半导体结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包括p型阱或n型阱；第一基部，位于所述p型阱上方；第二基部，位于所述n型阱上方；第一多个沟道构件，位于所述第一基部上方；第二多个沟道构件，位于所述第二基部上方；隔离部件，设置在所述第一基部和所述第二基部之间；以及深隔离结构，设置在所述隔离部件的下面的所述衬底中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述隔离部件和所述深隔离结构延伸穿过所述p型阱和所述n型阱之间的结。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述深隔离结构包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述隔离部件的形状与所述深隔离结构的形状不同。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第一栅极结构，环绕包裹每个所述第一多个沟道构件；第二栅极结构，环绕包裹每个所述第二多个沟道构件；以及第一介电鳍，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一介电鳍设置在所述隔离部件上。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第一栅极结构的第一部分在所述第一介电鳍和所述第一栅极结构之间延伸。8.根据权利要求7所述的半导体结构，还包括：第二介电鳍，与所述第一多个沟道构件的侧壁接触。9.一种半导体结构，包括：衬底，包括p型阱或n型阱；第一基部，位于所述p型阱上方；第二基部，位于所述n型阱上方；第一n型外延部件，位于所述第一基部上方；第一p型外延部件，位于所述第二基部上方；第一隔离部件，设置在所述第一基部与所述第二基部之间；以及深隔离结构，设置在所述第一隔离部件的正下面的所述衬底中。10.一种制造半导体结构的方法，包括：接收工件，所述工件包括位于衬底的p型阱区上方的第一鳍状结构和位于所述衬底的n型阱区上方的第二鳍状结构，所述第一鳍状结构和所述第二鳍状结构由结沟槽间隔开；将所述结沟槽进一步延伸至所述衬底中以形成深凹穴；在所述深凹穴中形成深隔离部件并且在所述结沟槽中形成隔离部件；以及在所述隔离部件上形成介电鳍，从而使得将所述介电鳍设置在所述第一鳍状结构和所述第二鳍状结构之间。

技术总结
公开了半导体结构及其制造方法。根据本发明的示例性半导体结构包括具有p型阱或n型阱的衬底、位于p型阱上方的第一基部、位于n型阱上方的第二基部、位于第一基部上方的第一多个沟道构件、位于第二基部上方的第二多个沟道构件、设置在第一基部和第二基部之间的隔离部件以及设置在隔离部件的下面的衬底中的深隔离结构。结构。结构。


技术研发人员：郑嵘健 朱熙甯 陈冠霖 江国诚 王志豪 程冠伦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2022/2/23