一种电子封装模块及其制备方法与流程

1.本技术涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种电子封装模块及其制备方法。


背景技术：

2.封装技术是一种将电子模块用绝缘的塑料或陶瓷等封装材料进行整体打包的技术。在实际应用时，为了防止电子模块与其他设备之间产生电磁干扰，目前，通常会在电子模块外部设置整体屏蔽结构。随着电子模块的功能越来越多，其所包含的电子元件的种类和数量也有显著的提升。在实际应用时，在电子模块内部，多个电子元件之间也会产生电磁干扰，但是，目前的整体屏蔽结构不能有效避免电子元件之间的电磁干扰，因此，目前的屏蔽结构已不能满足电子模块整体以及电子模块内部的电磁屏蔽性。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种便于制作、屏蔽效果良好的电子封装模块及其制备方法。
4.一方面，本技术提供了一种电子封装模块，包括基板、多个电子元件、子封装体、屏蔽层和总封装体；多个电子元件设置于所述基板的板面，且与所述基板电连接；子封装体包覆在至少一个所述电子元件的外围，用于封装该至少一个电子元件；屏蔽层设置在所述子封装体的外表面，用于对子封装体所封装的电子元件起到电磁屏蔽的作用；总封装体包覆在所述屏蔽层和未被所述子封装体包覆的电子元件的外围，用于将电子封装模块封装为一体结构，以提升电子封装模块的安全性和受力强度。在本技术提供的电子封装模块中，通过子封装体将需要进行电磁隔离的电子元件进行单独封装，从而有利于对屏蔽层进行制作，另外，通过总封装体，可以将未封装有子封装体的电子元件进行整体封装，从而能够对该电子元件进行有效保护，防止外界环境中的空气、水汽与该电子元件进行接触，以对该电子元件形成良好的保护作用。另外，总封装体可以将电子封装模块封装为完整的一体结构，从而有利于提升电子封装模块的一体性和受力性能。
5.在具体配置时，子封装体的设置数量可以是一个或者多个，相应的，屏蔽层的设置数量可以对应子封装体进行合理设置。
6.另外，单个子封装体中可以包含一个电子元件也可以包含两个或更多个电子元件。在具体配置时，位于同一个子封装体内的电子元件不会产生相互干扰，以保证各个电子元件的正常工作。例如，在同一个子封装体内，可以包含多个容易产生电磁干扰信号，且相互之间不易受电子信号干扰的电子元件。或者，在同一个子封装体内，可以包含多个不易产生电磁干扰信号，且自身易受电磁信号干扰的电子元件。通过这种结构设置，位于同一个子封装体内的多个电子元件之间的间距可以尽可能的缩小、从而有利于提升电子元件的布设密度，有利于降低电子封装模块的体积大小；另一方面，也有助于减少子封装模块的配置数量，便于提升制备效率。
7.在对屏蔽层进行制备时，可以将金属材料采用溅射、电镀、喷涂等工艺直接成型在子封装体的外表面，以形成屏蔽层。或者，也可以在子封装体的表面贴附金属薄膜。
8.另外，在具体实施时，屏蔽层可以是单层结构也可以是多层结构。
9.例如，当屏蔽层为多层结构时，屏蔽层可以包括依次层叠设置的第一辅助层、功能层和第二辅助层。其中，功能层用于提供良好的电磁屏蔽性，因此，在具体配置时，功能层可以选用铜等电磁屏蔽性较好的金属材料进行制备。第一辅助层用于提升功能层和子封装体之间的结合强度，以防止功能层与子封装体产生脱离；第二辅助层用于提升功能层和总封装体之间的结合强度，以防止功能层与总封装体产生脱离。例如，当功能层采用铜金属，子封装体和总封装体采用塑料材质时，由于铜与塑料之间的结合强度较差，因此，在功能层和子封装体之间可以设置第一辅助层，从而可以有效提升功能层和子封装体之间的结合强度；在功能层和总封装体之间可以设置第二辅助层，从而可以有效提升功能层和总封装体之间的结合强度。
10.在另一些实施方式中，屏蔽层也可以为单层结构。例如，屏蔽层中可以仅包含功能层，第一辅助层和第二辅助层可以省略设置。
11.另外，在具体实施时，子封装体和总封装体所采用的材料也可以是多样的。
