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3D花状Zn3In2S6@Bi2O4/β-Bi2O3双Z型异质结光电催化剂及应用的制作方法

2022-02-22 20:08:03 来源:中国专利 TAG:

3d花状zn3in2s6@bi2o4/
β-bi2o3双z型异质结光电催化剂及应用
技术领域
1.本发明属于光电催化剂领域,特别涉及一种具有双z型异质结结构的3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3光电催化剂及其在光电催化cr(vi)还原为cr(iii)中的应用。


背景技术:

2.铬是一种典型的重金属污染物,主要来源于皮革鞣制、纺织制造、钢铁制造等行业。主要以cr(vi)和cr(iii)两种价态存在,其中,cr(vi)因其对生物体的急性毒性而被认为是高致癌物,而cr(iii)无毒,是人体必需的微量金属。因此,将cr(vi)还原为cr(iii)被认为是一种行之有效的水处理方法。为此,研究人员已经开展了大量的研究工作,比如:微生物还原、化学还原和光催化还原、电催化还原、光电催化还原等等。其中,光电催化技术是近年来发展起来的一种高效的催化技术,它利用可再生的太阳光作为能源,结合电化学技术的优势,加快了光生载流子的分离,提高太阳能转换成化学能的转化效率,实现了节能、环保、高效催化等特性。目前,该技术已被广泛应用在析氢、加氢、co2还原及合成氨等各种催化领域,其关键是合理设计和构建性能优异的催化剂。
3.具有z-型电荷传导机制的半导体异质结,因其具有超高的氧化还原能力而备受关注,特别地,双z型电荷传导模式使催化剂具有更好的电荷分离能力,从而获得更高的性能。


技术实现要素:

4.本发明的目的是构建一种3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3双z型异质结光电催化剂,用于高效还原高毒性的cr(vi)为无毒的cr(iii),为含铬废水的处理提供理论基础,有助于推动光电催化技术在环境修复领域的应用。
5.为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3双z型异质结光电催化剂,制备方法包括如下步骤:将bi(no3)3·
5h2o溶解在苯甲醇中,搅拌10-20min后,加入zn3in2s6,超声10-20min后,再搅拌50min,将所得混合溶液转移到聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜中,进行水热反应,反应结束后自然冷却至环境温度,产物用蒸馏水和无水乙醇洗涤,真空干燥后放入马弗炉中,于300-350℃保持5小时,得3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3双z型异质结光电催化剂。
6.进一步的,所述zn3in2s6的制备方法包括如下步骤:将znso4·
7h2o和硫代乙酰胺溶于去离子水中后,加入incl3水溶液,搅拌30-40min,所得混合溶液转移至高压釜中在160℃水热反应12h,洗涤,干燥,得到zn3in2s6。
7.进一步的,所述水热反应是,在120℃下水热反应24h。
8.本发明提供的3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3双z型异质结光电催化剂在光电催化cr(vi)还原为cr(iii)中的应用。
9.进一步的,方法如下:将zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3涂覆在导电玻璃上作为工作电极,铂片为对电极,ag/agcl为参比电极组成三电极体系,将三电极体系置于含cr(vi)的电解质溶液中,进行光电催化还原。
10.进一步的,光电催化还原的条件为:偏压为-0.6v,光源为300w氙灯(λ》420nm),平均光强为100mw
·
cm-2

