一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.液晶显示器(liquid crystal display，lcd)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。液晶显示面板作为液晶显示器的重要组件，在制作过程中，需要将液晶显示器的两块基板对盒密封。
3.现有技术中，液晶显示面板主要利用边框胶进行封装，即通过边框胶将阵列基板和对向基板粘结在一起。如图1所示，显示面板边框胶涂覆可通过起笔点与终止点重合的一笔连续涂覆方式来提高工作效率。但采用该方式进行边框胶涂覆时，存在重复涂覆边框胶的框胶重合区，由于边框胶重复涂覆，框胶重合区的边框胶厚度比正常涂覆区的边框胶厚度高，边框胶的厚度差异会造成产品的厚度不均，进而影响产品的显示质量。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置，用以提高显示面板的厚度均一性。
5.本技术实施例提供的一种显示面板，显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的边框胶；
6.阵列基板具有：显示区，以及包围显示区的涂胶区，边框胶涂布于涂胶区；涂胶区包括：单次涂胶区，以及重复涂胶区；
7.阵列基板包括：第一衬底基板，对应重复涂胶区的第一衬底基板上形成有凹槽，所述凹槽内设置有遮光部，所述遮光部具有多个透光区，边框胶在第一衬底基板的正投影与遮光部在第一衬底基板的正投影具有交叠区域。
8.可选地，凹槽的深度小于等于边框胶在单次涂胶区的厚度。
9.可选地，阵列基板还包括：位于凹槽内的挡墙结构；挡墙结构至少位于遮光部靠近显示区的一侧。
10.可选地，挡墙结构还位于遮光部背离显示区的一侧。
11.可选地，挡墙结构的厚度大于遮光部的厚度。
12.可选地，遮光部与凹槽的侧壁之间包括间隔设置的多个挡墙结构。
13.可选地，多个挡墙结构具有高度差；
14.最靠近重复涂胶区的挡墙结构的边缘与重复涂胶区的边缘重合。
15.可选地，每一显示区包括阵列排布的多个子像素；子像素包括晶体管；
16.阵列基板具体包括：位于第一衬底基板靠近对向基板一侧的第一导电层，位于第一导电层背离第一衬底基板一侧的第二导电层；
17.在显示区，第一导电层包括晶体管的栅极，第二导电层包括晶体管的源极和漏极；
18.在重复涂胶区，第一导电层和/或第二导电层包括遮光部。
19.可选地，阵列基板还包括：位于第一导电层和第二导电层之间的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层和第二导电层之间的有源层，位于有源层和第二导电层之间的源漏极接触层，位于第二导电层背离源漏极接触层一侧的钝化层，位于钝化层背离第二导电层一侧的第三导电层；
20.挡墙结构至少包括下列之一或其组合：第一导电层、栅极绝缘层、有源层、源漏极接触层、第二导电层、钝化层、第三导电层。
21.本技术实施例提供的一种显示装置，显示装置包括：本技术实施例提供的显示面板。
22.本技术实施例提供的显示面板及显示装置，在阵列基板的第一衬底基板上形成有对应重复涂胶区的凹槽，使得重复涂胶区的边框胶能够填充于凹槽内，从而可以降低重复涂胶区阵列基板的厚度。并且在凹槽内设置具有透光区的遮光部，从而可以减少重复涂胶区的透光面积，减小边框胶固化光照量，进而降低边框胶固化速度，未固化的边框胶向边缘溢出，更有利于降低边框胶的厚度，进一步降低重复涂胶区阵列基板的厚度，可以避免显示面板在重复涂胶区的厚度与其余区域厚度不一致的问题，从而提高显示面板的厚度均一性。并且，本技术实施例提供的显示面板，至少在凹槽内靠近显示区一侧设置挡墙结构，可以阻挡未固化的边框胶过溢对显示区的结构造成影响。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为相关技术提供的一笔连续涂覆的示意图；
