基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法与流程

技术特征：
1.一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，其特征在于，包括如下步骤：使覆盖有胶层的感光芯片外露；设置激光打标图形；预设激光加工参数并将激光束调整至预设加工位；根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光加工参数包括打标速度、空跳速度、q频、填充间距以及焦点位置。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述打标速度的范围为2000-3000mm/s，所述空跳速度的范围为3000-6000mm/s，所述q频的平均范围为10-60khz，所述填充间距为0.01-0.1mm，加工位置为偏焦2-6mm。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述纳秒紫外激光器的最大功率为10w。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述纳秒紫外激光器的波长为355nm。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述激光打标图形包括激光加工路线和激光加工区域的形状。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述激光加工区域的大小不小于所述感光芯片的大小。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述激光加工区域的大小为100*100mm。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理中所述除胶处理的过程中还包括除尘处理的步骤。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数对所述感光芯片进行除胶处理之后还包括使用酒精清洗所述感光芯片的表面。

技术总结
本发明提供了一种基于纳秒紫外激光清除摄像头感光芯片上残胶的方法，包括如下步骤：使覆盖有胶层的感光芯片外露；设置激光打标图形；预设激光加工参数并将激光束调整至合适位置；根据所述激光打标图形和预设的激光加工参数并对所述感光芯片进行除胶处理。使用该方法加工后不会损伤感光芯片，除此之外加工效率更高、去除效果比较高，且报废率比较低，除胶后感光芯片的表面比较平整。光芯片的表面比较平整。光芯片的表面比较平整。


技术研发人员：王勇 龙明昇 廖文 吕启涛 高云峰
受保护的技术使用者：大族激光科技产业集团股份有限公司
技术研发日：2020.08.20
技术公布日：2022/2/23