11.进一步的,所述电解质溶液是ph=3.0-5.0的浓度为0.1mol l-1
的na2so4电解质溶液。
12.更进一步的,所述电解质溶液是ph=3.0的浓度为0.1mol l-1
的na2so4电解质溶液。
13.进一步的,调节含cr(vi)的电解质溶液中,cr(vi)的浓度为3-4mg
·
l-1
,每50ml含cr(vi)的电解质溶液中加入2-5mg zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3。
14.本发明的有益效果是:
15.1、zn3in2s6、bi2o4和β-bi2o3三种半导体都是非常优秀的n型半导体,具有合适的带隙宽度和良好的稳定性,本发明成功将n型半导体bi2o4和β-bi2o3纳米粒子负载到三维花状zn3in2s6上,形成稳定的n-n-n三元异质结。该复合材料具有大的比表面积,超高的可见光吸收能力,增强的电子-空穴对分离效率,展现了优异的可见光催化性能。并且,通过材料的能带结构及能带弯曲理论推断,该zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3异质结的光催化过程是一种新颖的双z型载流子传导方式。
16.2、本发明设计并构建的三维分级结构的花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3三元半导体异质结。由二维纳米片自组装形成的三维花状结构,不仅具有大的比表面积及丰富的多孔结构,而且利于入射光在材料表面和内部的多次反射和散射,从而提高了对可见光的利用率。在可见光照射下,构建的zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3异质结材料对cr(vi)展现了较好的催化还原效果(》80%)。
17.3、本发明zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3复合材料形成了双z型电荷传导路径,不仅有效抑制光生电子-空穴对的复合,还保留半导体材料突出的氧化还原能力。
附图说明
18.图1是zn3in2s6(a)和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3(b)的sem图。
19.图2是bi2o4/β-bi2o3,zn3in2s6和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3的xrd图。
20.图3是bi2o4/β-bi2o3,zn3in2s6和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3催化活性对比图。
21.图4是zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在纯光、纯电、光/电协同作用下及在无催化剂条件下还原效果对比。
22.图5是溶液的ph对催化还原cr(vi)活性的影响。
23.图6是不同zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3用量对cr(vi)还原效果的影响(ph=3)。
24.图7是本发明zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3光电催化cr(vi)还原为cr(iii)的反应动力曲线。
25.图8是zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在光/电协同作用下催化cr(vi)还原反应机理。
具体实施方式
26.实施例1 3d花状zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3双z型异质结光电催化剂(一)制备方法如下:
27.1、0.5865g incl3·
4h2o溶于25ml去离子水,0.8711g znso4·
7h2o和0.4545g硫代
乙酰胺溶于45ml去离子水,将两溶液合并后搅拌30min,将所得混合溶液转移至高压釜中在160℃水热反应12h,洗涤,干燥,得到黄色粉末状固体zn3in2s6。
28.2、将0.0312g bi(no3)3·
5h2o溶解在30ml的苯甲醇中,搅拌10min后,加入0.0851gzn3in2s6,超声10min后,再搅拌50min。将所得混合溶液转移到聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜,在120℃下水热反应24h,然后将反应釜自然冷却至环境温度。产物用蒸馏水和无水乙醇分别洗涤3次,真空干燥,然后在马弗炉中以5℃/min速度升温至300℃保持5小时,获得3d花状双z型异质结光电催化剂zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3。
29.对比例——bi2o4/β-bi2o3复合物的制备:将0.0312g bi(no3)3·
5h2o溶解在30ml的苯甲醇中,搅拌10min后,超声10min,再搅拌50min,将所得物转移到聚四氟乙烯衬里的不锈钢高压釜,在120℃下水热反应24h,然后将反应釜自然冷却至环境温度。产物用蒸馏水和无水乙醇分别洗涤3次,真空干燥,然后在马弗炉中以5℃/min速度升温至300℃保持5小时,获得bi2o4/β-bi2o3复合物。
30.(二)检测
31.图1是zn3in2s6(a)和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3(b)的sem图。由图1中(a)可见,zn3in2s6展现了由2d纳米片组成了3d分级花状结构,这种分层级结构有利于可见光的吸收及目标物/反应中间产物的传质。由图1中(b)可见,大量bi2o4/β-bi2o3纳米粒状被成功镶嵌在zn3in2s6花片里,形成稳定的复合物。
32.图2是bi2o4/β-bi2o3,zn3in2s6和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3的xrd图。由图2可见,在bi2o4/β-bi2o3的谱图中,2θ=29.35
°
,34.23
°
,41.34
°
,48.51
°
的衍射峰归因于bi2o4(jcpds no.50-0864),2θ=24.04
°
,28.34
°
,32.09
°
,45.71
°
,54.69
°
,58.94
°
处的衍射峰归因于β-bi2o3(jcpds no.78-1793)。对于单独的zn3in2s6样品,其2θ=28.23
°
,46.92
°
和56.44
°
处的衍射峰归因于zn3in2s6(jcpds no.65-4003)。bi2o4/β-bi2o3结构在zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3复合材料中仅显示了较弱的特征峰,这是因为在该复合材料中的含量较低。
33.实施例2 zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3光电催化剂在光电催化cr(vi)还原为cr(iii)中的应用(一)催化活性评价