25.图2为本技术实施例提供的一种显示面板的示意图；
26.图3为本技术实施例提供的沿图2中aa’的截面图；
27.图4为本技术实施例提供的一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
28.图5为本技术实施例提供的另一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
29.图6为本技术实施例提供的又一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
30.图7为本技术实施例提供的又一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
31.图8为本技术实施例提供的又一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
32.图9为本技术实施例提供的又一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
33.图10为本技术实施例提供的又一种显示面板中阵列基板的结构示意图；
34.图11为本技术实施例提供的一种显示面板中遮光层的俯视图；
35.图12为本技术实施例提供的另一种显示面板中遮光层的俯视图；
36.图13为本技术实施例提供的又一种显示面板中遮光层的俯视图。
具体实施方式
37.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申
请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
39.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本技术内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
40.本技术实施例提供了一种显示面板，如图2、图3所示，显示面板包括：相对设置的阵列基板7和对向基板8，以及位于阵列基板7和对向基板8之间的边框胶9；
41.阵列基板7具有：显示区1，包围所述显示区1的涂胶区2，边框胶9涂布于涂胶区2；涂胶区2包括：单次涂胶区3，以及重复涂胶区4；
42.阵列基板7包括：第一衬底基板10，对应重复涂胶区4的第一衬底基板10上形成有凹槽25，所述凹槽25内设置有遮光部11，所述遮光部具有多个透光区12，边框胶9在第一衬底10的正投影与遮光部11在第一衬底基板10的正投影具有重叠区域。
43.需要说明的是，在单次涂胶区仅进行一次边框胶涂覆，在重复涂胶区进行至少两次边框胶涂覆。即单次涂胶区边框胶的厚度小于重复涂胶区边框胶的厚度。边框胶涂覆后需要通过光照固化。
44.本技术实施例提供的显示面板，在重复涂胶区4的第一衬底基板10上形成有凹槽25，使得所述重复涂胶区4的边框胶填充于凹槽25内，从而可以降低重复涂胶区4阵列基板7的厚度。而在凹槽25内设置具有多个透光区12的遮光部11，可以减少重复涂胶区4的透光面积，从而减小边框胶固化光照量，进而降低边框胶固化速度，未固化的边框胶向边缘溢出，更有利于降低重复涂胶区4的边框胶的厚度，从而进一步降低重复涂胶区4阵列基板7的厚度，避免显示面板在重复涂胶区4的厚度与其余区域厚度不一致的问题，提高显示面板的厚度均一性。
45.需要说明的是，图3例如可以是沿图2中aa’的截面图。
46.在具体实施时，边框胶例如可以采用一笔涂覆工艺形成。一笔涂覆是指通过起笔点与终止点重合的一笔连续涂覆的工艺。例如，如图2所示，一笔涂覆的起笔点与终止点为a点，从a点开始沿路径5进行边框胶涂覆，并将a点作为涂覆终止点。这样在a点进行了重复涂胶，该区域边框胶的厚度大于其他涂胶区。
47.需要说明的是，图2仅对一种一笔连续涂覆的路径进行举例说明，在具体实施时可以根据需要设置一笔连续涂覆的路径。
