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具有预制结构的镀膜和粉体及其制备方法与流程

2022-03-01 21:28:24 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及镀膜技术领域,特别是涉及一种具有预制结构的镀膜和粉体及其 制备方法。


背景技术:

2.镀膜是一种在物体的表面形成装饰薄膜或功能薄膜的技术,其主要包括蒸发 镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。在手机、数码相机、电脑、手表、眼镜架、五金、 小饰品等的生产过程中,为了增加产品外观的靓丽程度或防伪,需要在该类产品 的表面通过镀膜的方式形成包括任意形状的商标、美术、图形或文字等图案,或 需要特殊光学特征来标识独特地方。
3.但目前,装饰及防伪油墨用膜层或粉体多以平面及片状为主,缺少结构组合 效果,类型简单,独特性缺失。


技术实现要素:

4.基于此,本发明的目的在于提供一种具有预制结构的镀膜和粉体及其制备方 法。
5.技术方案如下:
6.一种具有预制结构的镀膜的制备方法,包括如下步骤:
7.提供基材和具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板;
8.在所述基材上施加转印uv胶;
9.通过uv转印将所述微纳纹理模板施加在所述转印uv胶上,再通过uv固 化制备过渡胶层,移除所述微纳纹理模板,制备具有微纳米尺寸的三维立体结构 的中间体;
10.采用镀层材料在具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体的表面上仿 形沉积制备镀层。
11.在其中一个实施例中,在制备所述镀层之前,采用功能材料在具有微纳米尺 寸的三维立体结构的所述中间体的表面上仿形沉积制备过渡分离层,再采用镀层 材料在所述过渡分离层上仿形沉积制备所述镀层。
12.在其中一个实施例中,所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数≥2,所 述镀层和所述过渡分离层呈交替设置。
13.在其中一个实施例中,所述功能材料选自水接触角为80
°
~130
°
的材料, 或水溶性材料,或油溶性材料,或振动分离材料,或热挥发材料,或热分解材料, 或水解材料,或油解材料。
14.在其中一个实施例中,所述的具有预制结构的镀膜的制备方法,其特征在于, 所述接触角为80
°
~130
°
的材料选自含氟化合物;所述水溶性材料选自有机水 溶物或无机水溶物,或两者混合物;所述油溶性材料选自油溶解性树酯;所述热 挥发材料选自低沸点有机材料;所述热分解材料选自易分解有机材料;所述水解 材料选自有机水分解物或无机水分解物,或两者混合物;或油解材料选自油分解 性树酯材料。
15.在其中一个实施例中,制备所述镀层所采用的镀层材料选自碱金属、碱土金 属、
过渡元素、主族金属、镧系元素、锕系元素及这些金属的氮化物、碳化物、 氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物和硫化物中的一种或多种;
16.或制备所述镀层所采用的镀层材料选自si、p、ge、as、sb、b、te和c及 这些非金属的氮化物、碳化物、氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物和硫化物 中的一种或多种。
17.在其中一个实施例中,制备所述镀层所采用的镀层材料选自al、cr、ti、 au、ag、cu、w、v、ni、li、na、k、ca、mo、co、mn、ga、rb、cd、ba、 cs、pt、ce、sn、zn、ta、zr、nb、mg、in和y及这些金属的氮化物、碳化物、 氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物、硫化物中的一种或多种。
18.在其中一个实施例中,所述的具有预制结构的镀膜的制备方法还包括将所述 镀层与所述中间体分离的步骤。
19.在其中一个实施例中,将所述镀层与所述中间体分离的方式为水相分离,油 相分离,热分离或振动分离。
20.在其中一个实施例中,所述微纳米尺寸的三维立体结构呈有序排列结构和/ 或无序排列结构;
21.所述有序排列结构为点阵立体结构和线阵立体结构中的至少一种。
22.在其中一个实施例中,所述微纳米尺寸的三维立体结构为金字塔型,或柱体 形(方柱、圆柱、棱柱等),或球冠体型,或类蜂巢体型,或多边形体体阵列, 或线形体阵列,或柱线体阵列,或块型体阵列,或以上组合阵列,或不规则形貌 体阵列。
23.在其中一个实施例中,仿形沉积的方式为化学液相沉积法、化学气相沉积法、 磁控溅射法、蒸发镀膜法或dlc。
