高频模块和通信装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。


背景技术：

2.在便携式电话等移动通信设备中搭载有对高频发送信号进行放大的功率放大器。在专利文献1中，公开了一种前端电路(rf模块)，该前端电路具备传输高频发送信号的pa电路(发送放大电路)以及传输高频接收信号的lna电路(接收放大电路)。在发送放大电路中配置有对功率放大器的放大特性进行控制的pa控制部，在接收放大电路中配置有对低噪声放大器的放大特性进行控制的lna控制部。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2018-137522号公报


技术实现要素：

6.实用新型要解决的问题
7.然而，在专利文献1所公开的rf模块中，产生如下问题：由于输出高输出的发送信号的功率放大器的发热，在发送放大电路中温度局部地上升，在功率放大器与pa控制部之间产生温度不均，因此功率放大器的输出特性劣化。
8.本实用新型是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种抑制了功率放大器的输出特性的劣化的高频模块和通信装置。
9.用于解决问题的方案
10.为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板；功率放大器；以及控制电路，其对所述功率放大器进行控制，其中，所述控制电路包括温度传感器，所述功率放大器与所述控制电路在所述模块基板的主面上层叠。
11.优选地，所述功率放大器由进行级联连接的多个放大元件构成，在俯视所述模块基板的情况下，所述控制电路与所述多个放大元件中的配置于最后级的放大元件重叠。
12.优选地，所述温度传感器与所述功率放大器相接。
13.优选地，所述控制电路具有：偏置电路，其向所述功率放大器提供偏置电流；以及补偿电路，其基于由所述温度传感器探测到的温度来对所述偏置电流进行补偿。
14.优选地，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述高频模块还具备：低噪声放大器；以及外部连接端子，其用于将所述高频模块与外部基板电连接，所述功率放大器和所述控制电路配置于所述第一主面，所述低噪声放大器和所述外部连接端子配置于所述第二主面。
15.本实用新型的另一个方式所涉及的通信装置具备：天线；射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
16.实用新型的效果
17.根据本实用新型，能够提供一种抑制了功率放大器的输出特性的劣化的高频模块和通信装置。
附图说明
18.图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
19.图2a是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。
20.图2b是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
21.图2c是变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
22.附图标记说明
23.1、1a、1b：高频模块；2：天线；3：rf信号处理电路(rfic)；4：基带信号处理电路(bbic)；5：通信装置；10：功率放大器；10a、10b：放大元件；20：低噪声放大器；31、32：双工器；31r、32r：接收滤波器；31t、32t：发送滤波器；41、42、43：开关；51、52：匹配电路；60：pa控制电路；65：温度传感器；70：半导体ic；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；95v：地通路导体；100：天线连接端子；110：发送输入端子；120：接收输出端子；130：控制信号端子；150：外部连接端子；160：凸块电极。
具体实施方式
24.下面，详细地说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。关于下面的实施例及变形例中的结构要素中的、独立权利要求中未记载的结构要素，设为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或大小之比未必严格。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
25.另外，在下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语、以及数值范围表示还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
26.另外，在下面，在安装于基板的a、b及c中，“在俯视基板(或基板的主面)时，c配置于a与b之间”表示在俯视基板时将a内的任意的点与b内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过c的区域。另外，俯视基板表示将基板以及安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。