48.需要说明的是，本技术实施例提供的显示面板可以通过切割显示母板获得。显示母板包括多个面板区，对显示母板切割后便可以获得与面板区对应的多个显示面板。在具体实施时，可以对每一显示面板区域单独进行如图2所示的路径的一笔连续涂覆的工艺。当
然，也可以如图1所示的路径，对多个面板区进行一笔涂覆工艺，重复涂胶区除了包括起笔点和终止点，还包括面板区之间的区域，此时可以在对应重复涂胶区的周边区设置凹槽结构填充重复涂覆的边框胶，凹槽内设置遮光部和透光区，从而降低重复涂胶区边框胶的厚度，提高显示面板的厚度均一性。即在具体实施时，显示母板制备过程中，任意重复涂胶区对应的区域均可设置填充边框胶的凹槽，并在凹槽内设置具有透光区的遮光部。
49.在一些实施例中，如图3所示，边框胶9在第一衬底基板10的正投影覆盖遮光部11在第一衬底基板10的正投影。
50.在一些实施例中，如图3所示，遮光部11在第一衬底基板10的正投影落入边框胶9在第一衬底10的正投影内。
51.或者，在一些实施例中，边框胶在第一衬底的正投影落入遮光部在第一衬底基板的正投影内。即遮光部的宽度也大于边框胶在重复涂胶区的宽度。
52.在具体实施时，在垂直于重复涂胶区内边框胶的延伸方向上，遮光部的宽度小于或等于凹槽的宽度。
53.在一些实施例中，凹槽的深度小于等于边框胶在单次涂胶区的厚度。
54.在一些实施例中，如图4、图5、图6、图7所示，阵列基板还包括：位于凹槽25内的挡墙结构13；挡墙结构13位于遮光部11与凹槽25的侧壁之间。且遮光部11、挡墙结构13以及与挡墙结构13相邻的凹槽25的侧壁的排列方向，垂直于该重复涂胶区4中边框胶的涂布方向。
55.接下来以包括起笔点和终止点的重复涂胶区对应的凹槽内设置挡墙结构为例进行举例说明。
56.在一些实施例中，如图4所示，挡墙结构13至少位于遮光部11靠近显示区的一侧。
57.需要说明的是，图4例如可以是沿图2中aa’的阵列基板的截面图。
58.在具体实施时，由于凹槽内设置有遮光部可以降低边框胶固化速度，但边框胶可能会出现过溢风险，即边缘溢出的边框胶可能会越过凹槽到达显示区。本技术实施例提供的显示面板，在凹槽内的遮光部靠近显示区一侧设置挡墙结构，可以阻挡未固化的边框胶过溢对显示区的结构造成影响。
59.在一些实施例中，如图5所示，挡墙结构13还位于遮光部11背离显示区的一侧。
60.即遮光部靠近显示区一侧以及远离显示区一侧均设置挡墙结构。从而可以进一步阻挡边框胶过溢。
61.需要说明的是，挡墙结构用于阻挡边框胶过溢，即在未出现边框胶过溢的理想情况下墙结构位于重复涂胶区的边框胶与凹槽侧壁之间。在一些实施例中，如图5所示，挡墙结构13位于重复涂胶区4两侧。
62.在一些实施例中，如图4、5所示，遮光部11与凹槽25侧壁之间包括一个挡墙结构13。
63.图4中，遮光部11靠近显示区的一侧，遮光部11与凹槽25侧壁之间仅包括一个挡墙结构13。图5中，遮光部11靠近显示区的一侧以及远离显示区的一侧，遮光部11与凹槽25侧壁之间均仅包括一个挡墙结构13。
64.或者，在一些实施例中，如图6所示，遮光部11与凹槽25侧壁之间包括间隔设置的多个挡墙结构13。
65.这样可以进一步阻挡未固化的边框胶过溢到凹槽之外的区域。
66.在一些实施例中，如图6所示，在遮光部11靠近显示区的一侧，遮光部11与凹槽25侧壁之间包括间隔设置的多个挡墙结构13，在遮光部11远离显示区的一侧，遮光部11与凹槽25侧壁之间也包括间隔设置的多个挡墙结构13。
67.需要说明的是，图6中以遮光部每侧设置两个挡墙结构为例进行举例说明，在具体实施时可以根据实际需要设置遮光部每侧挡墙结构的数量。
68.在一些实施例中，如图5、图6所示，最靠近重复涂胶区4的挡墙结构的边缘与重复涂胶区的边缘重合。即通过挡墙结构限定重复涂胶区中边框胶涂覆及外溢的区域。
69.在一些实施例中，如图6所述，多个挡墙结构13的厚度相同。
70.或者，在一些实施例中，如图7所示，在遮光部11与凹槽25的侧壁之间的多个挡墙结构13具有高度差。
