用于形成相机的悬架组件的技术的制作方法

1.本公开整体涉及相机的悬架组件，具体地，涉及用于形成相机的悬架组件的技术。


背景技术：

2.移动多用途设备诸如智能电话、平板电脑或平板设备的出现导致需要更大的透镜(诸如特宽广角透镜或超广角透镜)以集成到设备的相机中。一些相机可结合可通过调节光学透镜在x轴和/或y轴上的位置来感测外部激励/干扰并对其作出反应的光学图像稳定(ois)机构，以试图补偿透镜的不想要的动作。此外，一些相机可结合自动对焦(af)机构，可通过该af机构来调节对象焦距，以使相机前方的对象平面聚焦于图像传感器要捕获的图像平面处。在一些此类af机构中，光学透镜作为单刚体沿相机的光轴移动，以对相机重聚焦。
3.此外，如果沿光轴的透镜运动伴随着在其他自由度中(例如在正交于相机的光学(z)轴的x轴和y轴上)的最小限度的寄生运动，则在小外形相机中更容易实现高图像质量。因此，包括自动对焦机构的一些小外形相机还可结合可通过调节光学透镜在x轴和/或y轴上的位置来感测外部激励/干扰并对其作出反应的光学图像稳定(ois)机构，以试图补偿透镜的不想要的动作。在此类系统中，对透镜位置的了解是有用的。
附图说明
4.图1示出了根据一些实施方案的可包括具有电迹线的悬架组件的示例性相机。
5.图2a示出了根据一些实施方案的示例性悬架组件的顶视图。
6.图2b示出了根据一些实施方案的悬架组件的示例性弯曲臂的剖视图。
7.图3a至图3l示出了根据一些实施方案的使用负性dfr形成具有电迹线的弯曲臂的示例性工艺。
8.图4a示出了根据一些实施方案的用于在dfr层中形成t形腔的一种或多种示例性光刻工艺。
9.图4b示出了根据一些实施方案的用于在dfr层中形成倒t形腔的一种或多种示例性光刻工艺。
10.图5a至图5j示出了根据一些实施方案的使用负性dfr和正性dfr两者形成具有电迹线的弯曲臂的示例性工艺。
11.图6示出了根据一些实施方案的具有可折叠外部框架的示例性悬架组件。
12.图7示出了根据一些实施方案的可包括具有一个或多个悬架组件的相机的示例性设备700的示意图。
13.图8示出了根据一些实施方案的可包括具有一个或多个悬架组件的相机的示例性计算设备的示意性框图。
14.本说明书包括参考“一个实施方案”或“实施方案”。出现短语“在一个实施方案中”或“在实施方案中”并不一定是指同一个实施方案。特定特征、结构或特性可以与本公开一致的任何合适的方式被组合。
[0015]“包括”，该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所使用的，该术语不排除附加结构或步骤。考虑以下引用的权利要求：“一种包括一个或多个处理器单元...的装置”此类权利要求不排除该装置包括附加部件(例如，网络接口单元、图形电路等)。
[0016]“被配置为”，各种单元、电路或其他部件可被描述为或叙述为“被配置为”执行一项或多项任务。在此类上下文中，“被配置为”用于通过指示单元/电路/部件包括在操作期间执行这一项或多项任务的结构(例如，电路)来暗指该结构。如此，单元/电路/部件据称可被配置为即使在指定的单元/电路/部件当前不可操作(例如，未接通)时也执行该任务。与“被配置为”语言一起使用的单元/电路/部件包括硬件——例如电路、存储可执行以实现操作的程序指令的存储器等。引用单元/电路/部件“被配置为”执行一项或多项任务明确地旨在针对该单元/电路/部件不援引35u.s.c.
