减小整流桥内部温升差异的芯片框架的制作方法

1.本实用新型涉及一种整流桥，尤其涉及减小整流桥内部温升差异的芯片框架。


背景技术：

2.传统封装的功能主要在于芯片保护、尺度放大、电气连接三项功能，而实际生产过程中，产品内部框架的不同结构往往会对芯片的散热带来不同的影响，尤其是整流桥这种多芯片产品。整流桥工作时，是两两芯片间隔发热，但由于频率与电网频率同步为50hz，切换速度较快。
3.整流桥产品有4个极，分别为正极、负极和两个交流极，目前市场产品设计规则为：正极负极在一边，两个交流极在一边，如图5所示，导致产品内部框架结构需要进行延伸来满足产品外部极性要求；如图6-7为目前ybs系列产品结构，图6为ybs-3产品，在正方形芯片排布的结构下，右侧进行了框架延伸；图7位ybs4产品，此种结构将正方形排布斜置来满足外部极性要求，以上结构产品在使用或试验时，都存在芯片均匀排布散热不均，降低产品性能等问题。


技术实现要素：

4.本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、降低桥堆内部4颗芯片温差的减小整流桥内部温升差异的芯片框架。
5.本实用新型的技术方案是：减小整流桥内部温升差异的芯片框架，包括承载单体一、承载单体二、承载单体三和连接端四；
6.所述承载单体一从上而下设有依次连接的芯片一安装位、芯片二安装位和连接端一；
7.所述承载单体二的芯片三安装位位于所述承载单体一侧部的下方位置；
8.所述承载单体二的连接端二位于所述承载单体一的上方，通过连接片与所述芯片三安装位连接成一整体；
9.所述承载单体三与所述承载单体二同侧，位于所述承载单体二的上方；
10.所述承载单体三的连接端三位于芯片四安装位的上方，与所述连接端二相对应；
11.所述连接端四位于所述芯片三安装位的下方，与连接端一相对应。
12.所述芯片一安装位与芯片二安装位之间的连接部设有若干散热孔一。
13.所述连接片间隔设置在所述芯片一安装位与芯片四安装位之间。
14.所述芯片四安装位的外侧端面与芯片三安装位的外侧端面对齐。
15.所述芯片四与芯片三安装位间隔设置。
16.所述芯片一安装位上芯片一通过跳线一与所述芯片四安装位连接。
17.所述芯片二安装位上芯片二通过跳线二与所述芯片三安装位连接。
18.所述芯片三安装位上芯片三与芯片四安装位上芯片四通过跳线三连接。
19.所述跳线三上设有散热孔二。
20.所述连接端四包括依次固定连接的跳线连接部、凸起部和外延部；
21.所述连接部和外延部分别呈一板状；
22.所述凸起部向上凸起，位于所述跳线连接部与外延部之间。
23.本实用新型中包括承载单体一、承载单体二、承载单体三和连接端四；承载单体一从上而下设有依次连接的芯片一安装位、芯片二安装位和连接端一；承载单体二的芯片三安装位位于承载单体一侧部的下方位置；承载单体二的连接端二位于承载单体一的上方，通过连接片与芯片三安装位连接成一整体；承载单体三与承载单体二同侧，位于承载单体二的上方。本案通过框架的结构改进，不仅提高了四颗芯片排布规整性，同时提高了四颗芯片散热的均衡性，降低芯片之间的温差，提高产品运行的稳定性。
附图说明
24.图1是本实用新型的立体结构示意图，
25.图2是本实用新型主视图，
26.图3是安装芯片时的立体结构示意图，
27.图4是安装跳线时的立体结构示意图，
28.图5是背景技术中整流桥产品结构简易图，
29.图6是ybs-3产品结构示意图，
30.图7是ybs4产品结构示意图；
31.图中1是承载单体一，11是芯片一安装位，12是芯片二安装位，13是连接端一，
32.2是承载单体二，21是芯片三安装位，22是连接端二，23是连接片，
33.3是承载单体三，31是芯片四安装位，32是连接端三，
34.4是连接端四，41是跳线连接部，42是凸起部，43是外延部，
35.51是芯片一，52是芯片二，61是跳线一，62是跳线二。
具体实施方式
36.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
37.本实用新型如图1-4所示，本案框架采用铜材质制作，减小整流桥内部温升差异的芯片框架，包括承载单体一1、承载单体二2、承载单体三3和连接端四4；其特征在于，
38.所述承载单体一1从上而下（以图2为参考方向）设有依次连接的芯片一安装位11、芯片二安装位12和连接端一13；
39.所述承载单体二2的芯片三安装位21位于所述承载单体一1侧部的下方位置；
40.所述承载单体二2的连接端二22位于所述承载单体一1的上方，通过连接片23与所述芯片三安装位21连接成一整体；
41.所述承载单体三3与所述承载单体二2同侧，位于所述承载单体二2的上方；
42.所述承载单体三3的连接端三32位于芯片四安装位31的上方，与所述连接端二22相对应（与连接端二22对齐）；
43.所述连接端四4位于所述芯片三安装位21的下方，与连接端一13相对应（与连接端一13对齐）。
44.本案通过框架结构改进，将四颗芯片呈正方形或矩形结构（保证产品芯片布置的均匀性和规整性）排布设置的同时增强了各芯片之间的散热均匀性，降低了各芯片之间的温差。
45.所述芯片一安装位11与芯片二安装位12之间的连接部设有若干散热孔一。
46.所述连接片23间隔设置在所述芯片一安装位11与芯片四安装位31之间。
47.所述芯片四安装位31的外侧端面（远离承载单体一1的一侧）与芯片三安装位21的外侧端面对齐，在同一平面内。
48.所述芯片四与芯片三安装位21间隔设置。
49.所述芯片一安装位11上芯片一51通过跳线一61与所述芯片四安装位31连接。
50.所述芯片二安装位12上芯片二52通过跳线二62与所述芯片三安装位21连接。
51.所述芯片三安装位21上芯片三与芯片四安装位31上芯片四通过跳线三连接。
52.所述跳线三上设有散热孔二。
53.所述连接端四4包括依次固定连接的跳线连接部41、凸起部42和外延部43；
54.所述连接部和外延部43分别呈一板状；
55.所述凸起部42向上凸起，位于所述跳线连接部41与外延部43之间。此处凸起部42可以减小引脚切筋时对芯片的应力。
56.进一步优化，连接端四4上设有散热孔三。
57.进一步优化，散热孔三位于凸起部42的侧部。
58.产品设计完成后，将本案结构产品、ybs-3和ybs-4进行了温升仿真，将对比相应产品内4颗芯片之间的最大温差，测试结果如下：
59.试验产品本案ybs-3ybs-4芯片最大温差0.003℃1.246℃2.112℃
60.本案的产品框架结构和芯片放置后，产品在相同最高结温（150℃）时，本案的结构芯片温差0.003℃小于目前已有产品，最大下降了约99.86%。
61.对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
62.（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
63.（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
64.以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。