一种正置结构的量子点发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，包括：阳极、量子点发光层、电子传输层、自由基间隔层及阴极，所述量子点发光层位于所述阳极与阴极之间，所述电子传输层位于所述量子点发光层与阴极之间；所述自由基间隔层位于所述电子传输层与阴极之间，所述自由基间隔层材料为能将伯醇或仲醇氧化成羰基化合物的稳态自由基。2.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述稳态自由基为2,2,6,6-四甲基哌啶氧化物。3.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述自由基间隔层通过羰基化合物锚定在所述电子传输层上；所述羰基化合物为伯醇或仲醇的氧化物，所述羰基化合物分布在所述自由基间隔层与所述电子传输层之间。4.根据权利要求3所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述锚定是指所述羰基化合物的羰基与所述电子传输层的表面羟基上的氢之间的非共价相互作用。5.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述自由基间隔层的厚度不超过5nm。6.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为透明阳极。7.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料选自ii-vi族化合物和核壳量子点中的一种或多种，所述ii-vi族化合物、核壳量子点的核材料和壳材料独立的选自cdse、cds、znse、cds、pbs和pbse中的一种。8.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料包括zno、tio2、batio3、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌、掺镁氧化锌中的一种或多种。9.根据权利要求1所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴传输层和/或空穴注入层。10.根据权利要求9所述的正置结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层材料选自聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种或多种；和/或，所述空穴注入层材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)和掺有s-moo3的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)中的一种。11.一种正置结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子传输层和自由基间隔层，所述自由基间隔层材料为能将伯醇或仲醇氧化成羰基化合物的稳态自由基；在所述自由基间隔层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。12.根据权利要求11所述的正置结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述稳态自由基为2,2,6,6-四甲基哌啶氧化物。13.根据权利要求11所述的正置结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上形成电子传输层和自由基间隔层，包括：在所述量子点发光层上依次沉积分散在伯醇或仲醇中的电子传输层材料和分散在醇溶剂或水中的自由基间隔层
材料后，进行第一退火处理，形成所述电子传输层和自由基间隔层；或者，在所述量子点发光层上沉积分散在醇溶剂中的电子传输层材料后，进行第二退火处理，形成所述电子传输层，在所述电子传输层上沉积分散在水中的自由基间隔层材料后，在伯醇或仲醇气氛下进行第三退火处理，形成所述自由基间隔层。14.根据权利要求13所述的正置结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二退火处理的温度小于等于所述第三退火处理的温度。

技术总结
本发明公开一种正置结构的量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、量子点发光层、电子传输层、自由基间隔层及阴极，所述量子点发光层位于所述阳极与阴极之间，所述电子传输层位于所述量子点发光层与阴极之间；所述自由基间隔层位于所述电子传输层与阴极之间，所述自由基间隔层材料为能将伯醇或仲醇氧化成羰基化合物的稳态自由基。本发明采用的上述稳态自由基具有光热稳定作用；以其为材料在正置结构的QLED的阴极与电子传输层之间设置自由基间隔层，增加了QLED的光热稳定性；且该具有氧化性的稳态自由基可捕获并淬灭单线态氧，有效避免QLED的功能层被氧化，提高QLED的整体稳定性和使用寿命。性和使用寿命。性和使用寿命。


技术研发人员：张天朔
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.07.22
技术公布日：2022/1/25