源极和漏极不被水汽腐蚀。在一些实施例中，可以对显示区钝化层11110进行减薄，或者可以不设置显示区钝化层 11110。
121.图8示出了根据本实用新型的另一实施例的显示基板的平面示意图。图8的显示基板与图1a的显示基板类似，区别至少在于图8的显示基板还包括多个连接接触垫p3。为了简化描述，下面将主要对区别部分进行详细说明。
122.如图8所示，多个连接接触垫p3位于邦定区12的内，位于在多个输入接触垫p1背离所述显示区11的一侧。输入接触垫p1的第一导体部通过设置在邦定区12的第一引线w1与所述连接接触垫p3电连接。多个连接接触垫p3可以用于与外部电路连接，例如通过柔性电路版连接至外部电路。
123.图9示出了图8的显示基板的连接接触垫p3的一个示例沿a2-b2的截面图。图9的连接接触垫结构适用于上述任意实施例的显示基板。
124.如图9所示，连接接触垫p3包括第四导体部920和第五导体部940。第四导体部920位于衬底基板10上，与前述第二导体部(320，520)同层设置。第五导体部940位于第四导体部920背离衬底基板10的一侧，第五导体部940可以与前述第三导体部(330，530)同层设置。第五导体部940通过设置在周边区无机层930中的第四过孔v4与第四导体部920 电连接。周边区无机层930可以与显示区的触控绝缘层1174同层设置。接触垫绝缘部950位于周边区无机层930面向所述衬底基板10的一侧，覆盖第四导体部920的边缘。在一些实施例中，第四导体部920在衬底基板10上的投影可以为矩形，接触垫绝缘部950在衬底基板10上的投影可以呈条带状包围该矩形投影的四个边，与矩形投影的边缘部分地重叠。接触垫绝缘部950的一部分覆盖第四导体部920，另一部分与周边区绝缘层 910接触，这两部分在第一方向(x方向)上的尺寸之和d1(即上述条带的宽度)在2μm至5μm的范围内，例如，可以在2μm至3μm的范围。
125.在该实施例中，接触垫绝缘部950与上述周边区平坦化层同层设置，例如，接触垫绝缘部950可通过对周边区平坦化层进行构图工艺得到。周边区无机层930通过设置在周边区平坦化层中的第五过孔v5与所述第四导体部920接触。由于在第四导体部920周围的大部分周边区平坦化层被去除，使得周边区无机层930与周边区绝缘层910至少部分地直接接触。这种设计可以消除因膜层剥离产生的彩虹纹现象。而且，由于在第四导体部920边缘设置有接触垫绝缘部950，可以避免因阳极层对第四导体部920 侧蚀后ag析出而产生暗点。
126.图10示出了图8的显示基板的连接接触垫的另一个示例沿a2-b2的截面的示意图。图10的连接接触垫结构适用于上述任意实施例的显示基板。图10的连接接触垫与图9类似，区别至少在于图10所示的连接接触垫p3还包括第六导体部1060和接触垫绝缘部1070。为了简化说明，下面将主要对区别部分进行详细描述。
127.如图10所示，第六导体部1060位于第四导体部1020背离衬底基板 10的一侧。接触垫绝缘部1070位于周边区无机层1030面向衬底基板10 的一侧，覆盖所述第六导体部1060的边缘。第六导体部1060可以与上述第二触控电极层1173同层设置。
128.在图10的显示基板的邦定区12中还设置有周边区钝化层1050。周边区钝化层1050
位于第六导体部1060面向衬底基板10的一侧。第六导体部1060通过设置在周边区钝化层1050中的第六过孔v6与第四导体部 1020电连接，第三导体部1040通过设置在周边区无机层1030中的第七过孔v7与第六导体部1060接触。
129.周边区钝化层1050可以与显示区钝化层11110同层设置。因此，周边区钝化层1050与显示区钝化层11110可以在制备工艺中同层形成，例如采用同一材料层通过构图工艺形成。
130.第六导体部1060在衬底基板10上的投影可以为矩形，接触垫绝缘部 1070在衬底基板10上的投影可以呈条带状包围该矩形投影的四个边，与矩形投影的边缘部分地重叠。接触垫绝缘部1070的一部分覆盖第六导体部1060，另一部分与周边区钝化层1050接触，这两部分在第一方向(x 方向)上的尺寸之和d2(即上述条带的宽度)在2μm至5μm的范围内，例如，可以在2μm至3μm的范围。
131.在该实施例中，接触垫绝缘部1070与上述周边区平坦化层同层设置，例如，接触垫绝缘部1070可通过对周边区平坦化层进行构图工艺得到。由于在第六导体部1060周围的大部分周边区平坦化层被去除，使得周边区无机层1030与周边区钝化层1050至少部分地直接接触。这种设计可以消除因膜层剥离产生的彩虹纹现象，并且由于在第四导体部920边缘设置有接触垫绝缘部1070，可以避免由于阳极层对第四导体部920侧蚀后ag 析出而产生暗点。
132.本实用新型还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述任一实施例的显示基板。
133.例如，在一些实施例中，显示装置还可以包括柔性电路板及控制芯片。例如，柔性电路板邦定到显示基板的邦定区，而控制芯片安装在柔性电路板上，由此与显示区电连接；或者，控制芯片直接邦定到邦定区，由此与显示区电连接。
134.例如，控制芯片可以为中央处理器、数字信号处理器、系统芯片(soc) 等。例如，控制芯片还可以包括存储器，还可以包括电源模块等，且通过另外设置的导线、信号线等实现供电以及信号输入输出功能。例如，控制芯片还可以包括硬件电路以及计算机可执行代码等。硬件电路可以包括常规的超大规模集成(vlsi)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者其它分立的元件；硬件电路还可以包括现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等。
135.例如，本实用新型至少一个实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
136.本领域的技术人员可以理解，上面所描述的实施例都是示例性的，并且本领域的技术人员可以对其进行改进，各种实施例中所描述的结构在不发生结构或者原理方面的冲突的情况下可以进行自由组合。
137.在详细说明本实用新型的较佳实施例之后，熟悉本领域的技术人员可清楚的了解，在不脱离随附权利要求的保护范围与精神下可进行各种变化与改变，且本实用新型亦不受限于说明书中所举示例性实施例的实施方式。