碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于所述原料上方的晶种于反应器内；减少所述反应器中的氮气含量，包括：于所述反应器中通入氩气，其中于所述反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于所述反应器中通入氩气的时间为2小时至48小时；加热所述反应器以及所述原料，以形成碳化硅材料于所述晶种上；冷却所述反应器以及所述原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割所述碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，减少所述反应器中的氮气含量的方法更包括：于所述反应器中通入氩气以前，对所述反应器执行第一真空制程，使所述反应器内的气压为0.1torr至100torr。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的电阻率为0.1至10ohm/cm，且所述碳化硅晶片的电阻率为0.1至10ohm/cm。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的对于可见光的穿透率大于50％。5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的厚度为5毫米至80毫米，且所述碳化硅晶片的厚度小于1000微米。6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，减少所述反应器中的氮气含量的方法还包括：于所述反应器中通入氩气以后，对所述反应器执行第二真空制程，使所述反应器内的气压小于5
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torr。7.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶碇的氮含量为10
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atom/cm3。8.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的氮含量为10
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atom/cm3。9.一种半导体结构，其特征在于，包括：碳化硅晶片，其中所述碳化硅晶片的电阻率为0.1至10ohm/cm，且所述碳化硅晶片的对于可见光的穿透率大于50％。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅晶片的氮含量为10
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atom/cm3。11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅晶片的碳化硅的c轴的偏角小于0.5度。12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅晶片的直径大于75毫米。13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅晶片的厚度小于1000微米。

技术总结
本发明提供一种碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构，所述碳化硅晶片的制造方法包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内；减少反应器中的氮气含量，包括：于反应器中通入氩气，其中于反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于反应器中通入氩气的时间大于2小时至48小时；加热反应器以及原料，以形成碳化硅材料于晶种上；冷却反应器以及原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片。片。片。


技术研发人员：林钦山
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2021.07.27
技术公布日：2022/1/28