基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法与流程

1.本发明属于除胶加工技术领域，涉及一种纳秒紫外激光除胶方法，尤其涉及一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法。


背景技术：

2.随着手机的普及与手机的更新日新月异，目前手机的报废越来越多。因此部分手机元器件回收与再利用也变得越来越多。现有技术中在回收摄像头上的感光芯片时，先对摄像头模组加热再手动拆下摄像头底座支架，此时底部会残留一层环氧树脂胶层(红胶)，传统工艺是使用热盘加热，再人为使用剃刀慢慢剔除胶层。但是使用人工除胶的方式除胶时会对晶元表面划伤，使晶元表面存在划痕，而且加工时由于产品的温度比较高，操作不方便，且产品报废率比较高。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是：克服现有技术的问题，提供了一种环保高效的回收旧摄像头感光芯片工艺的方法。
4.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，包括如下步骤：
5.使覆盖有胶层的感光芯片外露；
6.设置激光打标图形；
7.预设激光加工参数并将激光束调整至预设加工位；
8.根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理。
9.进一步的，所述激光加工参数包括打标速度、空跳速度、q频、填充间距以及焦点位置。
10.进一步的，所述打标速度的范围为2000-3000mm/s，所述空跳速度的范围为3000-6000mm/s，所述q频的平均范围为10-60khz，所述填充间距为0.01-0.1mm，加工位置为偏焦2-6mm。
11.进一步的，所述纳秒紫外激光设备的最大功率为10w。
12.进一步的，所述纳秒紫外激光设备的波长为355nm。
13.进一步的，所述激光打标图形包括激光加工路线和激光加工区域的形状。
14.进一步的，所述激光加工区域的大小不小于所述感光芯片的大小。
15.进一步的，所述激光加工区域的大小为100*100mm。
16.进一步的，所述根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理中所述除胶处理的过程中还包括除尘处理的步骤。
17.进一步的，所述根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理之后还包括使用酒精清洗所述感光芯片的表面。
18.本发明提供了一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，包括如
下步骤：使覆盖有胶层的感光芯片外露；设置激光打标图形；预设激光加工参数并将激光束调整至预设加工位；根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理。使用该方法加工后不会损伤感光芯片，除此之外加工效率更高、去除效果比较高，且报废率比较低，除胶后感光芯片的表面比较平整。
附图说明
19.下面结合附图详述本发明的具体结构
20.图1为本发明的基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法的流程示意图；
21.图2为本发明的感光芯片的加工前的结构示意图；
22.图3为本发明的感光芯片的加工后的结构示意图。
23.图中：1-环氧树脂胶层、2-感光芯片、3-激光光束。
具体实施方式
24.为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.请参阅图1至图3，本发明提供了一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，包括如下步骤：
26.s1、使覆盖有胶层的感光芯片2外露；
27.在本实施例中，先加工报废摄像头，使用热盘将报废摄像头加工至350-400℃，加热后用镊子取下摄像头的底座，采用刀片取下摄像头支架，覆盖有胶层的感光芯片2就会外露，但并不仅仅限于上述方法取下摄像头或摄像头支架，其中覆盖有胶层的感光芯片2只有部分区域覆盖有胶层，其中感光芯片2是数码摄像头的重要组成部分，根据元件不同分为：ccd(charge coupled devic，电荷耦合元件)和cmos(complementary metal-oxide semiconductor，金属氧化物半导体元件)。
28.s2、设置激光打标图形；
29.在本实施例中，准备打标的图档，就是设置激光打标图形，也就是对激光加工路线及加工区域大小进行管控，激光打标图形即是除胶的区域形状。
30.s3、预设激光加工参数并将激光束调整至预设加工位；
31.在本实施例中，先将准备好的感光芯片2放置于加工平台上，采用专用的夹具固定，开启纳秒紫外激光设备，调整好纳秒紫外激光器的激光加工参数，并将激光束调整至预设加工位。
32.s4、根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对感光芯片2进行除胶处理。
33.在本实施例中，如图2-3所示，图2为加工前，图3为加工后，接受录入的所述激光打标图形是s2中提前根据需要除胶的区域而提前准备的激光打标图形，除胶是利用纳秒紫外激光设备产生的激光在胶层表面的高温产生气化，即通过热效应使残留的胶层气化，从而达到在不伤感光芯片2的情况下去除胶层，价格效率和产品良率得到了显著提高。
34.在本实施例中，除胶后的感光芯片2，表面上残留的胶层的厚度是控制在0.05mm以下的，该方法可以实现去除任意厚度任意形状的胶层。
35.具体的，所述激光加工参数包括打标速度、空跳速度、q频、填充间距以及焦点位置。
36.更具体的，所述打标速度的范围为2000-3000mm/s，所述空跳速度的范围为3000-6000mm/s，所述q频的平均范围为10-60khz，所述填充间距为0.01-0.1mm，加工位置为偏焦2-6mm。在本实施例中，所述打标速度的优选值为2500mm/s，所述空跳速度的优选值为4500mm/s，所述q频的优选值为35khz，所述填充间距的优选值为0.05mm，所述加工位置的优选值为偏焦4mm。
37.具体的，所述纳秒紫外激光设备的最大功率为10w。
38.具体的，所述纳秒紫外激光设备的波长为355nm。
39.在本实施例中，上述激光加工参数均为纳秒紫外激光的参数的具体范围，激光焦点的位置、光斑的大小及形状和激光加工参数对加工效果有着重要的影响，其中一个光斑的平均大小为20μm，在激光标记的过程中必须要找准激光焦点的位置，也可以根据效果适当调整激光加工参数的配比。
40.具体的，所述激光打标图形包括激光加工路线和激光加工区域的形状，所述激光打标图形可灵活更改，可以一次性加工密集图档，成本低、效率快，所述激光加工路线主要指的是激光可沿不同的方向或不同的角度进行加工，可进行更好的除胶。
41.具体的，所述激光加工区域的大小不小于所述感光芯片的大小，将需要除胶的区域扩大至整个感光芯片的大小，就可以将整块感光芯片上的胶层全部去除，保证去除胶层的质量。
42.具体的，所述激光加工区域的大小为100*100mm，激光加工的区域比感光芯片2要大，100*100mm这个区域为所述纳秒紫外激光设备能加工的最大区域，感光芯片2为一般芯片，一般的感光芯片2为5*5mm，就可一次加工多个感光芯片2，在保证质量的情况下进一步提升了加工效率。
43.具体的，所述除胶处理的过程中增加了除尘的步骤，所述除尘的步骤通过抽尘装置进行处理，在感光芯片2上的胶层在气化过程中，会产生粉尘，并且感光芯片2上的胶层对人体存在一定危害，在加工除胶的过程中增加抽尘装置，清理空气粉尘，减少环境污染以及减弱对操作者健康的危害。
44.更具体的，对感光芯片2进行除胶后，使用酒精清洗感光芯片2的表面。该方式可将感光芯片2上表面上的一些灰尘擦干净。
45.本发明提供了一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，包括如下步骤：使覆盖有胶层的感光芯片外露；设置激光打标图形；预设激光加工参数并将激光束调整至预设加工位；根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理。使用该方法加工后不会损伤感光芯片，除此之外加工效率更高、去除效果比较高，且报废率比较低，除胶后感光芯片的表面比较平整。
46.此处第一、第二
……
只代表其名称的区分，不代表它们的重要程度和位置有什么不同。
47.此处，上、下、左、右、前、后只代表其相对位置而不表示其绝对位置
48.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。