71.这样具有高度差的多个挡墙可以在边框胶涂覆之后对外溢的边框胶缓冲阻挡，提高多个挡墙结构对未固化的边框胶的阻挡效果，避免未固化的边框胶过溢。
72.在一些实施例中，靠近凹槽侧壁的挡墙结构的厚度大于靠近遮光部的挡墙结构的厚度。阶梯厚度的多个挡墙可以在边框胶涂覆之后对外溢的边框胶缓冲阻挡，提高多个挡墙结构对未固化的边框胶的阻挡效果，避免未固化的边框胶过溢。
73.在一些实施例中，如图4、图5、图6、图7所示，挡墙结构的厚度大于遮光部的厚度。
74.从而可以确保挡墙结构能够阻挡未固化的边框胶过溢。
75.在具体实施时，挡墙结构的厚度可以小于或等于凹槽的深度。
76.在一些实施例中，挡墙结构的厚度大于等于3000埃且小于等于15000埃。
77.在一些实施例中，遮光部可以包括单层遮光层，也可以包括叠层设置的多层遮光层。在一些实施例中，遮光层的厚度约为500埃。
78.需要说明的是，在具体实施时，除了可以在包括起笔点和终止点的重复涂胶区对应的凹槽内设置挡墙结构，当重复涂胶区还包括面板区之间的区域时，该重复涂胶区对应的凹槽内也可以设置挡墙结构，以阻挡边框胶溢流。
79.即本技术实施例对于任意重复涂胶区，均可以设置挡墙结构。
80.在具体实施时，对于任意重复涂胶区，挡墙结构可以位于遮光部与凹槽的侧壁之间，且遮光部、挡墙结构以及与挡墙结构相邻的凹槽的侧壁的排列方向，垂直于该重复涂胶区中边框胶的涂布方向。即挡墙结构在垂直于该重复涂胶区中边框胶的涂布方向上，至少位于遮光部的一侧。
81.在具体实施时，对于任意重复涂胶区，在垂直于重复涂胶区中边框胶的涂布方向上，遮光部与凹槽的侧壁之间可以包括一个或多个挡墙结构。在具体实施时，对于任意重复涂胶区，当遮光部与凹槽的侧壁之间包括多个挡墙结构时，多个挡墙结构的厚度可以相同，多个挡墙结构之间也可以具有高度差。
82.在一些实施例中，每一显示区包括阵列排布的多个子像素；子像素包括晶体管。
83.在一些实施例中，如图4、图5、图7、图8、图9、图10所示，阵列基板具体包括：位于第一衬底基板10靠近对向基板一侧的第一导电层14，位于第一导电层14背离第一衬底基板10一侧的第二导电层15；
84.在显示区，如图8所示，第一导电层14包括晶体管的栅极g，第二导电层15包括晶体管的源极s和漏极d；
85.在重复涂胶区，如图4、图5、图9、图10所示，第一导电层14和/或第二导电层15包括遮光部11。
86.即在具体实施时，遮光部可以与晶体管的栅极同层设置，或者，遮光部可以与晶体管的源极和漏极同层设置，或者，在重复涂胶区遮光部还可以包括堆叠的遮光层，该区域堆叠的遮光部既包括与晶体管的栅极同层设置的部分又包括与晶体管的源极和漏极同层设置的部分。
87.需要说明的是，在阵列基板制备过程中，阵列基板各膜层通常需要进行图形化工艺，图形化工艺例如包括：成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离的步骤，各膜层的图案取决于曝光工艺使用的光罩的图案。
88.需要说明的是，晶体管的栅极、源极、漏极通常包括遮光金属材料，因此本技术实施例提供的显示面板中，遮光部与晶体管的栅极和/或源漏极同层设置，改变原有光罩图案，便可以在一次图形化工艺中形成显示区金属层的图案以及涂胶区金属层的图案，从而可以在实现降低边框胶固化速度从而降低边框胶的厚度的同时，避免增加显示面板制备复杂度，可以节省成本。
89.需要说明的是，图5中以第一导电层14包括遮光部11为例进行举例说明，图9中以第二导电层15包括遮光部11为例进行举例说明。图10中以第一导电层14和第二导电层15均包括遮光部11为例进行举例说明。
90.在具体实施时，当第一导电层和第二导电层均包括遮光部时，第一导电层包括的遮光部在第一衬底基板的正投影与第二导电层包括的遮光部在第一衬底基板的正投影重合。
91.在一些实施例中，如图8所示，晶体管的源极s和漏极d与源漏极接触层18接触。
