存储器选择器的制作方法

技术特征：
1.一种用于存储单元(3)的选择器(33)，其旨在从电阻状态变为导通状态以分别禁止或授权对所述存储单元的存取，其特征在于由锗、硒、砷和碲构成的gs-at合金制成。2.根据权利要求1所述的选择器，其中所述gs-at合金为ge3se7as2te3。3.根据权利要求1或2所述的选择器，其中所述gs-at合金具有介于20％至80％之间的砷碲at化合物含量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的选择器，其中所述gs-at合金具有40％的砷碲at化合物含量。5.根据权利要求1至4中任一项所述的选择器，其中所述gs-at合金通过物理气相沉积获得。6.根据权利要求1至5中任一项所述的选择器，其中所述选择器为双向阈值开关。7.一种存储点(3)，包括：电阻式存储元件(31)；以及根据权利要求1至6中任一项所述的选择器(33)。8.根据权利要求7所述的存储点，其中砷、碲、锗和硒的比例使得所述选择器(33)的阈值电压(vth)大于或等于电阻式存储元件(31)的编程电压(vset)。9.根据权利要求7或8所述的存储点，其中砷碲at化合物的含量和锗硒gs化合物的含量使得所述选择器(33)的阈值电压(vth)大于或等于所述电阻式存储元件(31)的编程电压(vset)。10.根据权利要求7至9中任一项所述的存储点，其中砷碲at化合物的含量和锗硒gs化合物的含量使得所述选择器(33)的阈值电流(ith)小于或等于所述电阻式存储元件(31)的状态切换电流(ihrs)。11.一种具有多个根据权利要求7至10中任一项所述的存储点(3)的存储器(1)。12.根据权利要求11所述的存储器，由电阻式氧化物存储器或导电链路随机存取存储器构成。13.根据权利要求11或12所述的存储器，其中每个存储点(3)串联地包括：所述选择器(33)；所述电阻式存储元件(31)；以及介于所述选择器(33)和所述电阻式存储元件(31)之间的导电层(35)。14.一种制造存储器(1)的方法，包括以下步骤：制造至少一个电阻式存储元件(31)；以及与所述电阻式存储元件(31)相关地制造由锗、硒、砷和碲构成的gs-at合金制成的至少一个选择器(33)。

技术总结
本公开涉及一种用于存储单元(3)的选择器(33)，该选择器旨在从电阻状态变为导通状态以分别禁止或授权对存储单元的存取，其特征在于由锗、硒、砷和碲构成的合金制成。砷和碲构成的合金制成。砷和碲构成的合金制成。


技术研发人员：安东尼
受保护的技术使用者：原子能与替代能源委员会
技术研发日：2020.05.04
技术公布日：2022/2/18