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一种具有斜面型纳米结构的波导镜片及其制作方法与流程

2022-02-21 19:21:32 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,该方法包括:提供一波导衬底;在所述波导衬底表面制备一光刻胶层;在所述光刻胶层的表面至少选择2个区域,并对所述区域进行图形化处理,获得图形光刻胶以及裸露所述波导衬底表面的图形凹槽;镀膜,在所述图形光刻胶上以及所述图形凹槽底部中未被所述图形光刻胶遮挡的表面形成覆盖层;采用正向或微倾刻蚀的方式对所述波导衬底和所述覆盖层,或者,所述波导衬底、所述覆盖层和所述图形光刻胶进行蚀刻;去除剩余的所述覆盖层和所述光刻胶层,得到与所述波导衬底成一体的斜面型纳米结构。2.如权利要求1所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,在所述制备一光刻胶层的步骤中,通过旋涂或喷涂或刮涂的方式将光刻将涂敷在所述波导衬底表面以形成所述光刻胶层。3.如权利要求1所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,所述图形化处理为对所述光刻胶层采用干涉光刻或全息曝光或套刻工艺以在所述波导衬底上形成所述图形光刻胶和所述图形凹槽。4.如权利要求1所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,在所述形成覆盖层的步骤中,根据所述覆盖层的形貌要求,调节镀膜的倾角和镀膜速率,在所述图形光刻胶的顶部表面和侧面及所述图形凹槽底部中未被相邻所述图形光刻胶阴影遮挡的表面上形成所述覆盖层,其中,所述覆盖层覆盖在所述侧面的部分呈连续斜面型或台阶型。5.如权利要求1所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,所述覆盖层的材质为刻蚀速率类似所述波导衬底的刻蚀速率的材料。6.如权利要求1所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,其特征在于,在所述形成多个斜面型纳米结构的步骤中,未被所述覆盖层覆盖的所述图形凹槽的部分底部与所述覆盖层同时进行刻蚀,所述未被所述覆盖层覆盖的所述图形凹槽的部分底部的刻蚀深度与所述覆盖层的刻蚀深度直接的差异取决于所述波导衬底与所述覆盖层的刻蚀速率比。7.一种具有斜面型纳米结构的波导镜片,其特征在于,包括波导衬底,在所述波导衬底的表面至少设有2个区域,每一区域包括多个所述斜面型纳米结构,所述斜面型纳米结构采用如权利要求1至6任一项所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法制作。8.如权利要求7所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片,其特征在于,同一区域的多个所述斜面型纳米结构的倾斜角和深度相同,不同区域的所述斜面型纳米结构的倾斜角和深度相同或不同。9.如权利要求7所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片,其特征在于,多个所述斜面型纳米结构形成光栅结构或点阵结构。10.如权利要求7所述的具有斜面型纳米结构的波导镜片,其特征在于,所述斜面型纳米结构一侧的面呈连续斜面型或台阶型。

技术总结
本发明公开了一种具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法,该方法包括,提供一波导衬底;在波导衬底表面制备一光刻胶层;在光刻胶层的表面至少选择2个区域,并对区域进行图形化处理,获得图形光刻胶以及图形凹槽;采用阴影镀膜的方式在图形光刻胶上以及图形凹槽底部中未被图形光刻胶遮挡的表面形成覆盖层;采用正向或微倾刻蚀的方式在波导衬底形成多个斜面型纳米结构;去除剩余的覆盖层和光刻胶层。本发明还公开了一种具有斜面型纳米结构的波导镜片,采用上述的具有斜面型纳米结构的波导镜片的制作方法制作,对区域未被覆盖层遮挡的部分和覆盖层同时进行蚀刻,实现斜面型纳米结构制备,降低制备难度,且具备高可控度。且具备高可控度。且具备高可控度。


技术研发人员:罗明辉 乔文 陈林森
受保护的技术使用者:苏州苏大维格科技集团股份有限公司
技术研发日:2020.07.24
技术公布日:2022/1/25
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