12.例如，子封装体和总封装体可以采用树脂、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、陶瓷中的任意一种材料进行制作。在具体配置时，子封装体和总封装体的材料可以相同也可以不同。
13.另一方面，本技术还提供了一种电子封装模块的制备方法，包括：
14.提供基板；
15.在基板的板面上设置待屏蔽电子元件，并将待屏蔽电子元件与基板进行电连接；
16.对所述待屏蔽电子元件进行一次封装，以在待屏蔽电子元件的外围制备子封装体；
17.在子封装体的外表面设置屏蔽层；
18.在基板的板面上设置非屏蔽电子元件，并将非屏蔽电子元件与基板进行电连接；
19.对所述电子封装模块进行二次封装，以在屏蔽层和非屏蔽电子元件的外围制备总封装体。
20.具体来说，基板可以是印制电路板也可以是柔性电路板等。其中，基板的板面上也可以设置用于与待屏蔽电子元件以及非屏蔽电子元件进行焊接的焊点结构，从而便于实现电子元件和基板之间的电连接以及固定连接。
21.另外，根据电子设备的不同类型，电子设备设置在基板上的方式也可以有多种。例如，可以将电子元件直接焊接固定在基板的板面上，以实现电子设备和基板之间的固定连接和导电连接。或者，也可以将电子元件粘贴固定在基板上，以实现电子元件和基板之间的固定连接。电子元件和基板之间可以采用导线实现导电连接。
22.在对屏蔽层进行制备时，为了防止形成屏蔽层的材料遗留在基板上，还可以在制备屏蔽层之前在基板的板面上设置保护膜。当屏蔽层制备完成后，为了便于在基板上设置非屏蔽电子元件，还可以将保护膜与基板进行剥离。
23.具体来说，将保护膜贴附在基板的板面上时，为了实现保护膜和基板之间的良好贴附，保护膜上可以设置开窗结构，以避免保护膜和电子元件(或子封装体)之间产生相互干涉。在具体实施时，开窗结构可以采用切割、光刻等工艺进行制作，然后将开设有开窗结构的保护膜贴附在基板的板面上。或者，在设置待屏蔽电子元件之前，也可以将开设有开窗
结构的保护膜贴附在基板的板面上。又或者，在设置待屏蔽电子元件之前，也可以将完整的保护膜贴附在基板的板面上，然后在保护膜上设置开窗结构。在对屏蔽层进行制备时，保护膜能够对基板起到良好的遮挡作用，防止用于形成屏蔽层的金属材料喷涂在基板上，从而能够保证基板的工作可靠性。
24.另外，在对子封装体进行制备时，为了提升制备效率，多个子封装体可以进行一次成型。或者可以理解的是，使用单个模具便可对多个子封装体进行一次成型。
25.在进行制备时，子封装体和总封装体可以采用树脂、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、陶瓷等材料；其中，子封装体的材料和总封装体的材料可以相同也可以不同，本技术对此不作限定。
附图说明
26.图1为本技术实施例提供的一种电子封装模块的剖面结构示意图；
27.图2为本技术实施例提供的另一种电子封装模块的剖面结构示意图；
28.图3为本技术实施例提供的又一种电子封装模块的剖面结构示意图；
29.图4为本技术实施例提供的另一种电子封装模块的剖面结构示意图；
30.图5为本技术实施例提供的另一种电子封装模块的局部剖面结构示意图；
31.图6为本技术实施例提供的一种电子封装模块的制备方法的流程图；
32.图7为本技术实施例提供的一种基板上设置有完整的保护膜的剖面结构示意图；
33.图8为本技术实施例提供的一种基板上设置有开窗结构的保护膜的剖面结构示意图；
34.图9为本技术实施例提供的一种基板上设置有待屏蔽电子元件的剖面结构示意图；
35.图10为本技术实施例提供的一种基板上封装有子封装体的剖面结构示意图；
36.图11为本技术实施例提供的一种子封装体的外表面形成有屏蔽层的剖面结构示意图；
37.图12为本技术实施例提供的一种基板剥离保护膜的剖面结构示意图；
38.图13为本技术实施例提供的一种封装模块的剖面结构示意图；
39.图14为本技术实施例提供的一种封装模块的平面图。
具体实施方式