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112(f)。此外，“被配置为”可包括由软件和/或固件(例如，fpga或执行软件的通用处理器)操纵的通用结构(例如，通用电路)以能够执行待解决的一项或多项任务的方式操作。“被配置为”还可包括调整制造过程(例如，半导体制作设施)，以制造适用于实现或执行一项或多项任务的设备(例如，集成电路)。
[0017]“第一”“第二”等。如本文所用，这些术语充当它们所在之前的名词的标签，并且不暗指任何类型的排序(例如，空间的、时间的、逻辑的等)。例如，缓冲电路在本文中可被描述为执行“第一”值和“第二”值的写入操作。术语“第一”和“第二”未必暗指第一值必须在第二值之前被写入。
[0018]“基于”。如本文所用，该术语用于描述影响确定的一个或多个因素。该术语不排除影响确定的附加因素。即，确定可仅基于这些因素或至少部分地基于这些因素。考虑短语“基于b来确定a”。在这种情况下，b为影响a的确定的因素，此类短语不排除a的确定也可基于c。在其他实例中，可仅基于b来确定a。
[0019]
还将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等可能在本文中用于描述各种元素，但是这些元素不应当被这些术语限定。这些术语只是用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离预期范围的情况下，第一接触可被称为第二接触，并且类似地，第二接触可被称为第一接触。第一接触和第二接触两者都是接触，但是它们不是同一接触。
[0020]
在本文描述中所使用的术语只是为了描述特定实施方案，而并非旨在进行限制。如说明书和所附权利要求中所使用的那样，单数形式的“一个”、“一种”和“该”旨在也涵盖复数形式，除非上下文以其他方式明确地指示。还将理解的是，本文中所使用的术语“和/或”是指并且涵盖相关联地列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时是指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其分组。
[0021]
如本文中所用，根据上下文，术语“如果”可以被解释为意思是“当...时”或“在...时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定...”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”可被解释为是指“在确定...时”或“响应于确定...”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
具体实施方式
[0022]
在各种实施方案中，本文公开了用于形成悬架组件的技术。在一些实施方案中，悬
架组件可以是相机的自动对焦(af)和/或光学图像稳定(ois)系统的部分，其可允许相机的光学透镜和图像传感器相对于彼此移动。例如，悬架组件可包括用于与相机的图像传感器耦接的内部框架、可相对于相机在空间上固定的外部框架，以及用于将该内部框架连接到该外部框架的一个或多个弯曲臂。在一些实施方案中，利用弯曲臂，一个或多个致动器(例如，音圈马达)可相对于相机的光学透镜在一个或多个方向上(例如，沿相对于该光学透镜的z轴或光轴的x轴和/或y轴)移动内部框架和图像传感器。图像传感器相对于光学透镜的运动可用于实现ois功能。类似地，悬架组件可用作af系统的部分，例如，以提供光学透镜相对于图像传感器在一个或多个方向上(例如，沿z轴或光轴)的可移动性，从而实现自动对焦功能。
[0023]
在一些实施方案中，可将一条或多条电迹线添加到悬架组件中。例如，可在内部框架、外部框架和/或弯曲臂的一侧或两侧添加电迹线。电迹线与悬架组件的组合可为路由电迹线提供更节省空间的解决方案。在一些实施方案中，电迹线可用作电力输送通道(例如，向图像传感器供电)或信号传输链路(例如，在图像传感器和“外部”处理器之间传输信号)。
[0024]
在一些实施方案中，可使用一种或多种蚀刻工艺来形成包括内部框架、外部框架和弯曲臂的悬架组件。例如，可蚀刻基板(例如，几百微米的金属薄片)以移除该金属薄片的某些部分，从而形成悬架组件的内部框架、外部框架和/或弯曲臂。在一些实施方案中，可能期望弯曲臂在各个弯曲臂之间具有小的臂间空间。减小的臂间空间可减小悬架组件的总体尺寸，和/或为悬架组件的其他部件提供额外的空间。例如，当弯曲臂更加靠近彼此时，更多的空间可用于内部框架，因此可以使用更大的图像传感器。
[0025]