24.在其中一个实施例中,所述转印uv胶的主材料包含水溶性树酯、油溶性树 酯、水溶性无机物或混合体、环氧丙烯酸酯、氨基丙烯酸酯、聚醚类树酯、丙烯 酸类树酯、不饱和聚酯、醇类化合物、阳离子类树酯、环氧类树酯、有机硅类树 酯等uv光引发树酯中的至少一种。此外,所述转印uv胶还包含引发剂和助剂。
25.本发明还提供根据如上所述的具有预制结构的镀膜的制备方法制得的具有 预制结构的镀膜。
26.本发明还提供一种具有预制结构的粉体的制备方法,包括如下步骤:
27.根据如上所述的具有预制结构的镀膜的制备方法制得具有预制结构的镀膜;
28.对所述具有预制结构的镀膜进行粉碎处理,制备具有预制结构的粉体。
29.在其中一个实施例中,粉碎处理的方式为振动粉碎、研磨粉碎或气流冲击粉 碎。
30.在其中一个实施例中,在粉碎处理之后,还包括对具有预制结构的粉体进行 分级筛分的步骤。
31.本发明具有如下有益效果:
32.本发明提供的具有预制结构的镀膜的制备方法,主要包括uv转印和仿形沉 积制备镀膜的步骤,具有操作简易、节省物料、微纳结构形貌可控、可制备特殊 形貌或特殊光效产品、低成本、长效、可大批量应用的优点。
附图说明
33.图1是按照本发明的一个实施例关于在基材表面直接制备镀层的结构示意图 和
流程图;
34.图2按照本发明的一个实施例关于先在基材表面制备过渡分离层再制备镀层 的结构示意图和流程图;
35.图3是本发明一实施例所述的先制备过渡分离层再制备镀层,且镀层和过渡 分离层交替设置的结构示意图和流程图;
36.图4是本发明一实施例所述的先制备过渡分离层再制备镀层,且镀层和过渡 分离层不为交替设置的结构示意图和流程图;
37.图5是本发明实施例1防伪油墨示意图;
38.图6是本发明实施例2变色油墨示意图;
39.图7是本发明实施例3高亮银变色油墨示意图。
具体实施方式
40.以下结合具体实施例和附图对本发明作进一步详细的说明。本发明可以以许 多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施 方式的目的是使对本发明公开内容理解更加透彻全面。
41.除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领 域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只 是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和 /或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
42.需要说明的是,在本发明的描述中,对于方位词,如有术语“中心”、“横 向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、
ꢀ“
后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、内”、“外”、
ꢀ“
顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关 系,仅是为了便于叙述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件 必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作,不能理解为限制本发明的具体保 护范围。
43.在描述位置关系时,除非另有规定,否则当一元件例如层、膜或基板被指为 在另一膜层“上”时,其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说, 当层被指为在另一层“下”时,其可直接在下方,亦可存在一或多个中间层。亦 可以理解的是,当层被指为在两层“之间”时,其可为两层之间的唯一层,或亦 可存在一或多个中间层。
44.在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,意图在于 覆盖不排他的包含,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由
……
组成
”ꢀ
等,否则还可以添加另一部件。
45.在本发明中,多次指至少一次。
46.除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其 数量为一个。
47.此外,附图并不是以1:1的比例绘制,并且各元件的相对尺寸在附图中仅 以示例地绘制,以便于理解本发明,但不一定按照真实比例绘制,附图中的比例 不构成对本发明的限制。
48.在本发明中,微纳米尺寸指0.1nm~1mm。
49.在本发明中,仿形沉积指在微纳纹理表面,依形貌起伏沉积膜层,膜层与微 纳形
貌接触面与微纳形貌相似,形成近似微纳形貌的镀层。
50.在本发明中,中间体指的是包含基材和过渡胶层的整体。
51.在本发明中,厚度指微纳纹理厚度,及镀层沉积厚度。