27.另外，在下面，“发送路径”是指由供高频发送信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由供高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“发送接收路径”是指由供高频发送信号和高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
28.(实施方式)
29.[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]
[0030]
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、rf(radio frequency：射频)信号处理电路(rfic)3、以及基带信号处理电路(bbic)4。
[0031]
rfic 3是对由天线2发送接收的高频信号进行处理的rf信号处理电路。具体地说，rfic 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到bbic 4。另外，rfic 3对从bbic 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。
[0032]
bbic 4是使用频率比在高频模块1中传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的电路。由bbic 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
[0033]
另外，rfic 3还具有基于要使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关41、42及43的连接的作为控制部的功能。具体地说，rfic 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关41～43的连接。具体地说，rfic 3将用于控制开关41～43的数字控制信号输出到pa控制电路60。高频模块1的pa控制电路60根据从rfic 3输入的数字控制信号，来向开关41～43输出数字控制信号，由此控制开关41～43的连接和非连接。
[0034]
另外，rfic 3具有对高频模块1所具有的功率放大器10的放大元件10a及10b的增益进行控制的作为控制部的功能。具体地说，rfic 3将mipi和gpio等数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子130。另外，rfic 3将用于向放大元件10a及10b提供的电源电压vcc和偏置电压vbias的直流电压信号vdc输出到高频模块1的控制信号端子130。高频模块1的pa控制电路60根据经由控制信号端子130输入的数字控制信号和直流电压信号，来调整放大元件10a及10b的增益。此外，输出mipi和gpio等数字控制信号的控制信号端子与输出直流电压信号vdc的控制信号端子也可以不同。另外，控制部也可以设置于rfic 3的外部，例如也可以设置于bbic 4。
[0035]
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
[0036]
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和bbic 4不是必需的结构要素。
[0037]
接着，说明高频模块1的详细的结构。
[0038]
如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、控制信号端子130、功率放大器10、低噪声放大器20、pa控制电路60、发送滤波器31t及32t、接收滤波器31r及32r、匹配电路51及52、以及开关41、42及43。
[0039]
天线连接端子100与天线2连接。
[0040]
功率放大器10是能够对从发送输入端子110输入的通信频段a和通信频段b的高频信号进行放大的发送放大器。功率放大器10由进行级联连接的放大元件10a及10b构成。此外，功率放大器10也可以由1个放大元件构成，另外也可以由进行级联连接的3个以上的放大元件构成。此外，高频模块1也可以具备对通信频段a的高频信号进行放大的第一功率放大器以及对通信频段b的高频信号进行放大的第二功率放大器，来取代功率放大器10。
[0041]
功率放大器10也可以是能够输出与高输出移动站(hpue：high power user equipment，大功率用户设备)对应的大功率的发送信号的发送放大器。另外，功率放大器10也可以是由2个放大元件和输出变压器构成的、所谓的差动放大型的功率放大器。另外，功
率放大器10也可以是由载波放大器、峰值放大器以及相位电路构成的、所谓的多尔蒂型的功率放大器。
[0042]
pa控制电路60根据经由控制信号端子130输入的数字控制信号mipi和gpio以及直流电压信号，来调整功率放大器10所具有的放大元件10a及10b的增益。pa控制电路60也可以由半导体ic(integrated circuit：集成电路)形成。上述半导体ic例如由cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，通过soi(silicon on insulator：绝缘体上的硅)工艺形成。由此，能够廉价地制造上述半导体ic。此外，上述半导体ic也可以由gaas、sige以及gan中的至少任一种构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