蚀刻工艺可能存在最小空间限制，以保持对需要被蚀刻以形成悬架组件的基板的部分的触及。因此，本文所公开的技术可使用不同的方法(例如，基于一种或多种电铸(或电镀)工艺)来形成悬架组件。电铸工艺可基于薄基板(例如，几十微米的薄金属箔)来形成悬架组件。在一些实施方案中，可首先在基板的一侧形成一条或多条电迹线。例如，可使用电铸工艺在基板的第一侧处沉积第一导电材料(例如，包括镍钴合金或镍钨合金)以形成电迹线。在一些实施方案中，可使用一层或多层干膜光致抗蚀剂(dfr)来涂覆基板。dfr可包括负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂。在一些实施方案中，可根据用于形成悬架组件的各种部件(例如，一个或多个弯曲臂)的一种或多种图案，在基板的与第一侧相对的第二侧处的dfr层中形成一个或多个腔。例如，可通过将dfr层暴露于相同或不同波长的紫外(uv)光以生成弯曲臂的各种形状(例如，t形、倒t形或沙漏形)的腔来生成腔。在一些实施方案中，可将第二导电材料(例如，铜钛合金)沉积到腔中以形成弯曲臂，该弯曲臂的形状可由根据图案生成的腔限定。需注意，本发明所公开的技术可用于形成悬架组件的各种部件，包括内部框架、外部框架和/或弯曲臂。本发明所公开的技术可减轻在蚀刻工艺中所示的最小空间限制(通过使用电铸工艺来形成悬架组件部件)，并减小悬架组件的尺寸。例如，臂间间距可从几百微米(例如，约180μm或更高)减小到几十微米(例如，约25μm-40μm或甚至更低)，例如，取决于dfr层的厚度。在一些实施方案中，外部框架还可被设计成可相对于内部框架折叠成一定角度，以在一个或多个方向上(例如，在x轴和/或y轴上)进一步减小悬架组件的尺寸。
[0026]
在一些实施方案中，可使用除薄箔之外的相对较厚的基板(例如，几百微米的金属薄片)来利用本发明所公开的技术形成悬架组件。例如，可首先蚀刻基板的一个或多个部分以形成薄箔(例如，几十微米的薄箔)。接下来，可将一种或多种电铸工艺(类似于上文所述
的那些)应用于薄箔以形成电迹线和悬架组件的部件(例如，一个或多个弯曲臂)。在一些实施方案中，可直接使用未蚀刻的基板的一个或多个剩余部分来形成内部框架和/或外部框架。这可能尤其适用于可直接使用基板(无需电铸)来形成内部框架和/或外部框架的情形。
[0027]
图1示出了根据一些实施方案的可包括具有电迹线的悬架组件的示例性相机。在如图1所示的示例中，相机100可包括透镜组件104内的光学透镜102，该透镜组件可封装在透镜架106中。在一些实施方案中，相机100可包括图像传感器108，该图像传感器用于基于由光学透镜102捕获和传输的光来产生图像数据(例如，由电信号表示)。在一些实施方案中，相机100可包括轴向运动音圈马达110。轴向运动音圈马达110可包括具有一个或多个弯曲臂112的悬架组件，该一个或多个弯曲臂用于将光学透镜架104可移动地安装到基座114，其中基座114可机械地固定到相机100的壳体138。在一些实施方案中，轴向运动音圈马达110可包括安装到基座114的一个或多个磁体116，以及固定地安装到透镜架106并通过弯曲臂112安装到基座114的一个或多个聚焦线圈118。在一些实施方案中，聚焦线圈118可承载可与磁体116的磁场相互作用以产生原动力(例如，洛伦兹力)的电流。利用弯曲臂112，原动力可允许包含光学透镜102的透镜组件104相对于图像传感器108移动(例如沿光学透镜102的光轴或z轴)，从而实现相机100的自动对焦(af)功能。
[0028]
在一些实施方案中，相机100还可包括横向运动音圈马达120。横向运动音圈马达120可包括图像传感器内部框架122(其可以是动态平台)；悬架组件，该悬架组件包括用于将图像传感器内部框架122机械地连接到横向运动音圈马达120的图像传感器外部框架126(其可以是静态平台)的一个或多个弯曲臂124；以及一个或多个光学图像稳定(ois)线圈132，该一个或多个ois线圈可移动地安装到图像传感器内部框架122(例如，通过柔性印刷电路134)。在一些实施方案中，ois线圈132可定位在磁体116的磁场内，因此可导致产生原动力(例如，洛伦兹力)。在一些实施方案中，相机100可包括安装到基座114的承载表面端部止挡件136，以用于限制图像传感器内部框架122(和图像传感器108)沿光学透镜102的光轴(例如，z轴)运动。因此，利用弯曲臂124，由ois线圈132引起的原动力可使图像传感器内部框架122连同图像传感器108一起相对于光学透镜102在正交于光学透镜102的光轴(例如，z轴)的一个或多个方向上(例如，沿x轴和/或y轴)移动，从而实现相机100的ois功能。
[0029]
在一些实施方案中，除了用作机械连接之外，(轴向运动音圈马达110的)弯曲臂112和/或(横向运动音圈马达120的)弯曲臂124以及悬架组件的其他部件(例如，内部框架和/或外部框架)也可附接有电迹线，以用于电力和/或信号传输的目的。例如，可在弯曲臂124的一侧或两侧添加一条或多条电迹线130，以(1)将电力从电源输送到图像传感器108(和/或ois线圈132)和/或(2)在图像传感器108与处理器之间传输信号，其中该电源和/或处理器可位于相机100的内部或外部。
[0030]
