纳米结构化制品的制作方法

技术特征：
1.一种纳米结构化制品，包括：基底；多个第一纳米结构，所述多个第一纳米结构设置在所述基底上并远离所述基底延伸，所述多个第一纳米结构包含聚氨酯；以及共价交联的氟化聚合物层，所述共价交联的氟化聚合物层设置在所述多个第一纳米结构上并至少部分地填充所述第一纳米结构之间的间隙至高于所述基底至少30nm的平均最小高度，使得所述聚合物层包括由所述多个第一纳米结构限定并背向所述多个第一纳米结构的纳米结构化表面。2.根据权利要求1所述的纳米结构化制品，其中所述多个第一纳米结构沿着所述第一纳米结构的长度远离所述基底延伸，所述多个第一纳米结构具有平均长度l1和平均宽度w1，w1在5nm至500nm的范围内，l1/w1为至少1。3.根据权利要求1或2所述的纳米结构化制品，其中所述聚氨酯包含共价交联的聚氨酯，所述共价交联的聚氨酯的交联浓度在0.3mol/kg至1.05mol/kg的范围内。4.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述聚合物层的所述纳米结构化表面包括多个第二纳米结构，在至少大部分所述第二纳米结构中的每个第二纳米结构部分地围绕多个所述第一纳米结构。5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述第一纳米结构从所述基底延伸至平均高度h1并具有平均宽度w1，所述纳米结构化表面包括多个第二纳米结构，所述多个第二纳米结构具有平均峰谷高度h2和平均宽度w2，h2/w2不超过0.95h1/w1。6.根据权利要求1至5中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述聚合物层能够由包含包括至少一个可水解的末端硅烷基团的含氟聚合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述聚合物层能够由包含包括至少两个三烷氧基硅烷末端基团的含氟聚合物的组合物制备。8.根据权利要求1至7中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述纳米结构化表面具有至少130度的水前进接触角。9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述纳米结构化表面具有至少70度的十六烷前进接触角。10.根据权利要求1至7中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述纳米结构化表面具有至少150度的水前进接触角和至少90度的十六烷前进接触角，并且其中所述纳米结构化制品具有至少90％的平均光学透射率和小于5％的光学雾度。11.根据权利要求1至10中任一项所述的纳米结构化制品，其中所述基底包括第一层和第二层，所述多个第一纳米结构与所述第一层一体地形成，所述第二层具有抗静电特性，使得所述纳米结构化制品具有小于1秒的电荷衰减时间。12.一种纳米结构化制品，包括：基底；以及多个第一纳米结构，所述多个第一纳米结构设置在所述基底上，所述多个第一纳米结构包含共价交联的聚氨酯，所述共价交联的聚氨酯的交联浓度在0.3mol/kg至1.05mol/kg的范围内，所述多个第一纳米结构沿着所述第一纳米结构的长度远离所述基底延伸，所述多个第一纳米结构具有平均长度l1和平均宽度w1，w1在5nm至500nm的范围内，l1/w1为至少
1。13.一种纳米结构化制品，包括聚氨酯层和一体地形成于所述聚氨酯层上的多个第一纳米结构，所述聚氨酯层包含共价交联的聚氨酯，所述共价交联的聚氨酯的交联浓度在0.3mol/kg至1.05mol/kg的范围内，所述多个第一纳米结构沿着所述第一纳米结构的长度远离所述聚氨酯层延伸，所述多个第一纳米结构具有平均长度l1和平均宽度w1，w1在5nm至500nm的范围内，l1/w1为至少1。14.根据权利要求13所述的纳米结构化制品，还包括共价交联的氟化聚合物层，所述共价交联的氟化聚合物层设置在所述多个第一纳米结构上并至少部分地填充所述第一纳米结构之间的间隙至高于所述基底至少30nm的平均最小高度，使得所述聚合物层包括由所述多个第一纳米结构限定并背向所述多个第一纳米结构的纳米结构化表面。15.一种系统，包括根据权利要求1至14中任一项所述的纳米结构化制品，所述纳米结构化制品设置为靠近被构造成发射或接收能量的电子器件。

技术总结
本发明提供了一种纳米结构化制品，该纳米结构化制品包括：基底；多个第一纳米结构，该多个第一纳米结构设置在该基底上并远离该基底延伸；以及共价交联的氟化聚合物层，该共价交联的氟化聚合物层设置在该多个第一纳米结构上。该多个第一纳米结构包含聚氨酯。该聚合物层至少部分地填充该第一纳米结构之间的间隙至高于该基底至少30nm的平均最小高度，使得该聚合物层具有由该多个第一纳米结构限定并背向该多个第一纳米结构的纳米结构化表面。向该多个第一纳米结构的纳米结构化表面。向该多个第一纳米结构的纳米结构化表面。


技术研发人员：戴维
受保护的技术使用者：3M创新有限公司
技术研发日：2020.05.04
技术公布日：2022/1/21