半导体器件的套刻标记及其使用方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的套刻标记，所述套刻标记包括相对于中心呈十字对称的第一对组件和第二对组件，其特征在于，所述套刻标记还包括至少一对第三对组件，所述第三对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述第三对组件的轴向与所述第一对组件的轴向夹角为0到180度之间的任意数值。3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第三对组件的轴向与所述第一对组件的轴向夹角为45度。4.根据权利要求2或3所述的套刻标记，其特征在于，所述第一对组件、第二对组件中的每个组件与所述中心的距离相等。5.根据权利要求4所述的套刻标记，其特征在于，所述第一对组件、第二对组件、第三对组件中的每个组件与所述中心的距离相等。6.根据权利要求2或3所述的套刻标记，其特征在于，所述套刻标记还包括至少一对第四对组件，所述第四对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。7.根据权利要求6所述的套刻标记，其特征在于，所述第四对组件的轴向与所述第一对组件的轴向夹角为135度。8.根据权利要求6或7所述的套刻标记，其特征在于，所述第一对组件、第二对组件、第三对组件、第四对组件中的每个组件与所述中心的距离相等。9.根据权利要求7所述的套刻标记，其特征在于，所述第一对组件、第二对组件、第三对组件、第四对组件中的每个组件为光栅。10.一种权利要求1-9任意一项所述套刻标记的使用方法，其特征在于，包括：使用传感器检测所述套刻标记中每个组件的偏差角度和大小；根据所述偏差角度和大小计算确认所述套刻标记的整体偏差角度和大小。

技术总结
本公开提供一种半导体器件的套刻标记及其使用方法。其中所述套刻标记包括相对于中心呈十字对称的第一对组件和第二对组件，所述套刻标记还包括至少一对第三对组件，所述第三对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。所述套刻标记的使用方法，包括：使用传感器检测所述套刻标记中每个组件的偏差角度和大小；根据所述偏差角度和大小计算确认所述套刻标记的整体偏差角度和大小。本公开能够减少套刻标记分析的次数，可以在早期防止品质不良发生。本公开对于套刻误差数值，禁止过补正与误补正，能够一次确认套刻标记变形的方式。能够一次确认套刻标记变形的方式。能够一次确认套刻标记变形的方式。


技术研发人员：梁时元 刘智龙 贺晓彬 李亭亭 刘金彪
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.07.28
技术公布日：2022/2/6