34.方法:将k2cr2o7溶解于浓度为0.1mol l-1
,ph=3.0的na2so4电解质溶液中,获得cr(vi)浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液。将3mg zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3涂覆在导电玻璃上作为工作电极,铂片为对电极,ag/agcl为参比电极组成三电极体系,偏压为-0.6v,光源为300w氙灯(λ》420nm),平均光强为100mw
·
cm-2
。将三电极体系置于50ml浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液中,评价zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3催化cr(vi)还原为cr(iii)的活性。电/光开始前,在黑暗中搅拌20min以达吸附和解吸平衡。采用显色法在540nm处的紫外可见吸收进行定量分析,每隔20min测定一次目标物浓度。
35.图3是zn3in2s6、bi2o4/β-bi2o3和zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3催化cr(vi)还原为cr(iii)的对比图。由图3可见,相比于单独的zn3in2s6和bi2o4/β-bi2o3,zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3光电催化剂展示了更高的催化还原活性,在光电催化120min时,还原率达到81.2%。
36.(二)催化还原条件对cr(vi)还原为cr(iii)的影响
37.方法同(一),分别对比了zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在单纯的光催化、电催化和在光电催化协同催化下,对cr(vi)还原为cr(iii)的影响。
38.图4是zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在纯光、纯电、光/电协同作用下及在无催化剂条件
下还原效果对比。由图4可见,在没有催化剂下cr(vi)的还原效率很低,并且,相比于单纯的光催化和电催化,zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在光电催化协同作用下也展示了明显增强的催化活性,证明了光电的协同作用。
39.(三)ph对cr(vi)还原为cr(iii)的影响
40.方法:将k2cr2o7分别溶解于浓度为0.1mol l-1
,ph=3.0、4.0、5.0的na2so4电解质溶液中,获得不同ph的cr(vi)浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液。将3mg zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3涂覆在导电玻璃上作为工作电极,铂片为对电极,ag/agcl为参比电极组成三电极体系,偏压为-0.6v,光源为300w氙灯(λ》420nm),平均光强为100mw
·
cm-2
,将三电极体系置于50ml浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液中,评价zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3催化cr(vi)还原为cr(iii)的活性。电/光开始前,在黑暗中搅拌20min以达吸附和解吸平衡。采用显色法在540nm处的紫外可见吸收进行定量分析,每隔20min测定一次目标物浓度。
41.图5是溶液ph对催化还原cr(vi)活性的影响。由图5可见,ph值对cr(vi)还原有明显影响,ph=5时,还原效率较低,随着ph值降低催化活性明显增强,说明酸性条件有利于cr(vi)的还原,本发明优选,采用ph=3作为优选条件。
42.(四)不同zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3用量对cr(vi)还原效果的影响(ph=3)
43.方法:将k2cr2o7溶解于浓度为0.1mol l-1
,ph=3.0的na2so4电解质溶液中,获得cr(vi)浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液。分别将2mg、3mg、4mg和5mg zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3涂覆在导电玻璃上作为工作电极,铂片为对电极,ag/agcl为参比电极组成三电极体系,偏压为-0.6v,光源为300w氙灯(λ》420nm),平均光强为100mw
·
cm-2
,将三电极体系置于50ml浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)电解质溶液中,评价zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3催化cr(vi)还原为cr(iii)的活性。电/光开始前,在黑暗中搅拌20min以达吸附和解吸平衡。采用显色法在540nm处的紫外可见吸收进行定量分析,每隔20min测定一次目标物浓度.
44.图6是不同zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3用量对cr(vi)还原效果的影响(ph=3)。由图6可见,催化剂用量从2mg增大到3mg时,催化活性得到了明显提升,进一步增大催化剂用量,催化活性没有提升,而是些微降低,这可能是由于过多的催化剂降低了光的吸收及电荷传导速率,本发明优选每50ml浓度为3.5mg
·
l-1
的cr(vi)的溶液中加入3mg zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3作为工作电极。
45.图7是本发明zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3光电催化cr(vi)还原为cr(iii)的反应动力曲线。由图7可见,表明该反应过程符合准一级动力学,相比于纯光和纯电条件,zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在光电协同作用下展现了更高的速率常数(速率常数为k=0.01196min-1
)。
46.图8是zn3in2s6@bi2o4/β-bi2o3在光/电协同作用下催化cr(vi)还原反应机理。zn3in2s6、bi2o4及β-bi2o3三种半导体均是n-型半导体,根据其带隙结构及能带弯曲理论,zn3in2s6、bi2o4及β-bi2o3组成的三元异质结更易形成双z型电荷传导模式,使复合材料具有更高的催化氧化/还原能力及更好的电荷分离效率。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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