40.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。
41.为了方便理解本技术实施例提供的电子封装模块，下面首先介绍一下其应用场景。
42.本技术实施例提供的电子封装模块可以应用在多种电子设备中，以满足不同电子设备所要实现的功能。例如，电子封装模块可以应用在无线通信设备中。如图1所示，具体来说，在电子封装模块01中可以包含电路板011以及设置在电路板011上的电子元件012(图中示出有四个)，其中，电子元件012可以包含但不限于射频芯片、电容、电感、电阻等。在实际应用中，电子封装模块01可以采用封装材料制作封装体013，以将电路板011上的各个电子
元件012封装为整体结构；其中，封装材料可以包括塑料、陶瓷等绝缘材料。封装材料可以将电子元件012与外界环境进行有效隔离，防止外界环境中的空气、水汽等杂质与电子元件012进行接触，从而能够防止电子元件012受氧化、侵蚀等不良影响。另外，封装体013还能有效提升电子封装模块01的整体性和受力强度，从而便于运输和安装。
43.在实际应用时，电子封装模块01中的电子元件012之间可能会存在电磁干扰，导致一些电子元件012会出现工作信号失真、不稳定甚至失效等问题。因此，需要对一些电子元件012单独进行电磁隔离。
44.请继续参阅图1。目前，对一些电子元件012单独实现电磁隔离的手段主要包括，采用激光对封装体013进行烧蚀切割，将需要进行电磁隔离的电子元件012的四周切割出一条缝隙014，然后采用溅射、喷雾等工艺在该电子元件012四周及顶面的封装体013上喷涂金属材料以形成屏蔽层015。但是在实际制作时，由于缝隙014的宽度较小，金属材料很难喷涂至缝隙014内，导致在该封装体013的顶面已形成较厚的屏蔽层015时，该缝隙014内仍未形成连续有效的屏蔽层015，从而达不到有效的屏蔽效果，另外，也会造成材料的浪费。
45.在另一些实施方式中，在对封装体013进行烧蚀切割时，可以增加所形成缝隙014的宽度，然后将金属导电胶(图中未示出)填充在缝隙014内，以消除将金属材料喷涂在缝隙014内困难的问题。但是，填充金属导电胶时，缝隙014内的气体不易排出，容易在缝隙014内存留气泡，导致金属导电胶填充不完整，从而会出现屏蔽效果不良或失效等问题。当缝隙014的宽度较大时，也会破坏电子封装模块01的结构强度。另外，由于增加了新的工艺和材料(金属导电胶和填胶工艺)，导致制作成本和效率都有明显的提升。
46.另外，当采用激光烧蚀封装体时，缝隙014的开设深度很难控制，并且对电路板011的平整度要求较高。当烧蚀的深度不够时，位于缝隙014内的屏蔽层015不能对电子元件012形成有效的电磁隔离。当烧蚀的深度过大时，会造成电路板011被烧蚀，使产品出现损坏或失效等不良问题。
47.另外，为了获得较好的屏蔽效果，屏蔽层015的材料通常为铜，但是屏蔽层015与封装体013之间的结合性较差。因此，为了防止屏蔽层015脱落，在喷涂屏蔽层015之前，需要在封装体013的表面喷涂辅助结合材料，从而会增加喷涂工序。另外，由于屏蔽层015的外表面与外界环境直接接触，为了防止屏蔽层015被外界环境中的空气、水汽等杂质所侵蚀，在屏蔽层015喷涂完成后，还需要在屏蔽层015的表面喷涂一层保护材料，从而会增加喷涂工序，不利于提高制作效率。
48.为此，本技术提供了一种具有良好电磁屏蔽性、便于制作的电子封装模块。
49.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图和具体实施例对本技术作进一步地详细描述。
