用于微LED应用的磷光体层的制作方法

技术特征：
1.一种器件，包括：微led，包括在同一衬底上的至少两个单独可寻址的发光二极管；磷光体转换器层，设置在所述微led上，所述磷光体转换器层包括多个磷光体颗粒，所述多个磷光体颗粒具有大于1 μm并且小于10 μm的d50，其中所述磷光体转换器层的厚度大于4 μm并且小于20 μm，其中所述磷光体转换器层进一步包括涂覆在所述磷光体颗粒上的非发光材料薄层，并且其中所述薄层具有小于200 nm的厚度。2. 根据权利要求1所述的器件，其中所述多个磷光体颗粒具有大于2 μm并且小于7 μm的d50。3. 根据权利要求2所述的器件，其中所述多个磷光体颗粒具有大于3 μm并且小于5 μm的d50。4. 根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中粒径d50小于9 μm并且薄层的厚度小于15 μm。5. 根据权利要求4所述的器件，其中所述磷光体转换器层的厚度大于8 μm并且小于15 μm。6. 根据权利要求5所述的器件，其中所述磷光体转换器层的厚度大于10 μm并且小于13 μm。7.根据权利要求1-6中任一项所述的器件，其中所述磷光体转换器层进一步包括基质，并且所述基质具有1或更大并且小于或等于1.5的折射率。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述基质的折射率为1或更大并且小于1.4。9.根据权利要求8所述的器件，其中所述基质的折射率为1或更大并且小于1.2。10.根据权利要求1-9中任一项所述的器件，其中所述磷光体转换器层可通过喷涂或沉降而获得。11.根据权利要求10所述的器件，其中所述薄层包括金属氧化物。12.根据权利要求11所述的器件，其中所述薄层包括al2o3、hfo2、ta2o5、zro2、tio2和sio3中的至少一种。13.根据权利要求10所述的器件，其中所述薄层通过原子层沉积而形成。14. 根据权利要求10所述的器件，其中所述薄层具有40-150 nm之间的厚度。15. 一种器件，包括：发光二极管；和所述发光二极管上的磷光体转换器层，所述磷光体转换器层包括多个磷光体颗粒和形成在所述磷光体颗粒之上的非发光材料薄层，其中所述磷光体转换器层的厚度大于4 μm并且小于20 μm，其中所述磷光体转换器层进一步包括涂覆在所述磷光体颗粒上的非发光材料薄层，并且其中所述薄层具有小于200 nm的厚度。

技术总结
实施例包括一种器件，该器件具有：微LED，包括在同一衬底上的至少两个单独可寻址的发光二极管；磷光体转换器层，设置在微LED上，该磷光体转换器层包括磷光体颗粒，该磷光体颗粒具有大于1μm并且小于10μm的D50。具有大于1μm并且小于10μm的D50。具有大于1μm并且小于10μm的D50。


技术研发人员：H-H
受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司
技术研发日：2020.05.28
技术公布日：2022/2/23