图2a示出了根据一些实施方案的示例性悬架组件的顶视图。在一些实施方案中，悬架组件200可包括内部框架202、外部框架204，其中该两者可沿内部框架202的周边通过弯曲臂206连接。在该示例中，内部框架202可包括一个或多个突出部203(例如，朝向外部框架204)，而外部框架可包括一个或多个突出部205(例如，朝向内部框架202)。弯曲臂206可耦接到(内部框架202的)突出部203和(外部框架204的)突出部205，从而实现内部框架202与外部框架205之间的连接，如图2a所示。在一些实施方案中，弯曲臂206可根据臂间间距基本上均匀地彼此间隔开。如上所述，利用本文所公开的技术，弯曲臂206之间的臂间间距可
大大减小，例如从几百微米(例如，200μm)减小到几十微米(例如，50μm)。在一些实施方案中，内部框架202和外部框架204可各自包括一个或多个导体垫208和导体垫210。导体垫208和210可分别用作内部框架202和外部框架204的电连接点。例如，图像传感器可放置在内部框架202上，其中图像传感器的输入/输出(i/o)端口可表面安装到导体垫208。导体垫208还可连接到附接到弯曲臂206的电迹线，并且该电迹线可延伸并连接到外部框架204的导体垫210。
[0031]
图2b示出了根据一些实施方案的悬架组件的示例性弯曲臂的剖视图。如图2a所示，图2b中的剖视图对应于由线和两个箭头所指示的位置。出于例证的目的，图2b中仅示出了单一弯曲臂206，但图2a中所指示的位置处的剖视图可包括多个弯曲臂。在该示例中，弯曲臂206可呈t形附接到基板222。在一些实施方案中，弯曲臂206和基板222均可包括金属。例如，弯曲臂206可由铜钛制成，而基板222可包括铜。在一些实施方案中，在基板222和电迹线220d之间可存在绝缘层224和晶种层226。绝缘层224可包括至少一种介电材料，例如聚酰胺、ajinomoto堆积膜(abf)和/或其他介电材料，以在基板222与电迹线220之间提供电绝缘，而晶种层226可包括金属并用于促进在如下所述的一种或多种电铸工艺中将电迹线220沉积到基板222上。在一些实施方案中，可存在覆盖层228(例如绝缘层)来为电迹线220提供保护。需注意，除了t形之外，弯曲臂206可根据需要呈各种形状。例如，弯曲臂206可具有倒t形、沙漏形等形状。
[0032]
图3a至图3l示出了根据一些实施方案的使用负性dfr形成具有电迹线的弯曲臂的示例性工艺。所示的示例性工艺可包括三个部分：光刻(例如，如图3a至图3f所示)、电铸(例如，如图3g至图3i所示)和蚀刻(例如，如图3j至图3l所示)。出于例证的目的，两条电迹线和两个弯曲臂被示出为形成在基板的不同侧处。在一些实施方案中，示例性工艺可用于形成较少或较多的电迹线和弯曲臂，和/或悬架组件的其他部件(例如，内部框架和/或外部框架)。如图3a所示，光刻部分可从在基板305的第一侧处形成一条或多条电迹线320开始。在一些实施方案中，基板305可为薄金属箔，例如厚度为几十微米的铜箔。绝缘层310，例如包括聚酰胺、abf和/或其他介电材料的绝缘层，可用于在基板305的第一侧处涂覆一个或多个区域，以将随后形成的电迹线320与基板305隔离。接下来，可将晶种层315施加在绝缘层310的顶部上。在一些实施方案中，晶种层315可包括导电材料，例如铜。然后，可使用光致抗蚀剂层来覆盖晶种层315。接下来，可通过图案化光掩模将光致抗蚀剂层暴露于uv光，并且可通过使用溶剂(也称为显影剂)溶解暴露的或未暴露的光致抗蚀剂来移除暴露的(例如，在使用正性dfr的情况下)或未暴露的(例如，在使用负性dfr的情况下)区域。结果可以是具有图案化光致抗蚀剂层的基板305，该图案化光致抗蚀剂层可在图案的底部上暴露晶种层315。接下来，可使用增材制造工艺，其中可在阳极和晶种层315上施加电压以将导电材料沉积在暴露的晶种层315上，从而在基板305的第一侧处形成电迹线320。在一些实施方案中，用于形成电迹线320的导电材料可包括镍钴合金或镍钨合金。在一些实施方案中，可施加可包括至少一种介电材料的覆盖层325以覆盖基板305的第一侧处的电迹线320，从而提供对电迹线320的保护。
[0033]
参照图3b，在基板305的第一侧处形成电迹线320之后，可在基板305的第一侧和第二侧(其可与第一侧相对)处添加第一干膜光致抗蚀剂(dfr)层330，例如包括负性光致抗蚀剂。接下来，如图3c所示，可通过图案化光掩模将基板305的第二侧处的dfr层330暴露于紫
外光，以在dfr层330中生成一个或多个图案335。在如图3c所示的该示例中，图案335可包括矩形形状。接下来，如图3d所示，可施加第二dfr层340以涂覆基板305的第二侧，例如，在第二侧处的第一dfr层330的顶部上。在一些实施方案中，dfr层340可包括负性光致抗蚀剂，该负性光致抗蚀剂可与dfr层330的负性光致抗蚀剂相同或不同。重新参照图3e，随后可将第二dfr层340暴露于uv光以在第二dfr层340中生成一个或多个图案345。在如图3e所示的该示例中，图案345可包括连接到图案335但具有与图案335不同尺寸的矩形形状，使得图案335和355一起可以在dfr层330和340中形成一个或多个t形。接下来，参照图3f，可使用溶剂将对应于图案335和345的dfr层330和340的一个或多个部分溶解掉，从而在基板305的第二侧处形成t形腔350。另外，需注意，也可移除基板305的第一侧处的电迹线320之间的dfr层330的一个或多个部分，从而暴露电迹线320之间的基板305。