52.在本发明中,微纳结构、微纳纹理与微纳米尺寸的三维立体结构意义相同。
53.本发明提供的一种具有预制结构的镀膜的制备方法,包括如下步骤:
54.s10提供基材和具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板;
55.s20在基材上施加转印uv胶;
56.s30通过uv转印将所述微纳纹理模板施加在所述转印uv胶上;
57.s40通过uv固化制备过渡胶层,移除所述微纳纹理模板,制备具有微纳米 尺寸的三维立体结构的中间体;
58.s50采用镀层材料在具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体的表面上 仿形沉积制备镀层。
59.在其中一个实施例中,所述的具有预制结构的镀膜的制备方法还包括将所述 镀层和具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述基材中间体分离的步骤。
60.本发明的所述的具有预制结构的镀膜的制备方法具体描述如下:
61.s10:提供基材和具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板
62.在其中一个实施例中,所述基材为树脂类有机物材料、无机物材料或包含所 述树脂类有机物材料和所述无机物材料的混合材料。
63.进一步地,所述有机物材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丙烯 和聚乙烯中的至少一种;所述无机物材料选自玻璃、蓝宝石和石英中的至少一种。
64.在其中一个实施例中,所述微纳米尺寸的三维立体结构呈有序排列结构和/ 或无序排列结构;所述有序排列结构为点阵立体结构和线阵立体结构中的至少一 种。进一步地,所述微纳米尺寸的三维立体结构为金字塔型,或柱形(方柱、圆 柱、棱柱等),或球冠型,或类蜂巢型,或多边形体阵列,或线形体阵列,或柱 线阵列,或块型体阵列,或以上组合阵列,或不规则形貌阵列。通过本发明的方 法,可获得柱体、锥体、球冠、多边形体结构等单一或多种组合微纳结构镀层。
65.可以理解地,在本发明中,所述微纳米尺寸的三维立体结构可以采用不同形 状结构按照不同的方式分布,可以满足客户的不同需求。
66.在其中一个实施例中,单个所述微纳米尺寸的三维立体结构的尺寸为 0.1nm~1mm。
67.s20:在基材上施加转印uv胶
68.在其中一个实施例中,所述转印uv胶的主材料包含水溶性树酯、油溶性树 酯、水溶性无机物或混合体、环氧丙烯酸酯、氨基丙烯酸酯、聚醚类树酯、丙烯 酸类树酯、不饱和聚酯、醇类化合物、阳离子类树酯、环氧类树酯、有机硅类树 酯、等uv光引发树酯中的至少一种。此外,所述转印uv胶还包含引发剂。
69.s30:通过uv转印将所述微纳纹理模板施加在所述转印uv胶上。
70.具体描述如下:在基材表面需要制作微纳纹理区域一侧点胶,使转印uv胶 呈线状,把具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板放置在转印uv胶上 面,微纳纹理面与胶接触,且具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板与 基板上需要制作微纳纹
理区域对齐,在具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹 理模板上施加滚轮压力,从点胶一侧滚压至相对一侧,使模板的微纳纹理面与对 应位置的基板表面的对应间隙由转印uv胶水完全填充,其填充转印uv胶层厚 度由施加压力与转印uv胶粘度共同决定来获得需要的厚度,再通过uv固化来 固定胶层和微纳纹理形貌。
71.s40:通过uv固化制备过渡胶层,移除所述微纳纹理模板,,制备具有微 纳米尺寸的三维立体结构的中间体。
72.uv固化包括:采用uv平行光源或uv非平行光源或uv激光光源照射, 使转印uv胶固化并黏附在基材表面。
73.采用uv光源引发转印uv胶水发生反应,uv光源可以是平行光,也可以 是非平行光。uv光使转印uv胶水由液态变为固态,从而固定胶层黏附和胶层 边界的界面形貌。如基材是透uv光状态,uv光可以从基材一侧照射转印uv 胶;基材是非透uv光状态,需要具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模 板为透uv状态,uv光需通过具有微纳米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板 一侧照射转印uv胶;如基材和纹理模具都可透射uv光,可从基材和具有微纳 米尺寸的三维立体结构的微纳纹理模板两侧或其中一侧照射uv光。
74.在其中一个实施例中,uv固化工作参数包括:全uv波段非平行光源,能 量100mj~1000mj,固化时间1s~20s,过渡胶层的总厚度为100nm~4000nm。 使胶水由液态变为固态,从而固定胶层黏附和胶层边界的界面形貌。
