一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器的制作方法

技术特征：
1.一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，包括基体b、a1层和a2层，其特征在于，所述a1层和a2层分别位于基体b的上表面和下表面，所述a1层的边缘覆盖有o1层，所述a2层的边缘覆盖有02层，所述a1层和a2层之间设置有基体b，所述基体b的顶部设有不同半径但宽度相同的圆环柱f1-f3，所述基体b顶部的中央悬浮有中央收集阳极fo，所述基体b的底部设有外围电极c1-c9，且通过d连接在一起，形成球型阴极。2.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述a1层和a2层均为铝层，且厚度为1μm。3.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述o1层和o2层均为氧化层二氧化硅，且厚度为0.5μm。4.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述基体b的材质为超纯高阻硅。5.根据权利要求4所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述基体b为n型轻掺杂，掺杂浓度为1
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。6.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述圆环柱f1-f3的厚度均为1μm，所述f1-f3圆环柱的掺杂类型为p型重掺杂，掺杂浓度为1
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。7.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述中央收集阳极fo的厚度为1μm，掺杂类型为n型重掺杂，掺杂浓度为1
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。8.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述圆柱体d的厚度为1μm，掺杂类型为p型重掺杂，掺杂浓度为1
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。9.根据权利要求1所述的一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，其特征在于，所述外围电极c1-c9，为不同宽度和高度的圆环柱，p型重掺杂，掺杂浓度为1
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，且通过d连接在一起，形成球型阴极。

技术总结
本发明公开了一种三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器，包括基体B、A1层和A2层，所述A1层和A2层分别设置于基体B的上表面和下表面，所述A1层的边缘覆盖有O1层，所述A2层的边缘覆盖有02层，所述A1层和A2层之间设置有基体B，所述基体B的顶部设有不同半径但宽度相同的圆环柱F1-F3，所述基体B顶部的中央悬浮有中央收集阳极FO，所述基体B的底部设有外围电极C1-C9，且通过D连接在一起。本发明三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器以其均匀的电势电场分布，没有死区，电荷收集率高等优点，可应用在光子物理实验以及较低辐照强度的科研领域。通过对三维非均匀化学刻蚀球型电极硅探测器的研究，可以使三维理想球型电极硅探测器的设想得以实现。以实现。


技术研发人员：王洪斐 李正 李鑫卿 谭泽文 蔡新毅
受保护的技术使用者：鲁东大学
技术研发日：2021.11.22
技术公布日：2022/2/7