[0043]
另外，pa控制电路60具有：温度传感器；偏置电路，其向功率放大器10提供偏置电流；以及补偿电路，其基于由温度传感器探测到的温度来对偏置电流进行补偿。
[0044]
低噪声放大器20是能够将通信频段a及b的高频信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子120的接收放大器。此外，高频模块1也可以具备多个低噪声放大器。例如，高频模块1也可以具备对通信频段a的高频信号进行放大的第一低噪声放大器以及对通信频段b的高频信号进行放大的第二低噪声放大器。
[0045]
功率放大器10和低噪声放大器20例如由以si系的cmos或gaas为材料的场效应晶体管(fet)或异质结双极晶体管(hbt)等构成。
[0046]
发送滤波器31t配置于将发送输入端子110与天线连接端子100连结的发送路径，使被功率放大器10放大后的发送信号中的通信频段a的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器32t配置于将发送输入端子110与天线连接端子100连结的发送路径，使被功率放大器10放大后的发送信号中的通信频段b的发送带的发送信号通过。
[0047]
接收滤波器31r配置于将接收输出端子120与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段a的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器32r配置于将接收输出端子120与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段b的接收带的接收信号通过。
[0048]
发送滤波器31t和接收滤波器31r构成以通信频段a为通带的双工器31。双工器31将通信频段a的发送信号和接收信号以频分双工(fdd：frequency division duplex)方式进行传输。另外，发送滤波器32t和接收滤波器32r构成以通信频段b为通带的双工器32。双工器32将通信频段b的发送信号和接收信号以fdd方式进行传输。
[0049]
此外，双工器31及32中的各双工器也可以是仅由多个发送滤波器构成的多工器、仅由多个接收滤波器构成的多工器、由多个双工器构成的多工器。另外，发送滤波器31t和接收滤波器31r也可以不构成双工器31，也可以是以时分双工(tdd：time division duplex)方式进行传输的1个滤波器。在该情况下，在上述1个滤波器的前级和后级中的至少一方配置用于在发送与接收之间进行切换的开关。另外，同样地，发送滤波器32t和接收滤波器32r也可以不构成双工器32，也可以是以tdd方式进行传输的1个滤波器。
[0050]
另外，发送滤波器31t及32t以及接收滤波器31r及32r例如也可以是使用了saw(surface acoustic wave：声表面波)的弹性波滤波器、使用了baw(bulk acoustic wave：体声波)的弹性波滤波器、lc谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一种，并且不限定于它们。
[0051]
匹配电路51是阻抗匹配电路的一例，配置于将功率放大器10与开关41连结的发送路径，用于取得功率放大器10与开关41、双工器31及32的阻抗匹配。匹配电路52配置于将低噪声放大器20与开关42连结的接收路径，用于取得低噪声放大器20与开关42、双工器31及32的阻抗匹配。
[0052]
开关41经由匹配电路51来与功率放大器10的输出端子连接，具有公共端子、第一选择端子以及第二选择端子。开关41的公共端子经由匹配电路51来与功率放大器10的输出端子连接。开关41的第一选择端子与发送滤波器31t连接，第二选择端子与发送滤波器32t连接。在该连接结构中，开关41对功率放大器10与发送滤波器31t的连接和非连接进行切换，对功率放大器10与发送滤波器32t的连接和非连接进行切换。开关41例如由spdt(single pole double throw：单刀双掷)型的开关电路构成。
[0053]
开关42经由匹配电路52来与低噪声放大器20的输入端子连接，具有公共端子、第一选择端子以及第二选择端子。开关42的公共端子经由匹配电路52来与低噪声放大器20的输入端子连接。开关42的第一选择端子与接收滤波器31r连接，第二选择端子与接收滤波器32r连接。在该连接结构中，开关42对低噪声放大器20与接收滤波器31r的连接和非连接进行切换，对低噪声放大器20与接收滤波器32r的连接和非连接进行切换。开关42例如由spdt型的开关电路构成。
[0054]
开关43是天线开关的一例，对天线连接端子100与双工器31的连接和非连接进行切换，另外，对天线连接端子100与双工器32的连接和非连接进行切换。开关43具有公共端子、第一选择端子以及第二选择端子。开关43的公共端子与天线连接端子100连接，开关43的第一选择端子与双工器31连接，第二选择端子与双工器32连接。开关43例如由spdt型的开关电路构成。
[0055]
此外，能够与高频模块1所具有的信号路径的数量相应地适当设定开关41～43所具有的公共端子和选择端子的数量。
[0056]