75.s50:采用镀层材料在具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体的表面 上仿形沉积制备镀层。
76.可以理解地,所述镀层可以是单组分镀层,亦可以是多组分交替层叠镀层。
77.在其中一个实施例中,制备所述镀层所采用的镀层材料选自碱金属、碱土金 属、过渡元素、主族金属、镧系元素、锕系元素及这些金属的氮化物、碳化物、 氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物和硫化物中的一种或多种;
78.或制备所述镀层所采用的镀层材料选自si、p、ge、as、sb、b、te和c及 这些非金属的氮化物、碳化物、氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物和硫化物 中的一种或多种。
79.在其中一个实施例中,制备所述镀层所采用的镀层材料选自al、cr、ti、 au、ag、cu、w、v、ni、li、na、k、ca、mo、co、mn、ga、rb、cd、ba、 cs、pt、ce、sn、zn、ta、zr、nb、mg、in和y及这些金属的氮化物、碳化物、 氢化物、氧化物、氮氧化物、碳氮化物、硫化物中的一种或多种。
80.在其中一个实施例中,通过仿形沉积的方式制备镀层,如溶液沉积法、化学 沉积法、物理沉积法、蒸发镀膜法或dlc。比如:采用真空蒸发镀膜方法,利用 电子提供的热能,使镀膜材料气化、离子化,最后沉积在基材表面微纳纹理层上, 形成具有微纳纹理的镀层。
81.图1是本发明一实施例所述的直接在中间体微纳结构表面制备镀层的结构示 意图和流程图,其中101表示具有微纳米尺寸的三维立体结构的中间体,102表 示镀层。
82.可以理解地,在中间体的微纳结构(即过渡胶层)表面上和镀层之间设置过 渡分离层,有助于后续分离中间体和镀层。故,在其中一个实施例中,s50包括:
83.s501:采用功能材料在具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体的表面 上仿形沉积制备过渡分离层。可以理解地,部分功能材料也可以直接作为镀层材 料使用。
84.s502:采用镀层材料在所述过渡分离层上仿形沉积制备镀层。
85.在其中一个实施例中,所述功能材料选自接触角为80
°
~130
°
的材料,或 水溶性材料,或油溶性材料,或振动分离材料,或热挥发材料,或热分解材料, 或水解材料,或油解材料。
86.在其中一个实施例中,所述接触角为80
°
~130
°
的材料选自含氟类材料; 所述水溶性材料选自有机水溶物或无机水溶物,或两者混合物;所述油溶性材料 选自油溶解性树酯;所述热挥发材料选自低沸点材料有机材料;所述热分解材料 选自易分解有机材料;所述水解材料选自有机水分解物或无机水分解物,或两者 混合物;或油解材料选自油分解性树酯材料。
87.s60:将所述镀层和具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体分离
88.分离的方式包括水相分离,油相分离,热分离,剥离和振动分离中的至少一 种。多种方法组合,能更快和/或更好地将所述镀层和具有微纳米尺寸的三维立体 结构的所述中间体分离,且不破坏基材和镀层的微纳结构。
89.可以理解地,若所述镀层和所述将具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中 间体之间含有所述过渡分离层,将所述镀层和具有微纳米尺寸的三维立体结构的 所述中间体分离的方式也可为水相分离,油相分离,热分离或振动分离。可以理 解地,将中间体和镀层分离的操作与功能材料的选择通常是对应的,如采用水溶 性材料制备水溶性过渡分离层,则后续将含有镀层的基材置于水中,水溶性过渡 分离层溶解,中间体和镀层分离。若采用大接触角的材料,中间体和镀层可直接 剥离。
90.图2是本发明一实施例所述的先制备过渡分离层再制备镀层的结构示意图和 流程图,其中201表示具有微纳米尺寸的三维立体结构的中间体,202表示过渡 分离层,203表示镀层。
91.可以理解地,在本发明中,镀层的层数≥1,不限于1层;过渡分离层的层 数≥0,不限于0或1层。
92.在其中一个实施例中,所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数为0或1。
93.(1)所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数为0,所述的预制结构镀 膜的制备方法还包括如下步骤;
94.采用所述镀层材料在前一次仿形沉积制得的镀层的表面上仿形沉积制备新 的镀层。即,多次沉积镀层(可以是同种材质,亦可以是多种材质层,或混合材 质层)可制备多层层叠组合镀层。