50.以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本技术的限制。如在本技术的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。还应当理解，在本技术以下各实施例中，“至少一个”、“一个或多个”是指一个、两个或两个以上。术语“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系；例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a、b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
51.在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
52.如图2所示，在本技术提供的一个实施例中，电子封装模块10包括基板11、电子元件、子封装体13a，13b、屏蔽层14a，14b和总封装体15。电子元件配置有四个，分别为芯片12a、芯片12b、元件12c和元件12d。芯片12a、芯片12b、元件12c和元件12d均设置在基板11的上板面，且均与基板11电连接。子封装体设置有两个，分别为子封装体13a和子封装体13b；其中，子封装体13a包覆在芯片12a的外围，用于将芯片12a封装在基板11上。子封装体13b包覆在芯片12b的外围，用于将芯片12b封装在基板11上。屏蔽层设置有两个，分别为屏蔽层14a和屏蔽层14b；其中，屏蔽层14a设置在子封装体13a的外表面，用于对芯片12a进行单独的电磁隔离。屏蔽层14b设置在子封装体13b的外表面，用于对芯片12b进行单独的电磁隔离。总封装体15包覆在屏蔽层14a、屏蔽层14b、元件12c和元件12d的外围，用于将电子封装模块10封装为一体结构。在本技术提供的实施例中，通过子封装体将需要进行电磁隔离的电子元件(如芯片12a和芯片12b)进行单独封装，从而有利于对屏蔽层进行制作，另外，通过总封装体15，可以将未封装有子封装体的电子元件(如元件12c和元件12d)进行整体封装，从而能够对该电子元件进行有效保护，防止外界环境中的空气、水汽与该电子元件进行接触，以对该电子元件形成良好的保护作用。另外，总封装体15可以将电子封装模块10封装为完整的一体结构，从而有利于提升电子封装模块10的一体性和受力性能。
53.在具体实施时，基板11可以是印制电路板、柔性电路板等，其具体类型可以根据实际需求作相应选择和调整，本技术对此不作具体限定。另外，电子元件不仅可以设置在基板11的上板面，也可以设置在基板11的下板面，或者，在基板11的上、下板面均可以设置。相应的，与电子元件相匹配的子封装体、屏蔽层以及总封装体也可以根据电子元件的设置位置进行相应设置。
54.例如，如图3所示，当芯片12a以及元件12c设置在基板11的下板面、芯片12b以及元件12d设置在基板11的上板面时，与该芯片12a以及元件12c相匹配的子封装体13a、屏蔽层14a以及总封装体15a可以封装在基板11的下板面。与该芯片12b以及元件12d相匹配的子封装体13b、屏蔽层14b以及总封装体15b可以封装在基板11的上板面。
55.另外，在具体实施时，电子元件设置在基板上的方式也可以根据电子元件的具体类型作相应选择。
56.例如，如图3所示，在本技术提供的一个实施例中，芯片12a通过导线17与基板11上的焊点111焊接连接，以实现芯片12a与基板11之间的电连接。在具体实施时，为了保证芯片12a与基板11之间的相对稳定性，可以通过点胶工艺在基板11和芯片12a之间涂覆粘结层16，使芯片12a固定贴附在基板11上，以保证芯片12a和基板11之间的相对稳定性，然后将导线17与基板11上的焊点111进行焊接。
57.或者，在一些方式中，也可以根据电子元件的具体类型来选择对应的工艺将电子元件设置在基板11上。例如，芯片12b可以采用表贴工艺直接焊接固定在基板11上，使芯片
12b的导电结构与基板11上的焊点112焊接连接。
58.另外，在具体配置时，电子元件的种类及数量可以根据实际需求进行相应选择和调整。例如，芯片12a、芯片12b可以是射频芯片等对电磁干扰较为敏感的电子元件；元件12c、元件12d可以是电阻、电容等对不易受电磁干扰影响或不产生电磁信号的电子元件。