92.在一些实施例中，如图5～图10所示，阵列基板7还包括：位于第一导电层和第二导电层之间的栅极绝缘层16，位于栅极绝缘层16和第二导电层15之间的有源层17，位于有源层17和第二导电层15之间的源漏极接触层18，位于第二导电层15背离源漏极接触层18一侧的钝化层19，位于钝化层背离第二导电层一侧的第三导电层20。
93.在一些实施例中，如图5、图6、图7、图9、图10所示，挡墙结构至少包括下列之一或其组合：第一导电层14、栅极绝缘层16、有源层17、源漏极接触层18、第二导电层15、钝化层19、第三导电层20。
94.即本技术实施例提供的显示面板，挡墙结构可以与下列膜层之一或其组合同层设置：第一导电层、栅极绝缘层、有源层、源漏极接触层、第二导电层、钝化层、第三导电层。这样仅需要改变原有光罩图案，便可以形成凹槽区域的图案以及其余区域的图案，可以在实现避免边框胶过溢的同时，避免增加显示面板制备复杂度，可以节省成本。
95.需要说明的是，图5、图9、图10以挡墙结构包括：第一导电层14、栅极绝缘层16、有源层17、源漏极接触层18、第二导电层15、钝化层19、以及第三导电层20为例进行举例说明，图6以挡墙结构包括：第一导电层14、栅极绝缘层16、有源层17、源漏极接触层18、第二导电层15、以及钝化层19为例进行举例说明。图7中靠近凹槽25侧壁的挡墙结构包括：第一导电层14、栅极绝缘层16、有源层17、源漏极接触层18、第二导电层15、以及钝化层19，靠近遮光部11的挡墙结构包括：第一导电层14、栅极绝缘层16、有源层17、源漏极接触层18、以及第二导电层15。在具体实施时，挡墙结构具体包括哪些膜层可以根据实际需要进行选择，本技术
不进行限制。
96.需要说明的是，图8中以晶体管为底栅结构为例进行举例说明。当然，在具体实施时，晶体管也可以是顶栅等其他结构。无论是何种结构的晶体管，遮光部均可以与晶体管的栅极和/或源漏极同层设置。
97.在具体实施时，当晶体管为底栅结构时，第一导电层和第一衬底基板之间还可以包括缓冲层。
98.在具体实施时，当晶体管为顶栅结构时，阵列基板例如还包括：位于第一导电层和衬底基板之间的缓冲层，位于缓冲层和第一导电层之间的有源层，位于有源层和第一导电层之间的栅极绝缘层，位于第一导电层和第二导电层之间的层间绝缘层，位于第二导电层背离层间绝缘层一侧的第三导电层。有源层包括半导体区域以及与源漏极电连接的导体化区域。挡墙结构包括下列之一或其组合：有源层、栅极绝缘层、第一导电层、层间绝缘层、第二导电层、钝化层、第三导电层。
99.在一些实施例中，如图4、图5、图6、图7、图9所示，在重复涂胶区4，遮光部11为单层结构，单层遮光层与第一衬底基板10接触。
100.在一些实施例中，如图10所示，在重复涂胶区4，遮光部11为依次层叠设置的双层结构，最靠近第一衬底基板10的遮光层与第一衬底基板10接触。
101.即在重复涂胶区，可以完全去除该区域的各绝缘膜层。
102.当然，在一些实施例中，在重复涂胶区第一衬底基板和遮光层之间也可以设置缓冲层。
103.在具体实施时，第一衬底基板例如可以是玻璃基板。晶体管例如可以是薄膜晶体管，有源层的材料例如包括非晶硅(a-si)，源漏极接触层的材料例如包括n

型掺杂的非晶硅。第一导电层和第二导电层例如包括遮光金属或合金，第三导电层例如包括透明材料，透明材料例如可以是氧化铟锡。
104.在一些实施例中，还包括位于阵列基板和对向基板之间的液晶层。即本技术实施例提供的显示面板为液晶显示面板。
105.在一些实施例中，当显示面板为液晶显示面板时，如图8所示，第三导电层20包括像素电极21。像素电极21通过贯穿钝化层19的过孔与晶体管的漏极d电连接。第三导电层20背离第二导电层15一侧还包括绝缘保护层22。
106.在一些实施例中，当显示面板为液晶显示面板时，对向基板例如包括：第二衬底基板，位于第二衬底基板靠近阵列基板一侧的黑矩阵以及阵列排布的多个彩色色阻。黑矩阵具有与子像素对应的开口区，每一彩色色阻至少覆盖开口区。彩色色阻的颜色与子像素颜色对应。在具体实施时，子像素例如包括红色子像素、蓝色子像素以及绿色子像素，相应的，彩色色阻包括红色色阻、蓝色色阻以及绿色色阻。在具体实施时，显示面板还包括公共电极层，公共电极层可以设置在阵列基板，也可以设置在对向基板。
