一种智能功率模块的制作方法

技术特征：
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括基板、设置于所述基板上的电路布线层以及层叠设置于所述电路布线层上的上桥功率芯片、下桥功率芯片和驱动芯片，所述下桥功率芯片与所述上桥功率芯片电连接，所述驱动芯片分别与所述上桥功率芯片和所述下桥功率芯片电连接。2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第一者、所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第二者以及所述驱动芯片在远离所述电路布线层的方向上依次层叠。3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述驱动芯片在所述基板上的正投影落入所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第二者在所述基板上的正投影内。4.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片在所述基板上的正投影与所述下桥功率芯片在所述基板上的正投影至少部分重叠。5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片的长度方向与所述下桥功率芯片的长度方向之间呈夹角设置。6.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第一者的长度方向沿所述基板的长度方向设置，所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第二者的长度方向沿所述基板的宽度方向设置。7.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第二者的一短边在所述基板上的正投影落入所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第一者在所述基板上的正投影内，且与所述上桥功率芯片和下桥功率芯片中的第一者的长边在所述基板上的正投影间隔设置。8.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述驱动芯片在所述基板上的正投影落入所述上桥功率芯片在所述基板上的正投影与所述下桥功率芯片在所述基板上的正投影的重叠区域内。9.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块进一步包括导电载片，所述导电载片设置于所述上桥功率芯片与所述下桥功率芯片之间，用于电连接所述上桥功率芯片与所述下桥功率芯片。10.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率芯片包括电连接的第一续流二极管及上桥臂开关管，所述下桥功率芯片包括电连接的第二续流二极管及下桥臂开关管，所述上桥功率芯片和所述下桥功率芯片为rc-igbt芯片、mosfet芯片或hemt芯片，所述驱动芯片为hvic芯片。

技术总结
本发明公开了一种智能功率模块，该智能功率模块包括基板、设置于基板上的电路布线层以及层叠设置于电路布线层上的上桥功率芯片、下桥功率芯片和驱动芯片，下桥功率芯片与上桥功率芯片电连接，驱动芯片分别与上桥功率芯片和下桥功率芯片电连接。本发明通过将智能功率模块的上桥功率芯片、下桥功率芯片和驱动芯片层叠设置于基板上，能够极大地减小智能功率模块占据的面积，有利于智能功率模块的小型化，并且还能够缩短驱动回路和功率回路，进而减小寄生电感，保证智能功率模块的工作性能。保证智能功率模块的工作性能。保证智能功率模块的工作性能。


技术研发人员：魏调兴
受保护的技术使用者：美的集团股份有限公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/2/23