三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置的制作方法

技术特征：
1.一种三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，包括：存储芯片，所述存储芯片用于存储数据，所述存储芯片包括第一键合面；接口芯片，所述接口芯片包括第二键合面，所述第一键合面与所述第二键合面形成三维异质集成结构，以将所述接口芯片与所述存储芯片三维堆叠连接，形成所述三维堆叠式光接口存储器；其中，所述接口芯片包括光数据通信电路，所述光数据通信电路用于处理写入所述存储芯片的数据和从所述存储芯片读取的数据。2.根据权利要求1所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述光数据通信电路包括：光数据协议电路，所述光数据协议电路用于存储光数据协议。3.根据权利要求2所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述光数据协议包括xgmii协议、pmd协议、pma协议和pcs协议中至少一者。4.根据权利要求2所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述光数据通信电路还包括：存储控制电路，所述存储控制电路与所述光数据协议电路连接，所述存储控制电路用于将所述光数据协议电路处理后的数据写入所述存储芯片；和所述存储控制电路用于读取所述存储芯片内存储的数据并传输给所述光数据协议电路。5.根据权利要求4所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述光数据通信电路还包括：缓存电路，所述存储控制电路通过所述缓存电路与所述光数据协议电路连接，所述缓存电路用于缓存数据。6.根据权利要求1所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述光数据通信电路包括：电压转化电路，所述电压转化电路与所述存储芯片和所述接口芯片连接，所述电压转化电路用于升高或降低所述接口芯片的电压值和/或所述存储芯片的电压值，以使所述接口芯片和所述存储芯片之间能够传输数据。7.根据权利要求1所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，所述存储芯片的数量为至少两个。8.根据权利要求7所述的三维堆叠式光接口存储器，其特征在于，至少两个所述存储芯片分别与所述接口芯片三维堆叠连接；和/或至少两个所述存储芯片之间三维堆叠连接。9.一种光数据处理装置，其特征在于，包括：光数据接收单元，所述光数据接收单元用于接收光数据；如权利要求1至8中任一项所述的三维堆叠式光接口存储器，所述三维堆叠式光接口存储器与所述光数据接收单元连接；处理器，所述处理器与所述三维堆叠式光接口存储器连接。10.根据权利要求9所述的光数据处理装置，其特征在于，所述三维堆叠式光接口存储器通过三维异质集成结构与所述处理器连接。

技术总结
本申请实施例公开了一种三维堆叠式光接口存储器和光数据处理装置。三维堆叠式光接口存储器包括存储芯片和接口芯片。存储芯片用于存储数据，存储芯片包括第一键合面。接口芯片包括第二键合面，第一键合面与第二键合面形成三维异质集成结构，以将接口芯片与存储芯片三维堆叠连接，形成三维堆叠式光接口存储器。其中，接口芯片包括光数据通信电路，光数据通信电路用于处理写入存储芯片的数据和从存储芯片读取的数据。本申请实施例无需经过其他元件，即可实现数据的存储和读取，缩短了数据的传输路径，减少数据的传输时间，提高数据的传输效率，并且提高了三维堆叠式光接口存储器处理数据的带宽，进一步确保了三维堆叠式光接口存储器的使用性能。存储器的使用性能。存储器的使用性能。


技术研发人员：江喜平 左丰国 周小锋
受保护的技术使用者：西安紫光国芯半导体有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/2/25