107.当然，在一些实施例中，显示面板也可以为电致发光显示面板。电致发光显示面板每一子像素包括电致发光器件。第三导电层包括电致发光器件的阳极，阵列基板还包括：位于第三导电层背离第二导电层一侧的发光功能层，位于发光功能层背离第三导电层一侧的阴极层。对向基板包括封装盖板。
108.在一些实施例中，如图11所示，透光区包括：多个条形透光区。
109.或者，在一些实施例中，如图12所示，透光区包括：网格状透光区。
110.或者，在一些实施例中，或者如图13所示，透光区包括：多个孔状透光区。图13中以圆孔状透光区为例进行举例说明。
111.当然，透光区的具体形状也可以根据实际需要进行选择。
112.在具体实施时，可以根据固化边框胶所需的光透过率来设置透光区的面积。例如，固化边框胶所需的光透过率为n％，则透光区的面积占遮光层总面积的n％，即遮光层的透光区的面积与遮光区的面积比为n：(1-n)。
113.在具体实施时，缓冲层、栅极绝缘层、钝化层、绝缘保护层等绝缘膜层延伸到周边区，对各绝缘膜层进行图形化工艺的同时，便可以形成凹槽结构的凹槽。根据所需的凹槽的深度，相应的去除凹槽设置区域的绝缘膜层。凹槽的侧壁即为延伸至周边区绝缘膜层图形化工艺后的侧壁。例如，当凹槽贯穿周边区各绝缘膜层的厚度，凹槽的侧壁包括：缓冲层的侧壁、栅极绝缘层的侧壁、钝化层的侧壁以及绝缘保护层的侧壁。
114.在一些实施例中，缓冲层、栅极绝缘层、钝化层、绝缘保护层等绝缘膜层可以延伸至单次涂胶区，即在单次涂胶区，边框胶可以在绝缘膜层上涂覆。
115.在具体实施时，虽然单次涂胶区边框胶的厚度小于重复涂胶区边框胶的厚度，但通过设置凹槽结构以及在凹槽内设置遮光部，可以使得单次涂胶区显示面板的厚度与重复涂胶区显示面板的厚度大致相等。在具体实施时，凹槽的深度小于重复涂胶区边框胶的厚度，并且凹槽的深度小于或等于边框胶在单次涂胶区的厚度。在具体实施时，重复涂胶区边框胶靠近对向基板一侧的表面到第一衬底基板的距离与单次涂胶区边框胶靠近对向基板一侧的表面到第一衬底基板的距离之差小于预设值。该预设值为考虑显示面板制作过程相关工艺带来的误差。进一步的，重复涂胶区边框胶靠近对向基板一侧的表面到第一衬底基板的距离与单次涂胶区边框胶靠近对向基板一侧的表面到第一衬底基板的距离相等，从而在单次涂胶区显示面板的厚度等于重复涂胶区显示面板的厚度。
116.本技术实施例提供的一种显示装置，显示装置包括：本技术实施例提供的显示面板。
117.在一些实施例中，当显示面板的对向基板和阵列基板之间包括液晶层时，即显示面板为液晶显示面板时，显示装置还包括位于阵列基板背离对向基板一侧的背光模组。
118.本技术实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本技术的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
119.综上所述，本技术实施例提供的显示面板及显示装置，在阵列基板的第一衬底基板上形成有对应重复涂胶区的凹槽，使得重复涂胶区的边框胶能够填充于凹槽内，从而可以降低重复涂胶区阵列基板的厚度。并且在凹槽内设置具有透光区的遮光部，从而可以减少重复涂胶区的透光面积，减小边框胶固化光照量，进而可以降低边框胶固化速度，未固化的边框胶向边缘溢出，更有利于降低边框胶的厚度，进一步降低重复涂胶区阵列基板的厚度，可以避免显示面板在重复涂胶区的厚度与其余区域厚度不一致的问题，从而提高显示面板的厚度均一性。
120.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精
神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。