59.在一些实施方式中，单个子封装体不仅可以包覆在单个电子元件的外围，还可以包覆在两个或两个以上的电子元件的外围。相应的，单个屏蔽层不仅可以包覆在单个电子元件的外围，还可以同时包覆在两个或两个以上的电子元件的外围。
60.例如，如图4所示，在本技术提供的一个实施例中，子封装体13a包覆在芯片12a和元件12c的外围。相应的，在该子封装体13a的外表面配置有屏蔽层14a。可以理解的是，该屏蔽层14a同时包覆在芯片12a和元件12c的外围。在具体配置时，位于同一个子封装体内的电子元件不会产生相互干扰，即芯片12a所产生的电磁信号不会影响元件12c的正常工作，相应的，元件12c工作时，不会产生电磁信号，因此，不会干扰芯片12a的正常工作。子封装体13b包覆在芯片12b和元件12d的外围。相应的，在该子封装体13b的外表面配置有屏蔽层14b。可以理解的是，该屏蔽层14b同时包覆在芯片12b和元件12d的外围。在具体配置时，位于同一个子封装体内的电子元件不会产生相互干扰，即芯片12b所产生的电磁信号不会影响元件12d的正常工作，相应的，元件12d工作时，不会产生电磁信号，因此，不会干扰芯片12b的正常工作。通过这种结构设置，可以将芯片12a和元件12c之间的间距可以尽可能的缩小、可以将芯片12b和元件12d之间的间距可以尽可能的缩小从而有利于提升电子元件的布设密度，有利于降低电子封装模块10的体积大小。
61.在具体配置时，屏蔽层14a和屏蔽层14b可以采用溅射、电镀、喷涂等工艺进行制备，从而可以在子封装体13a和子封装体13b的表面形成屏蔽层14a和屏蔽层14b。或者，在一些实施方式中，也可以将金属薄膜贴附在子封装体13a和子封装体13b的表面。在具体实施时，屏蔽层14a和屏蔽层14b所采用的材料可以是铜等电磁屏蔽性较好的金属材料。或者在一些实施方式中，屏蔽层14a和屏蔽层14b也可以是多层结构。
62.如图5所示，以屏蔽层14a为例。在本技术提供的一个实施例中，屏蔽层14a包括依次层叠设置的第一辅助层141a、功能层142a和第二辅助层143a。其中，功能层142a用于提供良好的电磁屏蔽性，因此，在具体配置时，功能层142a可以选用铜等电磁屏蔽性较好的金属材料进行制备。第一辅助层141a用于提升功能层142a和子封装体13a之间的结合强度，以防止功能层142a与子封装体13a产生脱离；第二辅助层143a用于提升功能层142a和总封装体15之间的结合强度，以防止功能层142a与总封装体15产生脱离。具体来说，当功能层142a采用铜金属，子封装体13a和总封装体15采用塑料材质时，由于铜与塑料之间的结合强度较差，因此，在功能层142a和子封装体13a之间可以设置第一辅助层141a，可以有效提升功能层142a和子封装体13a之间的结合强度；在功能层142a和总封装体15之间可以设置第二辅助层143a，可以有效提升功能层142a和总封装体15之间的结合强度。在具体配置时，第一辅助层141a和第二辅助层143a可以采用不锈钢等有利于提升屏蔽层14a结合性的材料制成。在进行制作时，当子封装体13a制作成型后，可以在子封装体13a的表面依次喷涂第一辅助层141a、功能层142a和第二辅助层143a，然后制备总封装体15。其中，第一辅助层141a的厚度可以保持在100纳米左右，功能层142a的厚度可以保持在5至10微米之间，第二辅助层143a的厚度可以保持在300纳米左右。可以理解的是，在具体制作时，第一辅助层141a、功能
层142a和第二辅助层143a的厚度并不仅限于上述提到的数值，另外，第一辅助层141a、功能层142a和第二辅助层143a的材质也可以根据实际需求作适应性调整。