开关41～43包括在被形成为1个芯片的半导体ic中。上述半导体ic例如由cmos构成。具体地说，通过soi工艺来形成。由此，能够廉价地制造上述半导体ic。此外，上述半导体ic也可以由gaas、sige以及gan中的至少任一种构成。另外，上述半导体ic也可以包括低噪声放大器20。在上述半导体ic包括放大器的情况下能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
[0057]
在高频模块1的结构中，功率放大器10、匹配电路51、开关41、发送滤波器31t以及开关43构成向天线连接端子100传输通信频段a的发送信号的第一发送电路。另外，开关43、接收滤波器31r、开关42、匹配电路52以及低噪声放大器20构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段a的接收信号的第一接收电路。另外，功率放大器10、匹配电路51、开关41、发送滤波器32t以及开关43构成向天线连接端子100传输通信频段b的发送信号的第二发送电路。另外，开关43、接收滤波器32r、开关42、匹配电路52以及低噪声放大器20构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段b的接收信号的第二接收电路。
[0058]
根据上述电路结构，高频模块1能够对通信频段a和通信频段b中的任一个通信频段的高频信号执行发送、接收以及发送接收中的至少任一个。并且，高频模块1也能够对通信频段a和通信频段b的高频信号执行同时发送、同时接收以及同时发送接收中的至少任一个。
[0059]
此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以不是经由开关43来与天线连接端子100连接，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。
[0060]
此外，本实用新型所涉及的高频模块只要至少具备图1示出的高频模块1的电路结构中的功率放大器10和pa控制电路60即可。
[0061]
在此，在高频模块1中，由于输出高输出的发送信号的功率放大器10的发热，有时在功率放大器10中温度会局部地上升。在该情况下，当在功率放大器10与pa控制电路60之间产生温度不均时，会发生以下问题：无法从pa控制电路60向功率放大器10提供与功率放大器10的温度对应的适当的偏置电流和电源电压等。由此，产生功率放大器10的输出特性劣化的问题。
[0062]
与此相对地，下面说明抑制了功率放大器10的输出特性的劣化的高频模块1的结构。
[0063]
[2.实施例所涉及的高频模块1a的电路元件配置结构]
[0064]
图2a是实施例所涉及的高频模块1a的平面结构概要图。另外，图2b是实施例所涉及的高频模块1a的截面结构概要图，具体地说，是图2a的iib-iib线处的截面图。此外，在图2a的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，在图2a的(b)中示出了从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的透视电路元件的配置所得到的图。
[0065]
实施例所涉及的高频模块1a用于具体地示出构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
[0066]
如图2a和图2b所示，本实施例所涉及的高频模块1a除了具有图1示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93、以及外部连接端子150。
[0067]
模块基板91是具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)且安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics：ltcc)基板、高温共烧陶瓷(high temperature co-fired ceramics：htcc)基板、部件内置基板、具有重新布线层(redistribution layer：rdl)的基板、或印刷电路板等。
[0068]
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分、以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分、以及模块基板91的主面91b，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
[0069]
如图2a和图2b所示，在本实施例所涉及的高频模块1a中，功率放大器10、pa控制电路60、双工器31及32、以及匹配电路51及52配置于主面91a(第一主面)。另一方面，开关41～43和低噪声放大器20配置于主面91b(第二主面)。
[0070]
此外，在图2a中虽未图示，但是将图1示出的电路部件之间连结的构成发送路径和接收路径的布线形成于模块基板91的内部、主面91a及91b。另外，上述布线也可以是两端与主面91a、91b以及构成高频模块1a的电路元件中的任一个电路元件接合的接合线，另外，也
可以是形成于构成高频模块1a的电路元件的表面的端子、电极或布线。
[0071]
如图2a的(a)和图2b所示，pa控制电路60包括温度传感器65。
