IGBT驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种igbt驱动电路，其特征在于，包括：绝缘栅双极型晶体管；软导通模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路，所述第一场效应管与所述至少2个晶体管导通电路依次连接；所述第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，所述第一脉冲宽度调制信号用于驱动所述第一场效应管以及所述至少2个晶体管导通电路依次导通；所述至少2个晶体管导通电路包括至少2个不同的晶体管导通电路；软关断模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路，所述第二场效应管与所述至少2个晶体管关断电路依次连接；所述第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，所述第二脉冲宽度调制信号用于驱动所述第二场效应管导通以及所述至少2个晶体管关断电路依次导通；所述至少2个晶体管关断电路包括至少2个不同的晶体管关断电路。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述至少2个晶体管导通电路包括第一晶体管导通电路、第二晶体管导通电路和第三晶体管导通电路，其中，所述第二晶体管导通电路包括电阻r1和电阻r2，所述电阻r1的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述电阻r1的第二端与所述电阻r2的第一端连接，所述电阻r2的第二端用于和正极电源连接；所述第一晶体管导通电路的第一端与所述电阻r1的第二端连接，且与所述电阻r2的第一端连接；所述第一晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；所述第三晶体管导通电路的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述第三晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；所述第一场效应管导通以驱动所述第一晶体管导通电路运行；所述第一晶体管导通电路运行以驱动所述第二晶体管导通电路运行；所述第二晶体管导通电路运行以驱动所述第三晶体管导通电路运行。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述软导通模块还包括：软导通反馈单元，包括第一比较器，所述第一比较器的负极输入端与所述第一场效应管的源极连接，所述第一比较器的正极输入端的电压为固定值；所述第一比较器的输出端与所述第三晶体管导通电路的输入端连接，所述第一比较器用于驱动所述第三晶体管导通电路导通并运行。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管导通电路包括：第三场效应管，所述第三场效应管的栅极与所述第一比较器的输出端连接，所述第三场效应管的源极与所述电阻r2的第一端连接，且与所述第一场效应管的漏极连接；电阻r3，所述电阻r3的第一端与所述第三场效应管的漏极连接，所述电阻r3的第二端用于和所述正极电源连接。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述至少2个晶体管关断电路包括第一晶体管关断电路、第二晶体管关断电路和第三晶体管关断电路，其中，所述第二晶体管关断电路包括电阻r4和电阻r5，所述电阻r4的第一端与所述第二场效应管的源极连接，所述电阻r4的第二端与所述电阻r5的第一端连接，所述电阻r5的第二端用于和负极电源连接；
所述第一晶体管关断电路的第一端与所述电阻r4的第二端连接，且与所述电阻r5的第一端连接；所述第一晶体管关断电路的第二端用于和所述负极电源连接；所述第三晶体管关断电路的第一端与所述第二场效应管的源极连接，所述第三晶体管关断电路的第二端用于和所述负极电源连接；所述第二场效应管导通以驱动所述第一晶体管关断电路运行；所述第一晶体管关断电路运行以驱动所述第二晶体管关断电路运行；所述第二晶体管关断电路运行以驱动所述第三晶体管关断电路运行。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述软关断模块还包括：软关断反馈单元，包括第二比较器，所述第二比较器的负极输入端与所述第二场效应管的漏极连接，所述第二比较器的正极输入端的电压为固定值；所述第二比较器的输出端与所述第三晶体管关断电路的输入端连接，所述第二比较器用于驱动所述第三晶体管关断电路导通并运行。7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管关断电路包括：第四场效应管，所述第四场效应管的栅极与所述第二比较器的输出端连接，所述第三场效应管的漏极与所述电阻r4的第一端连接，且与所述第二场效应管的漏极连接；电阻r6，所述电阻r6的第一端与所述第四场效应管的源极连接，所述电阻r6的第二端用于和所述负极电源连接。8.根据权利要求1-7任一项所述的电路，其特征在于，还包括门极钳位电路，所述门极钳位电路包括：第一钳位二极管，所述第一钳位二极管的正极与所述第一场效应管的源极连接，且与所述第二场效应管的漏极连接，且与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；所述第一钳位二极管的负极用于和正极电源连接；第二钳位二极管，所述第二钳位二极管的负极与所述第一场效应管的源极连接，且与所述第二场效应管的漏极连接，且与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；所述第二钳位二极管的正极用于和负极电源连接。9.根据权利要求1-7任一项所述的电路，其特征在于，还包括门极吸收电路，所述门极吸收电路包括：电容，所述电容的一端与所述第一场效应管的源极连接，且与所述第二场效应管的漏极连接，且与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；所述电容的另一端接地。10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述门极吸收电路还包括：电阻r7，所述电阻r7的一端与所述第一场效应管的源极连接，且与所述第二场效应管的漏极连接，且与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接；所述电阻r7的另一端接地。

技术总结
本申请提供一种IGBT驱动电路，包括：绝缘栅双极型晶体管、软导通模块和软关断模块。软导通模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路；第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，第一脉冲宽度调制信号用于驱动第一场效应管以及至少2个晶体管导通电路依次导通；软关断模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路；第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，第二脉冲宽度调制信号用于驱动第二场效应管导通以及至少2个晶体管关断电路依次导通。本申请的IGBT驱动电路可以提高IGBT的使用可靠性。用可靠性。用可靠性。


技术研发人员：刘海锋 郑松 杨春宇 李康乐
受保护的技术使用者：西安中车永电捷通电气有限公司
技术研发日：2020.09.03
技术公布日：2022/3/3