63.另外，在一些实施方式中，屏蔽层14a可以仅包含上述的功能层142a而省略设置第一辅助层141a和第二辅助层143a。具体来说，由于屏蔽层14a位于子封装体13a和总封装体15之间，因此，相当于屏蔽层14a被夹持固定在子封装体13a和总封装体15之间，即使屏蔽层14a与子封装体13a和总封装体15之间的结合性较差，屏蔽层14a也不会产生相对位移或脱落，因此，不会出现屏蔽层14a失效等不良问题。另外，由于屏蔽层14a被封装在子封装体13a和总封装体15之间，因此，可以使屏蔽层14a与外界环境进行有效隔离，从而能够对屏蔽层14a起到良好的保护作用。即使在高温高湿、较强酸碱性的恶劣环境下，屏蔽层14a仍能保持其良好的电磁屏蔽性，从而有利于提升产品的可靠性和应用范围。
64.在具体实施时，子封装体14a、子封装体14b和总封装体15所采用的材料也可以是多样的。
65.例如，子封装体14a、子封装体14b和总封装体15可以采用树脂、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、陶瓷中的任意一种材料进行制作。在具体配置时，子封装体14a、子封装体14b和总封装体15的材料可以相同也可以不同，本技术对此不作限定。
66.另外，在对电子封装模块10进行制作时，所采用的制备工艺及工序也可以根据实际情况作适应性调整。
67.例如，如图6所示，本技术实施例还提供了一种电子封装模块的制备方法，该方法包括：
68.s100、提供基板；
69.s200、在基板的板面上设置待屏蔽电子元件，并将待屏蔽电子元件与基板进行电连接；
70.s300、在待屏蔽电子元件的外围封装子封装体；
71.s400、在基板的板面上设置保护膜；
72.s500、在子封装体的外表面形成屏蔽层；
73.s600、剥离保护膜；
74.s700、在基板的板面上设置非屏蔽电子元件，并将非屏蔽电子元件与基板进行电连接；
75.s800、在屏蔽层和非屏蔽电子元件的外围封装总封装体。
76.请结合参阅图5，具体来说，在步骤s100中，所提供的基板11可以是印制电路板也可以是柔性电路板等。其中，基板11的板面上可以设置用于与电子元件12a进行焊接的焊点结构，从而便于实现电子元件和基板之间的电连接以及固定连接。
77.在步骤s200中，可以先将电子元件12a粘贴在基板11上，以实现电子元件12a和基板11之间的固定连接。之后可以通过线缆17将电子元件12a的导电结构与基板11上的焊点111进行导电连接。在另一些实施方式中，电子元件12a也可以直接焊接固定在基板11上，以实现该电子元件12a与基板11之间的导电连接和固定连接。例如，可以采用表贴等工艺将电子元件12a直接表贴在基板11上，从而实现电子元件12a与基板11之间的焊接。可以理解的是，根据电子元件12a的不同类型或实际情况，可以采用合理的工艺将电子元件12a设置在基板11上，并实现电子元件12a和基板11之间的导电连接。其中，待屏蔽电子元件可以包括
射频芯片等易受外界电磁信号干扰的电子元件，或容易产生电磁干扰的电子元件。
78.在步骤s300中，子封装体13a可以采用树脂、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、陶瓷等材料进行制备。在进行制备时，可以将模具设置在基板11上，其中，待封装的电子元件12a可以位于模具的腔室内，向腔室内注入封装材料后，便可以成型出子封装体13a，同时将子封装体13a包覆在该电子元件12a的外围。
79.在步骤s400中，保护膜(图5中未示出)具有用于容纳该子封装体13a的开窗结构，以使保护膜能够良好的贴附在基板11的板面上。在具体实施时，开窗结构可以采用切割、光刻等工艺进行制作，然后将开设有开窗结构的保护膜贴附在基板11的板面上，以对基板11形成良好的遮挡作用。具体来说，在进行步骤s500时，当未设置保护膜时，形成屏蔽层14a的金属材料可能会喷涂在基板11上，因此，通过保护膜的设置可以有效防止金属材料喷涂在基板11上，从而能够保证基板11的工作可靠性。