[0072]
在此，如图2a的(a)和图2b所示，功率放大器10与pa控制电路在模块基板91的主面上层叠。
[0073]
在高频模块1中，由于输出高输出的发送信号的功率放大器10的发热，有时在功率放大器10中温度会局部地上升。在该情况下，当在功率放大器10与pa控制电路60之间产生温度不均时，会发生以下问题：无法从pa控制电路60向功率放大器10提供与功率放大器10的温度对应的适当的偏置电流和电源电压等。在该情况下，产生功率放大器10的输出特性劣化的问题。
[0074]
与此相对地，根据本实施例所涉及的高频模块1a，功率放大器10与pa控制电路60在模块基板91的主面上层叠。由此，功率放大器10与包括温度传感器65的pa控制电路60接近配置，因此即使在功率放大器10发热的情况下，也能够通过温度传感器65来高精度地测定功率放大器10的温度。由此，pa控制电路60能够向功率放大器10提供与功率放大器10的温度对应的适当的偏置电流和电源电压等。因此，能够抑制功率放大器10的输出特性的劣化。
[0075]
另外，期望的是，温度传感器65与功率放大器10相接。
[0076]
由此，温度传感器65能够进一步高精度地测定功率放大器10的温度。
[0077]
另外，也可以是，pa控制电路60具有：偏置电路，其向功率放大器10提供偏置电流；以及补偿电路，其基于由温度传感器65探测到的温度来对偏置电流进行补偿。
[0078]
由此，pa控制电路60的偏置电路能够向功率放大器10提供由补偿电路补偿后的偏置电流。
[0079]
另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，功率放大器10由进行级联连接的放大元件10a及10b构成。在此，如图2a的(a)所示，在俯视模块基板91的情况下，pa控制电路60与放大元件10a及10b中的配置于最后级的放大元件10b重叠。
[0080]
在功率放大器由进行级联连接的多个放大元件构成的情况下，在该功率放大器的发热中，来自配置于最后级的放大元件的发热是主要的。从该观点出发，在本实施例所涉及的高频模块1a中，在上述俯视视角下pa控制电路60与配置于最后级的放大元件10b重叠，因此能够通过温度传感器65有效且高精度地测定功率放大器10的温度。
[0081]
此外，期望的是，温度传感器65与放大元件10b相接。据此，能够最高精度地测定功率放大器10的温度。
[0082]
另外，如图2a的(b)所示，开关41～43和低噪声放大器20包括在被形成为1个芯片(也被称为裸芯片)的半导体ic 70中。此外，多个电路元件包括在被形成为1个芯片的半导体ic中被定义为以下状态：该多个电路元件形成于1块半导体基板表面或内部、或者该多个电路元件集成配置于1个封装内。此外，上述1块半导体基板及上述1个封装与模块基板91不同，另外，与安装高频模块1a的外部基板不同。
[0083]
根据上述结构，开关41～43和低噪声放大器20形成于被形成为1个芯片的半导体ic 70，因此能够促进高频模块1a的小型化。
[0084]
另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1a经由外部连接端子150来与配置于高频模块1a的z轴负方向
侧的外部基板进行电信号的交换。如图2a的(b)所示，外部连接端子150包括天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120以及控制信号端子130。另外，外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。
[0085]
在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b上不配置难以降低高度的功率放大器10，而是配置容易降低高度的开关41～43和低噪声放大器20，因此能够使高频模块1a整体的高度降低。另外，在对接收电路的接收灵敏度影响较大的低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。
[0086]
另外，在高频模块1a中，功率放大器10配置于主面91a。功率放大器10是高频模块1a所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1a的散热性，将功率放大器10的发热利用具有小的热阻的散热路径散出到外部基板是很重要的。假设在将功率放大器10安装于主面91b的情况下，与功率放大器10连接的电极布线配置于主面91b上。因此，作为散热路径，包括仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成因此热阻大。因此，在将功率放大器10配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。
[0087]
与此相对地，在功率放大器10配置于主面91a的情况下，能够借助在主面91a与主面91b之间贯通的地通路导体95v来将功率放大器10与外部基板连接。因此，作为功率放大器10的散热路径，能够排除仅经由热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器10向外部基板散热的散热性的小型的高频模块1a。
[0088]
