半导体封装件、半导体装置、半导体封装件搭载设备、以及半导体装置搭载设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装件，具备：模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，上述模块基板包含配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方的第一金属膜，上述第一金属膜与上述凸块电连接，并且到达上述模块基板的侧面，还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，上述侧面部在上述模块基板的侧面与上述第一金属膜热结合。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，上述金属部件是具有上述顶面部以及上述侧面部的金属帽，上述侧面部经由由焊料或者导热膏体构成的导热接合材料与上述第一金属膜热结合。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，还具备密封上述半导体芯片的密封树脂，上述金属部件包含覆盖上述密封树脂的表面以及上述模块基板的侧面的由金属构成的覆盖膜，上述覆盖膜在上述模块基板的侧面与上述第一金属膜连接。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成于上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，上述金属部件的上述顶面部与上述背面金属膜热结合。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，还具备印刷电路基板，该印刷电路基板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述印刷电路基板包含从一方的表面到达另一方的表面的金属部分，上述顶面部经由上述印刷电路基板的金属部分与上述背面金属膜热结合。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，还具备导热板，该导热板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述顶面部经由上述导热板与上述背面金属膜热结合。7.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成在上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，在上述密封树脂设置有从上述密封树脂的顶面到达上述背面金属膜的开口，上述覆盖膜通过设置于上述密封树脂的开口与上述背面金属膜热结合。8.一种半导体封装件，具备：模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；以及半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面，上述模块基板包含：金属焊盘，配置于在俯视时不与上述半导体芯片重合的区域的上表面；第一金属膜，配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方；以及通孔导体，配置在俯视时与上述半导体芯片重合的位置，从上述模块基板的上表面到
达下表面，并与上述凸块电连接，上述金属焊盘经由上述第一金属膜与上述通孔导体电连接，还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，且在俯视时包含上述半导体芯片，上述侧面部从上述顶面部朝向上述模块基板延伸，上述侧面部与上述金属焊盘热结合。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，上述金属部件是具有上述顶面部以及上述侧面部的金属帽，上述侧面部经由由焊料或者导热膏体构成的导热接合材料与上述金属焊盘连接。10.根据权利要求8或者9所述的半导体封装件，其中，还具备背面金属膜，该背面金属膜形成于上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，上述顶面部与上述背面金属膜热结合。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，还具备印刷电路基板，该印刷电路基板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述印刷电路基板包含从一方的表面到达另一方的表面的金属部分，上述顶面部经由上述印刷电路基板的金属部分与上述背面金属膜热结合。12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，还具备导热板，该导热板配置在上述背面金属膜与上述顶面部之间，上述顶面部经由上述导热板与上述背面金属膜热结合。13.一种半导体装置，具备：半导体封装件，包含具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面的模块基板、以及安装于上述模块基板的上表面的半导体芯片；以及母基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，在上表面安装上述半导体封装件，上述母基板包含配置在上表面中不与上述半导体封装件重合的区域的金属焊盘、和配置于上述母基板的下表面以及内层的至少一方的第二金属膜，上述半导体封装件与上述金属焊盘经由上述第二金属膜电连接，还具备具有顶面部以及侧面部的金属部件，上述顶面部以上述母基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体封装件高的位置，并且在俯视时包含上述半导体封装件，上述侧面部从上述顶面部朝向上述母基板延伸，上述侧面部与上述金属焊盘热结合。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，上述半导体封装件还包含密封上述半导体芯片的密封树脂，上述金属部件包含覆盖上述密封树脂的顶面和侧面、以及上述模块基板的侧面的由金属构成的覆盖膜。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，上述半导体封装件还具备背面金属膜，该背面金属膜形成于上述半导体芯片的与朝向上述模块基板的面相反侧的面，
在上述密封树脂设置有从上述密封树脂的顶面到达上述背面金属膜的开口，上述覆盖膜通过设置于上述密封树脂的开口与上述背面金属膜热结合。16.根据权利要求14或者15所述的半导体装置，还具备：金属帽，覆盖在上述半导体封装件上，并固定于上述母基板；以及热结合部件，配置在上述覆盖膜与上述金属帽之间，并使上述覆盖膜与上述金属帽热结合。17.一种半导体装置，具备：半导体封装件；以及母基板，在一方的表面亦即上表面安装上述半导体封装件，上述半导体封装件包含：模块基板，具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面；半导体芯片，设置多个凸块，并经由上述凸块安装于上述模块基板的上表面；以及金属部件，具有顶面部以及侧面部，上述顶面部以上述模块基板的上表面为高度的基准配置在比上述半导体芯片高的位置，并且在俯视时包含上述半导体封装件，上述侧面部从上述顶面部朝向上述母基板延伸，上述模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方，并从上述凸块到达上述侧面部的第一导热路径，上述母基板包含在俯视时与上述半导体芯片重合的位置与上述凸块热结合，并在上述半导体芯片的外侧与上述侧面部热结合的第二导热路径。18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，上述第一导热路径包含：第一金属膜，配置于上述模块基板的下表面以及内层的至少一方，在俯视时从上述半导体芯片的内侧扩展至外侧；以及第一通孔导体，配置于上述模块基板的内部，使上述凸块与上述第一金属膜连接，上述第二导热路径包含：第二金属膜，配置于上述母基板的下表面以及内层的至少一方，在俯视时从上述半导体芯片的内侧扩展至外侧；以及第二通孔导体，配置于上述母基板的内部，配置在俯视时与上述半导体芯片重合的位置，并将上述第二金属膜与上述第一通孔导体电连接，上述第二金属膜在俯视时在上述半导体芯片的外侧与上述侧面部热结合。19.一种半导体封装件搭载设备，具备：权利要求1～12中任意一项所述的半导体封装件；壳体，收容上述半导体封装件；以及热结合部件，使上述顶面部与上述壳体热结合。20.一种半导体装置搭载设备，具备：权利要求13～18中任意一项所述的半导体装置；壳体，收容上述半导体装置；以及热结合部件，使上述顶面部与上述壳体热结合。

技术总结
提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件。模块基板具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，设置了多个凸块的半导体芯片经由凸块安装于模块基板的上表面。模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方的第一金属膜。第一金属膜与凸块电连接，并且到达模块基板的侧面。金属部件的顶面部以模块基板的上表面为高度的基准配置在比半导体芯片高的位置。顶面部在俯视时包含半导体芯片。金属部件具有从顶面部朝向模块基板延伸的侧面部。侧面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。


技术研发人员：近藤将夫 佐佐木健次 小屋茂树
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.08.19
技术公布日：2022/2/23