80.在步骤s500中，屏蔽层14a的成型方式也可以是多样的。例如，可以采用溅射、喷涂、电镀等工艺将金属材料直接成型在子封装体13a的表面以形成屏蔽层14a。或者，可以在子封装体13a的外表面直接贴附金属薄膜，从而对被子封装体13a包覆的电子元件12a形成良好的屏蔽作用。在进行制作时，屏蔽层14a可以是单层结构也可以是多层结构。例如，当屏蔽层14a为多层结构时，可以先在子封装体13a的表面喷涂第一辅助层141a，然后在第一辅助层141a的表面喷涂功能层142a，最后在功能层142a的表面喷涂第二辅助层143a。其中，第一辅助层141a可以采用不锈钢等材料，功能层142a可以采用铜等电磁屏蔽性较好的材料，第二辅助层143a可以采用不锈钢等材料。具体来说，当子封装体13a和总封装体15采用树脂等塑料材质，功能层142a采用铜材料时；由于铜与塑料之间的结合性较差，而不锈钢与塑料、铜之间的结合性较强，因此，第一辅助层141a能够有利于提升功能层142a和子封装体13a之间的结合性，第二辅助层143a能够有利于提升功能层142a和总封装体15之间的结合性，能够有效避免屏蔽层14a与子封装体13a和总封装体15产生脱离等不良问题。可以理解的是，在其他的实施方式中，屏蔽层14a也可以为单层结构，或可以理解的是，屏蔽层14a中可以仅包含功能层142a。
81.在步骤s600中，保护膜可以采用人手或机械臂的方式进行剥离，或者也可以采用光刻等工艺进行消除。
82.在步骤s700中，非屏蔽电子元件(图5中未示出)可以直接焊接固定在基板11上，以实现该电子元件与基板11之间的导电连接和固定连接。例如，可以采用表贴等工艺将电子元件直接表贴在基板11上，从而实现电子元件与基板11之间的焊接。可以理解的是，根据电子元件的不同类型或实际情况，可以采用合理的工艺将电子元件设置在基板11上，并实现电子元件和基板11之间的导电连接。其中，非屏蔽电子元件可以包括电阻、电容等不易受外界电磁信号干扰的电子元件，或不易产生电磁干扰的电子元件。
83.在步骤s800中，总封装体15可以采用树脂、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、陶瓷等材料进行制备。在进行制作时，可以将模具设置在基板11上，其中，屏蔽层14a以及未被子封装体13a封装的电子元件均位于模具的腔室内，向腔室内注入封装材料后，便可以成型出总封装体15，以将电子封装模块10封装为一体结构，从而便于提升电子封装模块10的整体性和结构强度。
84.另外，在另一些制备工艺中，在设置待屏蔽电子元件12a之前也可以将保护膜贴附
在基板11的板面上。其中，所贴附的保护膜可以是完整的保护膜，然后采用光刻等工艺开设处开窗结构。或者，也可以将预先开设有开窗结构的保护膜贴附在基板11的板面上。
85.具体来说，如图7和图8所示，可以先将完整的保护膜18贴附在基板11的板面上，然后开设出开窗结构181(图8中开设有两个)。如图9所示，将待屏蔽电子元件12a、12b对应开窗结构181分别设置，并与基板11导电连接。如图10和图11所示，在待屏蔽电子元件12a、12b的外围分别封装子封装体13a和子封装体13b，并在子封装体13a的外表面制备屏蔽层14a，在子封装体13b的外表面制备屏蔽层14b。如图12所示，当屏蔽层14a、14b制备完成后，将保护膜18剥离，然后在基板11的板面上设置非屏蔽元件12c、12d。如图13所示，最后制备总封装体15，以将电子封装模块10制备成一体结构。
86.另外，如图14所示，在具体制备时，为了提升制备效率并实现较大规模生产，所制备出的电子封装模块10中可以包含多个产品单元100(图中示出有四个)。在封装完成后，可以采用切割等工艺将多个产品单元100进行分割，以单独使用或销售。
87.可以理解的是，在对电子封装模块10进行制备时，所采用的工艺以及制备顺序并不仅限于上述实施例所公开的内容。即所采用的工艺、顺序以及材料可以根据实际情况作适应性调整。
88.以上，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。