95.(2)所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数为1,可以理解地,过渡 分离层可以设置于具有微纳米尺寸的三维立体结构的所述中间体的表面和第一 镀层之间,也可以设置于镀层与镀层之间。
96.在其中一个实施例中,所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数≥2。进 一步地,从效率和成本角度考虑,最后沉积的一层为镀层,则所述的预制结构镀 膜的制备方法还包括如下步骤;
97.采用所述功能材料在前一次仿形沉积制得的镀层的表面上仿形沉积制备新 的过渡分离层,再采用所述镀层材料在所述新的过渡分离层上仿形沉积制备新的 镀层。
98.进一步地,所述镀层的层数≥2,所述过渡分离层的层数≥2,所述镀层和所 述过渡分离层呈交替设置。对于这样的实施例,则需要重复采用所述功能材料在 前一次仿形沉
积制得的镀层的表面上仿形沉积制备新的过渡分离层,再采用所述 镀层材料在所述新的过渡分离层上仿形沉积制备新的镀层的步骤至少一次。
99.图3是本发明一实施例所述的先制备过渡分离层再制备镀层,且镀层和过渡 分离层交替设置的结构示意图和流程图,其中301表示具有微纳米尺寸的三维立 体结构的中间体,302表示第一过渡分离层,303表示第一镀层,304表示第二过 渡分离层,305表示第二镀层。
100.在其中一个实施例中,所述镀层的层数≥3,所述过渡分离层的层数≥2,所 述镀层和所述过渡分离层不呈交替设置。对于这样的实施例,包括采用功能材料 制作具有微纳米尺寸的三维立体结构的中间体,并在中间体的微纳纹理表面上仿 形沉积镀层,于镀层上制备新的过渡分离层,再采用所述镀层材料在所述新的过 渡分离层上仿形沉积制备新的镀层,之后再制作新的过渡分离层,以及过渡分离 层上的新镀层的步骤。
101.图4是本发明一实施例所述的先制备过渡分离层再制备镀层,且镀层和过渡 分离层不为交替设置的结构示意图和流程图,其中401表示表面具有微纳米尺寸 的三维立体结构的中间体,402表示第一过渡分离层,403表示第一镀层,404 表示第二镀层,405表示第二过渡分离层,406表示第三镀层。
102.本发明还提供根据如上所述的具有预制结构的镀膜的制备方法制得的具有 预制结构的镀膜。
103.本发明还提供一种具有预制结构的粉体的制备方法,包括如下步骤:
104.根据如上所述的具有预制结构的镀膜的制备方法制得具有预制结构的镀膜;
105.对所述具有预制结构的镀膜进行粉碎处理,制备具有预制结构的粉体。
106.通过在预制微纳结构模板的表面沉积镀层的方法,1)能获得尺寸及结构均 匀一致的结构粉体,可以作为间隙一致性功能粉体制备方法。2)若通过卷膜表 面形成预制微纳结构模板的表面沉积镀层的方法,以及卷对卷镀层沉积方法,可 以高效获得微纳结构的粉体,节省材料使用。3)还可获得特殊微纳结构功能添 加剂的制备方法。
107.在其中一个实施例中,粉碎处理的方式为振动粉碎、研磨粉碎或气流冲击粉 碎。
108.在其中一个实施例中,在粉碎处理之后,还包括对具有预制结构的粉体进行 分级筛分的步骤。
109.通过本发明的方法,可获得柱体、锥体、球冠、多边形体结构等单一或多种 组合微纳结构的粉体,具有广阔的应用前景。
110.通过本发明可获得特殊微纳结构硅、氧化硅或碳的单一或组合粉制作方法。 或获得特殊微纳结构铝粉的制作方法。或获得特殊微纳结构的氧化硅、氧化钛或 氧化锆或氧化铌或氧化铝的交替组合粉体制作方法。或获得特殊微纳结构氧化硅 或氧化钛或氧化锆或氧化铌或氧化铝等的一种或多种,与金属铝或铬或钛等的一 种或多种组合的微纳结构粉体制作方法。
111.另外,在本发明中,选用适合作防伪油墨的材料,通过在预制微纳结构模板 的表面沉积镀层的方法,可获得一种特殊防伪油墨粉体。或选用适合作特殊装饰 油墨的材料,通过在预制微纳结构模板的表面沉积镀层的方法,可获得一种特殊 装饰油墨粉体。
112.若把本发明的具有预制结构的粉体添加入相应溶剂及相应树脂、助剂、添加 物中,可获得相应用途的装饰、防伪、功能等用途的油墨、油漆、烤漆、烧制材 料等产品。
113.具体实施例
114.实施例1
115.采用表面具有直径1μm、深300nm的三维凸锥台状阵列微纳纹理模板的蓝 宝石片作为转印模具,纹理表面具有防粘效果,与固化后的转印uv胶不粘合;
116.在pc板材的基材外表面的边缘一侧点转印uv胶胶线,再在胶线与基材上 放置转印模具,模具纹理一侧朝向转印uv胶,模具纹理区域与基材需制作纹理 区域对应。在转印模具外表面施加滚轮压力,从点胶线一侧滚压至对应边,使转 印uv胶完全填充在转印模具纹理面与基材表面之间。所用转印uv胶材质为含 氟、硅类的丙烯酸类uv固化树酯,通过全波段uv面光源,能量300mj,照射 转印uv胶层6s,移除所述微纳纹理模板,固化制备具有微纳米尺寸的三维立体 结构的中间体,中间体中过渡胶层的厚度为8μm。