[0034]
图3g至图3i示出了根据一些实施方案的示例性工艺的下一部分-电铸部分。如图3g所示，在光刻部分之后，可将电路保护层355施加到基板305的第一侧以进一步保护电迹线320。接下来，如图3h所示，可使用一种或多种电铸工艺在基板305的第二侧处的dfr层330和340中形成弯曲臂360。例如，电铸工艺可包括增材制造工艺，其中可在暴露于腔350底部的阳极和基板305上施加电压，以将导电材料沉积在腔350内，从而形成弯曲臂360。在一些实施方案中，用于形成弯曲臂360的导电材料可包括铜钛合金。在如图3h所示的该示例中，弯曲臂360可形成为t形。重新参照图3i，在基板305的第二侧处形成弯曲臂360之后，可移除电路保护层355。
[0035]
图3j至图3l示出了根据一些实施方案的示例性工艺的下一部分-蚀刻部分。如图3j所示，在电铸部分之后，可在基板305的第二侧处施加第三dfr层365以覆盖暴露的弯曲臂360。接下来，如图3k所示，可使用一种或多种蚀刻工艺来移除电迹线320之间的基板305的一个或多个暴露的部分，使得弯曲臂360可彼此分离。最后，如图3l所示，残余dfr层330、340和365可被剥离。
[0036]
如上所述，上述示例性工艺也可用于形成具有电迹线的悬架组件的其他部件，例如内部框架和/或外部框架。例如，一条或多条电迹线可形成在薄箔基板的第一侧处，例如，如上文关于图3a所述。接下来，根据内部框架(和/或外部框架)的尺寸和形状，可在基板的第二侧处的一个或多个dfr层中形成一个或多个腔350，例如，如上文关于图3b至图3f所示。例如，基板的第二侧处的腔可具有用于内部框架(和/或外部框架)的矩形形状(而不是t形)。接下来，例如，如上文在图3g至图3i中所述，可使用一种或多种电铸工艺将材料(例如，铜钛合金和/或其他金属材料)沉积在腔内以形成内部框架。最后，可移除残余光致抗蚀剂，例如，如上文在图3l中所述。
[0037]
图4a示出了根据一些实施方案的用于在dfr层中形成t形腔的一种或多种示例性光刻工艺。如图4a所示，在410处，第一dfr层404和第二dfr层406可在基板402的一侧处覆盖基板402。在一些实施方案中，dfr层404和dfr层406可包括相同或不同的光致抗蚀剂。在410处，dfr层404和406可通过光掩模暴露于uv光，例如405nm波长的uv光，以在dfr层404和406中生成第一图案408。在图4a所示的该示例中，图案408可包括矩形形状。接下来，在图4a中的420处，可使用uv光通过另一光掩模施加另一光刻工艺，以在dfr层406中生成第二图案410。通过使用激光直接成像(ldi)技术，可在示例性光刻工艺中使用不同波长的uv光。例如，可通过将dfr层406暴露于375nm波长的uv光来生成第二图案410。在一些实施方案中，图
案410可具有与图案408相同或不同的形状和/或尺寸。在该示例中，图案410还可包括具有与图案408不同尺寸的矩形形状，因此图案408和410一起可以形成t形。重新参照图4a，在430处，dfr层404和406可根据图案408和410经受溶剂以溶解dfr层404和406的一个或多个部分，从而在dfr层404和406中生成t形腔412。如上所述，例如，参照图3h，接下来可使用一种或多种电铸工艺将材料沉积到腔412中以形成悬架组件的部分(例如，t形弯曲臂)。
[0038]
图4b示出了根据一些实施方案的用于在dfr层中形成倒t形腔的一种或多种示例性光刻工艺。如图4b所示，在440处，可施加第一dfr层474以在基板472的一侧处涂覆基板472。在440处，dfr层474可通过光掩模暴露于uv光，例如405nm波长的uv光，以在dfr层474中生成图案478。接下来，在450处，可将第二dfr层476施加在第一dfr层474的顶部并通过另一光掩模暴露于uv光，例如与440相同的uv光(例如405nm波长的uv光)或不同波长的uv光(例如375nm波长的uv光)，以在dfr层476中生成图案480。在如图4b所示的该示例中，图案478和480一起可以形成倒t形。接下来，在460处，对应于图案478和480的dfr层474和476的一个或多个部分可被溶解掉，以生成倒t形腔482。
[0039]
