坩埚组件和具有其的单晶生长装置的制作方法

技术特征：
1.一种坩埚组件，其特征在于，所述坩埚组件具有内外间隔且连通的第一腔室和第二腔室，所述第二腔室位于所述第一腔室的内侧，所述第二腔室用于盛放原料，所述第一腔室内适于放置籽晶，所述坩埚组件具有与所述第一腔室连通的进气口和出气口，所述进气口适于通入惰性气体以带动所述第二腔室内的原料受热产生的气体进入所述第一腔室并在所述籽晶上沉积，所述出气口适于将过剩气体排出。2.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，包括：生长坩埚，所述进气口和所述出气口均形成于所述生长坩埚；内坩埚，所述内坩埚设于所述生长坩埚内，所述内坩埚和所述生长坩埚共同限定出所述第一腔室，所述内坩埚的内侧限定出所述第二腔室，所述内坩埚上形成有至少一个连通口，至少一个所述连通口连通所述第一腔室和所述第二腔室，在所述第一腔室内的气流流动方向上，所述进气口位于所述连通口的上游侧，所述出气口位于所述连通口的下游侧。3.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述内坩埚和所述生长坩埚间隔设置，和/或，所述内坩埚和所述生长坩埚可拆卸连接。4.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述连通口包括多个，多个所述连通口沿所述内坩埚的轴向间隔布置，和/或，多个所述连通口沿所述内坩埚的周向间隔布置。5.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述连通口位于所述内坩埚的周壁的从上至下的1/3-1/2高度的位置，和/或，所述连通口形成为圆形，所述连通口的直径的范围为：4mm-6mm。6.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述第一腔室包括：气体通道，所述气体通道由所述生长坩埚的内周壁和所述内坩埚的外周壁共同限定出，在气体的流动方向上，所述气体通道的宽度逐渐减小；籽晶安置空间，所述籽晶安置空间位于所述气体通道的下侧并与所述气体通道连通，所述籽晶设于所述籽晶安置空间。7.根据权利要求6所述的坩埚组件，其特征在于，所述生长坩埚的内周壁和所述内坩埚的外周壁的最大间距d1的取值范围为:14mm≤d1≤18mm；所述生长坩埚的内周壁和所述内坩埚的外周壁的最小间距d2的取值范围为:8mm≤d2≤12mm。8.根据权利要求6所述的坩埚组件，其特征在于，所述气体通道的通道外壁的底端的延长线或切线与所述籽晶的上表面的周沿相交，所述通道外壁由所述生长坩埚的内周壁的至少部分构成。9.根据权利要求8所述的坩埚组件，其特征在于，所述进气口形成于所述生长坩埚的顶壁且与所述气体通道连通，所述出气口形成于所述生长坩埚的底壁且与所述籽晶安置空间连通，在从所述进气口至所述籽晶安置空间的方向上，所述气体通道形成为向外弯曲的弧形。10.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述内坩埚可转动地设于所述生长坩埚内，所述内坩埚的转动速率的取值范围为0.1rmp-10rmp；和/或，所述籽晶可转动地设于所述第一腔室，所述籽晶的转动速率的取值范围为0.1rmp-10rmp。11.一种单晶生长装置，其特征在于，包括：坩埚组件，所述坩埚组件为根据权利要求1-10中任一项所述的坩埚组件；
加热装置，所述加热装置适于加热所述原料以使原料升华产生气体。12.根据权利要求11所述的单晶生长装置，其特征在于，还包括：吹扫装置，所述吹扫装置适于向所述进气口吹入惰性气体，以驱动所述第二腔室内的原料受热产生的气体从所述第二腔室流向所述第一腔室并在所述籽晶上沉积，并驱动过剩气体从所述出气口排出。

技术总结
本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，坩埚组件具有内外间隔且连通的第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室用于盛放原料，第一腔室内用于放置籽晶，坩埚组件具有与第一腔室连通的进气口和出气口，进气口适于通入惰性气体以带动第二腔室内的原料受热产生的气体进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口适于将过剩气体排出。根据本发明的坩埚组件，原料受热更加均匀，升华效果更好，此外，当碳化硅气体从第二腔室进入第一腔室后，可以防止部分碳化硅气体沉积在第一腔室的腔壁上，以使更多的碳化硅气体附着到籽晶上，有助于节约原料。有助于节约原料。有助于节约原料。


技术研发人员：燕靖 陈俊宏
受保护的技术使用者：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/3