一种双向混频组件的制作方法

1.本实用新型涉及混频组件技术领域，尤其是涉及一种双向混频组件。


背景技术：

2.随着电子产品的飞速发展，电子设备集成度越来越高，体积越来越小，同时成本要求也越来越低。因此除了单纯的芯片厂家的单芯片高度集成化外，同时要求设备厂家在某些特定环境下，需要一些特殊的方案应用。在很狭窄的腔体里，安装器件变得困难，所以缩小体积成了当前芯片发展的重中之重。
3.在通讯技术方面，传统的变频方案逐渐不能满足上述需求。因此，有必要提供一种双向混频组件。


技术实现要素：

4.本实用新型提供了一种双向混频组件，以满足缩小体积的需求。
5.为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
6.一种双向混频组件，包括：混频器u1，具有lo端口、if端口和rf端口；本振信号电路，与所述lo端口连接；第一信号电路，设置有射频开关sp2t1；第二信号电路，设置有射频开关sp2t2；其中，所述射频开关sp2t1的常闭触点与所述if端口连接，所述射频开关sp2t1的2个常开触点分别为第一输入端和第一输出端；所述射频开关sp2t2的常闭触点与所述rf端口连接，所述射频开关sp2t2的2个常开触点分别为第二输入端和第二输出端。
7.本实用新型公开的一个实施例中，所述本振信号电路设置有放大器a1，所述放大器a1的输入端用于接收本振信号，所述放大器a1的输出端与所述lo端口连接。
8.本实用新型公开的一个实施例中，所述第一信号电路设置有滤波器z1，所述滤波器z1一端与所述if端口连接，另一端与所述射频开关sp2t1的常闭触点连接。
9.本实用新型公开的一个实施例中，所述第二信号电路设置有滤波器z2，所述滤波器z2一端与所述rf端口连接，另一端与所述射频开关sp2t2的常闭触点连接。
10.本实用新型公开的一个实施例中，所述射频开关sp2t1的型号为vd7518。
11.本实用新型公开的一个实施例中，所述射频开关sp2t2的型号为vd7518。
12.本实用新型公开的一个实施例中，所述混频器u1的型号为vd76130。
13.本实用新型公开的一个实施例中，所述放大器a1的型号为vd7288。
14.本实用新型公开的一个实施例中，所述滤波器z1的使用频率范围为3-5ghz。
15.本实用新型公开的一个实施例中，所述滤波器z2的使用频率范围为13-15ghz。
16.综上所述，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型通过设置混频器u1、本振信号电路、第一信号电路和第二信号电路；
17.当工作在下变频时，射频信号经射频开关sp2t，与本振信号电路输入的本振信号在混频器u1混频产生中频信号，中频信号经射频开关sp2t1输出；
18.当工作在上变频时，中频信号经射频开关sp2t1，与本振信号电路输入的本振信号
在混频器u1混频产生射频信号，射频信号经射频开关sp2t2输出；
19.上下变频共用了混频器u1、本振信号电路、第一信号电路和第二信号电路，从而大大简化了链路，缩小了体积。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本实用新型一些实施例中所涉及的双向混频组件的结构示意图。
具体实施方式
22.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本实用新型实施例的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
23.在本实用新型实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型实施例的限制。
24.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
25.在本实用新型实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型实施例中的具体含义。
26.在本实用新型实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
27.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型实施例的不同结构。为了简化本实用新型实施例的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型实施例。此外，本实用新型实施例可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
28.下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
29.如图1所示，本实施例提供了一种双向混频组件，包括：混频器u1，具有lo端口、if端口和rf端口；本振信号电路，与所述lo端口连接；第一信号电路，设置有射频开关sp2t1；第二信号电路，设置有射频开关sp2t2；其中，所述射频开关sp2t1的常闭触点与所述if端口连接，所述射频开关sp2t1的2个常开触点分别为第一输入端和第一输出端；所述射频开关sp2t2的常闭触点与所述rf端口连接，所述射频开关sp2t2的2个常开触点分别为第二输入端和第二输出端。
30.应当理解的是：
31.本振信号电路是用于接收本地振荡器产生的信号，该信号即为本振信号；
32.当工作在下变频时，射频信号经射频开关sp2t，与本振信号电路输入的本振信号在混频器u1混频产生中频信号，中频信号经射频开关sp2t1输出；
33.当工作在上变频时，中频信号经射频开关sp2t1，与本振信号电路输入的本振信号在混频器u1混频产生射频信号，射频信号经射频开关sp2t2输出；
34.上下变频共用了混频器u1、本振信号电路、第一信号电路和第二信号电路，从而大大简化了链路，缩小了体积。
35.在一些实施例中，所述本振信号电路设置有放大器a1，所述放大器a1的输入端用于接收本振信号，所述放大器a1的输出端与所述lo端口连接。
36.在一些实施例中，所述第一信号电路设置有滤波器z1，所述滤波器z1一端与所述if端口连接，另一端与所述射频开关sp2t1的常闭触点连接。
37.在一些实施例中，所述第二信号电路设置有滤波器z2，所述滤波器z2一端与所述rf端口连接，另一端与所述射频开关sp2t2的常闭触点连接。
38.基于上述实施例，具体器件的选型可参考如下：
39.在一些实施例中，所述射频开关sp2t1的型号为vd7518。
40.在一些实施例中，所述射频开关sp2t2的型号为vd7518。
41.在一些实施例中，所述混频器u1的型号为vd76130。
42.在一些实施例中，所述放大器a1的型号为vd7288。
43.在一些实施例中，所述滤波器z1的使用频率范围为3-5ghz。
44.在一些实施例中，所述滤波器z2的使用频率范围为13-15ghz。
45.以14
±
1g与4
±
1g的上下变频为例说明：
46.当工作在下变频时，射频信号经所述射频开关sp2t2输入，通过所述滤波器z2进行滤波，滤波后与经所述放大器a1放大后的18ghz本振信号在所述混频器u1混频产生3-5ghz中频信号，中频信号通过所述滤波器z1滤波后经所述射频开关sp2t1输出；
47.当工作在上变频时，中频信号经所述射频开关sp2t1输入，通过所述滤波器z1进行滤波，滤波后与经所述放大器a1放大后的18ghz本振信号在所述混频器u1混频产生13-15ghz射频信号，射频信号通过所述滤波器z2滤波后经所述射频开关sp2t2输出；
48.上下变频共用了所述混频器u1、所述射频开关sp2t1、所述射频开关sp2t2、所述放大器a1、所述滤波器z1和所述滤波器z2，从而大大简化了链路，缩小了体积。
49.相比传统变频方案，加上适当的器件选型，器件可以减少了30%。尤其是共用滤波器，可以缩小50%的尺寸体积，节约了成本和安装空间。
50.以上实施例描述了本实用新型的多个具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，在不背离本实用新型原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围内。