图5a至图5j示出了根据一些实施方案的使用负性dfr和正性dfr两者形成具有电迹线的弯曲臂的示例性工艺。与图3所示的示例性工艺类似，图5中的示例性工艺也可被分成三个部分：光刻(例如，如图5a至图5d所示)、电铸(例如，如图5e至图5g所示)和蚀刻(例如，如图5h至图5j所示)。如图5a所示，可使用如上文关于图3a所述的一种或多种电铸工艺在基板505的第一侧处形成电迹线520。需注意，在基板505的第一侧处可存在绝缘层510、晶种层515和覆盖层525，如图5a所示。接下来，如图5b所示，可在基板505的第一侧和第二侧处施加第一dfr层530(包括负性dfr)和第二dfr层535(包括正性dfr)，其中该第二侧可与该第一侧相对。负性和正性dfr之间的一个差异可能与负性和正性光致抗蚀剂的光敏特性相关联。例如，就正性光致抗蚀剂而言，正性光致抗蚀剂可被光降解，并且溶剂可溶解掉暴露于光的区域，从而留下放置掩模的涂层。相比之下，就负性光致抗蚀剂而言，负性光致抗蚀剂可被光增强(聚合或交联)，并且溶剂可仅溶解掉未暴露于光的区域，从而在未放置掩模的区域中留下涂层。此外，正性光致抗蚀剂可能能够保持其尺寸和图案，因为溶剂可能不容易渗透尚未暴露于uv光的区域。相比之下，溶剂可渗透负性光致抗蚀剂的暴露区域和未暴露区域两者，这可导致图案失真。因此，在一些实施方案中，正性dfr可用于实现更好的分辨率要求，尤其是用于生成复杂的图案或形状。需注意，在一些实施方案中，可将正性dfr施加到基板505的两侧，例如，以便保持工艺稳定性。
[0040]
重新参照图5c，负性dfr层530和正性dfr层535均可暴露于uv光，以在负性dfr层530(在基板505的第一侧处)中生成图案545并在正性dfr层535(在基板505的第二侧处)中生成图案540。在该示例中，图案445可具有矩形形状，该矩形形状可能比图案540的沙漏形状简单许多(因此可选择使用正性dfr 535)。接下来，如图5d所示，可例如使用溶剂去除dfr层430和535的一个或多个部分，以在基板505的第二侧处的正性dfr层535中生成一个或多个沙漏形腔550，以及去除基板505的第一侧处的电迹线520之间的负性dfr层530。
[0041]
图5e至图5g示出了根据一些实施方案的示例性工艺的下一部分-电铸部分。如图5e所示，在光刻部分之后，可将电路保护层555施加到基板305的第一侧以进一步保护电迹线520。接下来，如图5f所示，可使用一种或多种电铸工艺在基板505的第二侧处形成沙漏形的悬架组件的一个或多个部分，例如弯曲臂560。例如，电铸工艺可包括将导电材料(例如，
铜钛合金)沉积在腔550内以形成弯曲臂560的增材制造工艺。重新参照图5g，在基板505的第二侧处形成弯曲臂560之后，可移除电路保护层555。
[0042]
图5h至图5i示出了根据一些实施方案的示例性工艺的下一部分-蚀刻部分。如图5h所示，在电铸部分之后，可在基板505的第二侧处施加第三dfr层565以覆盖暴露的弯曲臂560。接下来，如图5i所示，可施加一种或多种蚀刻工艺以移除电迹线520之间的基板505。最后，如图5j所示，残余dfr层530、535和565可被剥离。
[0043]
如上所述，图3和图5中的示例性工艺可基于薄基板(例如，基板305和505)诸如几十微米厚的薄铜箔来实现。在一些实施方案中，悬架组件连同电迹线也可基于相对较厚的基板(例如几百微米的铜钛薄片)形成。该示例性工艺可包括与上文图3和图5所示的示例性工艺中的那些类似的一个或多个步骤。例如，该示例性工艺可从蚀刻铜钛薄片的一个或多个部分开始，以生成几十微米厚的薄箔。薄箔可与基板，例如上文关于图3和图5所述的基板305和505类似。接下来，可使用光刻、电铸和蚀刻工艺(诸如上文图3a至图3l和图5a至图5j所示的那些)从由铜钛薄片制成的薄箔形成电迹线和悬架组件的一个或多个部件，例如，一个或多个弯曲臂。在该示例性工艺开始时未被蚀刻的其余铜钛薄片可直接用作悬架组件的内部框架和/或外部框架。该示例性工艺可能尤其适用于可直接使用基板(无需电铸)来形成内部框架和/或外部框架的情形。
[0044]
图6示出了根据一些实施方案的具有可折叠外部框架的示例性悬架组件。在该示例中，悬架组件600可包括内部框架602，该内部框架可通过一个或多个弯曲臂606机械地耦接到外部框架604。在该示例中，悬架组件600可被设计成使得外部框架604可相对于内部框架602折叠成一角度。例如，外部框架604可沿内部框架602和604之间的周边折叠(如虚线610所示)，沿z轴相对于内部框架602折叠到高达例如-180
°
至180
°
范围内的角度。这可允许悬架组件600的尺寸在一个或多个方向上进一步减小，例如，在如图6所示的x轴和y轴上。此外，这可提供关于电迹线和/或图像传感器到外部框架604和/或内部框架602的连接的附加灵活性。例如，通过将外部框架604相对于内部框架602从零折叠到90
°
，一条或多条电迹线现在可能能够在竖直位置(而不是在水平位置)附接到外部框架604的对应导体垫。
[0045]