117.在中间体的微纳纹理层(即过渡胶层)表面制作水溶性有机醇类化合物,作 为过渡分离层,厚度为100nm。
118.采用真空蒸发镀膜方法,在4*10-3
pa的真空状态下,在微纳纹理上的过渡分 离层表面沉积总厚度600nm,层叠厚度分别是100nm\190nm\20nm\190nm\100nm 的tio2\sio2\cr\sio2\tio2的复合镀层;
119.重复以上制作过渡分离层和复合镀层的循环3次,交替制作过渡分离层和复 合镀层。
120.把镀后的基板放于水槽中,在超声作用下,溶解收集镀层,并通过振动研磨 使粉体粉料成型。粉体分离后加入环氧类树酯及醚酯类等助剂材料中,制备防伪 油墨。示意图如图5所示。
121.实施例2
122.采用表面具有直径3μm、深600nm的三维凹柱状阵列微纳纹理模板的玻璃 片作为转印模具,纹理表面具有防粘效果,与固化后的转印uv胶不粘合。
123.在pet膜材的基材外表面的边缘一侧点转印uv胶胶线,再在胶线与基材上 放置转印模具,模具纹理一侧朝向转印uv胶,模具纹理区域与基材需制作纹理 区域对应。在转印模具外表面施加滚轮压力,从点胶线一侧滚压至对应边,使 uv胶完全填充在转印模具纹理面与基材表面之间。所用转印uv胶材质为水溶 性有机醇类化合物,可uv固化。通过全波段uv面光源,能量600mj,照射转 印uv胶层9s,移除所述微纳纹理模板,固化制备具有微纳米尺寸的三维立体结 构的中间体,中间体中过渡胶层的厚度为7μm。
124.采用磁控溅射镀膜方法,在3*10-3
pa的真空状态下,硅靶和钛靶溅射功率为 10kw,成膜过程中,离化源功率4kw,氧气流量为400sccm。在中间体的微纳 纹理层(即过渡胶层)表面沉积总厚度300nm,层叠厚度分别是 100nm\100nm\100nm的tio2\sio2\tio2复合镀层。
125.把镀后的基板放于水槽中,在超声作用下,溶解收集镀层,并通过振动研磨 使粉体粉料成型。分离加入丙烯酸树酯及醚酯类等助剂材料中,制备变色油墨。 示意图如图6所示。
126.实施例3
127.采用表面具有棱锥5μm、深900nm的凹棱锥状阵列微纳纹理模板的玻璃片 作为转印模具,纹理表面具有防粘效果,与固化后的转印uv胶不粘合。
128.在复合板基材外表面的边缘一侧点转印uv胶胶线,再在胶线与基材上放置 转印
模具,模具纹理一侧朝向转印uv胶,模具纹理区域与基材需制作纹理区域 对应。在转印模具外表面施加滚轮压力,从点胶线一侧滚压至对应边,使uv胶 完全填充在转印模具纹理面与基材表面之间。所用转印uv胶材质为有机硅类 uv固化树酯,通过全波段uv面光源,能量900mj,照射uv胶层8s,移除所 述微纳纹理模板,固化制备具有微纳米尺寸的三维立体结构的中间体,中间体中 过渡胶层的厚度为12μm。
129.在中间体的微纳纹理层(即过渡胶层)表面制作水溶性有机醇醚类化合物, 作为过渡分离层,厚度为80nm。
130.采用真空蒸发镀膜方法,在4*10-3
pa的真空状态下,沉积总厚度200nm,层 叠厚度分别是60nm\80nm\60nm的sio2\al\sio2的复合镀层。
131.重复以上制作过渡分离层和复合镀层的循环12次,交替制作过渡分离层和 复合镀层。
132.把镀后的基板放于水槽中,在超声作用下,溶解收集镀层,并通过振动研磨 使粉体粉料成型。分离加入丙烯酸树酯及醚酯类等助剂材料中,制备高亮银变色 油墨。示意图如图7所示。
133.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上 述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特 征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
134.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,便于具体和详细地理解本 发明的技术方案,但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出 的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以 做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。应当理解,本领域技术人 员在本发明提供的技术方案的基础上,通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试 验得到的技术方案,均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此,本发明专利 的保护范围应以所附权利要求的内容为准,说明书和附图可以用于解释权利要求 的内容。
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