另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，功率放大器10配置于主面91a，低噪声放大器20配置于主面91b。
[0089]
据此，对发送信号进行放大的功率放大器10与对接收信号进行放大的低噪声放大器20分开地配置于模块基板91的两面，因此发送接收间的隔离度提高。
[0090]
此外，期望的是，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，在该多个电介质层中的至少1个电介质层形成有地电极图案。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能提高。
[0091]
此外，在高频模块1a中，外部连接端子150也可以如图2b所示那样为沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外，也可以如图2c示出的高频模块1b那样，外部连接端子是形成于主面91b上的凸块电极160。在该情况下，也可以不具有主面91b侧的树脂构件93。
[0092]
[3.效果等]
[0093]
以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91；功率放大器10；以及pa控制电路60，其对功率放大器10进行控制，其中，pa控制电路60包括温度传感器65，功率放大器10与pa控制电路60在模块基板91的主面上层叠。
[0094]
根据上述结构，功率放大器10与pa控制电路60在模块基板91的主面上层叠。由此，功率放大器10与包括温度传感器65的pa控制电路60接近配置，因此即使在功率放大器10发热的情况下，也能够通过温度传感器65来高精度地测定功率放大器10的温度。由此，pa控制电路60能够向功率放大器10提供与功率放大器10的温度对应的适当的偏置电流和电源电压等。因此，能够抑制功率放大器10的输出特性的劣化。
[0095]
另外，在高频模块1中，也可以是，功率放大器10由进行级联连接的放大元件10a及10b构成，在俯视模块基板91的情况下，pa控制电路60与放大元件10a及10b中的配置于最后
级的放大元件10b重叠。
[0096]
据此，在上述俯视视角下pa控制电路60与配置于最后级的放大元件10b重叠，因此能够通过温度传感器65有效且高精度地测定功率放大器10的温度。
[0097]
另外，在高频模块1中，也可以是，温度传感器65与功率放大器10相接。
[0098]
由此，温度传感器65能够进一步高精度地测定功率放大器10的温度。
[0099]
另外，在高频模块1中，也可以是，pa控制电路60具有：偏置电路，其向功率放大器10提供偏置电流；以及补偿电路，其基于由温度传感器65探测到的温度来对偏置电流进行补偿。
[0100]
由此，pa控制电路60的偏置电路能够向功率放大器10提供由补偿电路补偿后的偏置电流。
[0101]
另外，在高频模块1中，也可以是，模块基板91具有彼此相向的主面91a及91b，高频模块1还具备：低噪声放大器20；以及外部连接端子150，其用于将高频模块1与外部基板电连接，功率放大器10和pa控制电路60配置于主面91a，低噪声放大器20和外部连接端子150配置于主面91b。
[0102]
据此，功率放大器10与低噪声放大器20分开配置于模块基板91的两面，因此发送接收间的隔离度提高。另外，在与外部基板相向的主面91b上不配置难以降低高度的功率放大器10，而是配置容易降低高度的低噪声放大器20，因此能够使高频模块1整体的高度降低。
[0103]
另外，通信装置5具备：天线2；rfic 3，其对由天线2发送接收的高频信号进行处理；以及高频模块1，其在天线2与rfic 3之间传输高频信号。
[0104]
由此，能够提供一种抑制了功率放大器10的输出特性的劣化的通信装置5。
[0105]
(其它实施方式等)
[0106]
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举了实施方式、实施例及变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、实施例及变形例。将上述实施方式、实施例及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、实施例及变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
[0107]
例如，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有以下结构：功率放大器10和pa控制电路60在模块基板91的主面91a及91b中的任一方上层叠，构成高频模块的其它电路部件仅配置于主面91a及91b中的上述一方。也就是说，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有仅在模块基板91的单面安装的结构。
[0108]
例如，在上述实施方式、实施例及变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图所公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。
[0109]
产业上的可利用性
[0110]
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。