图7示出了根据一些实施方案的如本文关于图1至图6所述的可包括具有一个或多个悬架组件的相机的示例性设备700的示意图。在一些实施方案中，设备700可以为移动设备和/或多功能设备。在各种实施方案中，设备700可以为各种类型的设备中的任何一种设备，包括但不限于：个人计算机系统、台式计算机、膝上型电脑、笔记本电脑、平板计算机、一体电脑、平板电脑或上网本电脑、大型计算机系统、手持式计算机、工作站、网络计算机、相机、机顶盒、移动设备、增强现实(ar)和/或虚拟现实(vr)头戴式耳机、消费设备、视频游戏控制器、手持式视频游戏设备、应用服务器、存储设备、电视、视频录制设备、外围设备(诸如交换机、调制解调器、路由器)或一般性的任何类型的计算或电子设备。
[0046]
在一些实施方案中，设备700可包括显示系统702(例如，包括显示器和/或触敏表面)和/或一个或多个相机704。在一些非限制性实施方案中，显示系统702和/或一个或多个前向相机704a可设置在设备700的前侧处，例如，如图7所示。附加地或另选地，一个或多个后向相机704b可设置在设备700的后侧处。在包括多个相机704的一些实施方案中，相机中的一些相机或所有相机可彼此相同或类似。附加地或另选地，相机中的一些相机或所有相机可彼此不同。在各种实施方案中，相机704的位置和/或布置可不同于图7所示的那些相
机。
[0047]
除了别的以外，设备700可包括存储器706(例如，包括操作系统708和/或应用程序/程序指令710)、一个或多个处理器和/或控制器712(例如，包括cpu、存储器控制器、显示器控制器和/或相机控制器等)和/或一个或多个传感器716(例如，方向传感器、接近传感器和/或位置传感器等)。在一些实施方案中，设备700可经由一个或多个网络722与一个或多个其他设备和/或服务(诸如计算设备718、云服务720等)进行通信。例如，设备700可包括网络接口(例如，网络接口810)，该网络接口使设备700能够向网络722传输数据并且能够从该网络接收数据。附加地或另选地，设备700能够使用各种通信标准、协议和/或技术中的任一者经由无线通信与其他设备进行通信。
[0048]
图8示出了根据一些实施方案的例如参照本文图1至图7所述的可包括具有一个或多个悬架组件的相机的示例性计算设备的示意性框图。此外，计算机系统800可以实现用于控制相机的操作和/或用于对用相机捕获的图像执行图像处理的方法。在一些实施方案中，附加地或另选地，设备700(本文参照图7所述)可包括本文所述的计算机系统800的功能部件中的一些功能部件或全部功能部件。
[0049]
计算机系统800可被配置为执行上述实施方案中的任一个实施方案或所有实施方案。在不同的实施方案中，计算机系统800可以为各种类型的设备中的任何一种设备，包括但不限于：个人计算机系统、台式计算机、膝上型电脑、笔记本电脑、平板计算机、一体电脑、平板电脑或上网本电脑、大型计算机系统、手持式计算机、工作站、网络计算机、相机、机顶盒、移动设备、增强现实(ar)和/或虚拟现实(vr)头戴式耳机、消费设备、视频游戏控制器、手持式视频游戏设备、应用服务器、存储设备、电视、视频录制设备、外围设备(诸如交换机、调制解调器、路由器)或一般性的任何类型的计算或电子设备。
[0050]
在例示的实施方案中，计算机系统800包括经由输入/输出(i/o)接口806耦接到系统存储器804的一个或多个处理器802。计算机系统800还包括耦接到i/o接口806的一个或多个相机808。计算机系统800还包括耦接到i/o接口806的网络接口810和一个或多个输入/输出设备812，诸如光标控制设备814、键盘816和显示器818。在一些情况下，可以想到实施方案可以使用计算机系统800的单个实例来实现，而在其他实施方案中，多个此类系统或者构成计算机系统800的多个节点可被配置为托管实施方案的不同部分或实例。例如，在一个实施方案中，一些元素可以经由计算机系统800的与实现其他元素的那些节点不同的一个或多个节点来实现。
[0051]
在各种实施方案中，计算机系统800可以为包括一个处理器802的单处理器系统、或者包括若干个处理器802(例如两个、四个、八个或另一合适数量)的多处理器系统。处理器802可以为能够执行指令的任何合适的处理器。例如，在各种实施方案中，处理器802可以为实现多种指令集架构(isa)(诸如x86、powerpc、sparc或mips isa或任何其他合适的isa)中的任一种的通用或嵌入式处理器。在多处理器系统中，每个处理器802通常可以但并非必须实现相同的isa。
[0052]
系统存储器804可被配置为存储能够通过处理器802访问的程序指令820。在各种实施方案中，系统存储器804可以使用任何合适的存储器技术来实现，所述合适的存储器技术为诸如静态随机存取存储器(sram)、同步动态ram(sdram)、非易失性/闪存型存储器或任何其他类型的存储器。另外，存储器804的现有相机控制数据822可包括上述信息或数据结
构中的任一者。在一些实施方案中，程序指令820和/或数据822可被接收、发送或存储在与系统存储器804或计算机系统800分开的不同类型的计算机可访问介质上或类似介质上。在各种实施方案中，本文所述的一些功能或全部功能可以经由此类计算机系统800来实现。
[0053]
在一个实施方案中，i/o接口806可被配置为协调设备中的处理器802、系统存储器804和任何外围设备(包括网络接口810或其他外围设备接口，诸如输入/输出设备812)之间的i/o通信。在一些实施方案中，i/o接口806可执行任何必要的协议、定时或其他数据转换以将来自一个部件(例如，系统存储器804)的数据信号转换为适于由另一部件(例如，处理器802)使用的格式。在一些实施方案中，i/o接口806可以包括对例如通过各种类型的外围总线(诸如，外围部件互连(pci)总线标准或通用串行总线(usb)标准的变型)附接的设备的支持。在一些实施方案中，i/o接口806的功能例如可划分到两个或更多个单独部件中，诸如北桥接件和南桥接件。此外，在一些实施方案中，i/o接口806(诸如到系统存储器804的接口)的功能中的一些或全部可直接并入处理器802中。
[0054]
网络接口810可被配置为允许在计算机系统800与附接到网络824的其他设备(例如，携载件或代理设备)之间或者在计算机系统800的节点之间交换数据。在各种实施方案中，网络824可包括一种或多种网络，包括但不限于局域网(lan)(例如，以太网或企业网)、广域网(wan)(例如，互联网)、无线数据网、某种其他电子数据网络或它们的某种组合。在各种实施方案中，网络接口810可支持经由有线或无线通用数据网络(诸如任何合适类型的以太网网络)的通信，例如；经由电信/电话网络(诸如模拟语音网络或数字光纤通信网络)的通信；经由存储区域网络(诸如光纤通道sans)、或经由任何其他合适类型的网络和/或协议的通信。
[0055]
在一些实施方案中，输入/输出设备812可包括一个或多个显示终端、键盘、小键盘、触控板、扫描设备、语音或光学识别设备、或者适于由一个或多个计算机系统800输入或访问数据的任何其他设备。多个输入/输出设备812可存在于计算机系统800中，或者可分布在计算机系统800的各个节点上。在一些实施方案中，类似的输入/输出设备可以与计算机系统800分开，并且可通过有线或无线连接(诸如通过网络接口810)与计算机系统800的一个或多个节点进行交互。
[0056]
本领域的技术人员应当理解，计算机系统900仅仅是例示性的，而并非旨在限制实施方案的范围。具体地，计算机系统和设备可包括可执行所指出的功能的硬件或软件的任何组合，包括计算机、网络设备、互联网设备、pda、无线电话、寻呼机等。计算机系统900还可连接到未示出的其他设备，或者反之可作为独立的系统进行操作。此外，由所示出的部件所提供的功能在一些实施方案中可被组合在更少的部件中或者被分布在附加部件中。类似地，在一些实施方案中，所示出的部件中的一些部件的功能可不被提供，和/或其他附加功能可能是可用的。
[0057]
本领域的技术人员还将认识到，虽然各种项目被示出为在被使用期间被存储在存储器中或存储装置上，但是为了存储器管理和数据完整性的目的，这些项目或其部分可在存储器和其他存储设备之间进行传输。另选地，在其他实施方案中，这些软件部件中的一些或全部软件部件可以在另一设备上的存储器中执行，并且经由计算机间通信来与例示的计算机系统进行通信。系统部件或数据结构中的一些或全部也可(例如作为指令或结构化数据)被存储在计算机可访问介质或便携式制品上以由合适的驱动器读取，其多种示例在上
文中被描述。在一些实施方案中，存储在与计算机系统900分开的计算机可访问介质上的指令可经由传输介质或信号(诸如经由通信介质诸如网络和/或无线链路而传送的电信号、电磁信号或数字信号)传输到计算机系统900。各种实施方案还可包括在计算机可访问介质上接收、发送或存储根据以上描述所实现的指令和/或数据。一般来讲，计算机可访问介质可包括非暂态计算机可读存储介质或存储器介质，诸如磁介质或光学介质，例如盘或dvd/cd-rom、易失性或非易失性介质，诸如ram(例如sdram、ddr、rdram、sram等)、rom等。在一些实施方案中，计算机可访问介质可包括传输介质或信号，诸如经由通信介质诸如网络和/或无线链路而传送的电气信号、电磁信号、或数字信号。
[0058]
在不同的实施方案中，本文所述的方法可以在软件、硬件或它们的组合中实现。此外，可改变方法的框的次序，并且可对各种要素进行添加、重新排序、组合、省略、修改等。对于受益于本公开的本领域的技术人员，显然可做出各种修改和改变。本文所述的各种实施方案旨在为例示的而非限制性的。许多变型、修改、添加和改进是可能的。因此，可为在本文中被描述为单个示例的部件提供多个示例。各种部件、操作和数据存储库之间的界限在一定程度上是任意性的，并且在具体的示例性配置的上下文中示出了特定操作。预期了功能的其他分配，它们可落在所附权利要求的范围内。最后，被呈现为示例性配置中的分立部件的结构和功能可被实现为组合的结构或部件。这些和其他变型、修改、添加和改进可落入如以下权利要求书中所限定的实施方案的范围内。