蚀刻方法和蚀刻装置与流程

技术特征：
1.一种蚀刻方法，包括以下工序：物理吸附工序，一边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，一边在第一处理气体的压力比针对所述被处理体的温度的该第一处理气体的饱和蒸气压小的条件下使基于该第一处理气体的吸附质物理吸附于所述蚀刻对象膜；以及蚀刻工序，利用第二处理气体的等离子体来使所述吸附质与所述蚀刻对象膜进行反应，由此对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述物理吸附工序中，在使所述吸附质物理吸附于所述蚀刻对象膜时，将配置所述被处理体的腔室的壁的温度调整为比所述被处理体的温度高的值。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，持续进行所述物理吸附工序，直到所述吸附质的吸附量饱和为止。4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述物理吸附工序包括以下工序：第一工序，在所述第一处理气体的压力为比使所述吸附质的吸附量饱和的压力高的值的条件下对所述吸附质进行物理吸附；以及第二工序，在所述第一处理气体的压力为使所述吸附质的吸附量饱和的压力的条件下对所述吸附质进行物理吸附。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，将所述物理吸附工序和所述蚀刻工序重复进行多个循环。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，每当重复所述物理吸附工序和所述蚀刻工序时，在所述物理吸附工序中，变更所述第一处理气体的压力和所述被处理体的温度中的至少一方。7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述物理吸附工序与所述蚀刻工序之间还包括对所述第一处理气体进行排气的排气工序。8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述物理吸附工序与所述蚀刻工序之间还包括通过第三处理气体来置换所述第一处理气体的置换工序。9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，所述第三处理气体与所述第二处理气体相同。10.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，持续进行所述蚀刻工序，直到所述吸附质与所述蚀刻对象膜的反应完成为止。11.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述蚀刻工序之后还包括对所述第二处理气体进行排气的排气工序。12.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述蚀刻工序之后还包括通过第四处理气体来置换所述第二处理气体的置换工序。13.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一处理气体包括cf系气体。14.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述物理吸附工序中，一边将所述被处理体冷却至-115℃以下的温度，一边使所述
吸附质物理吸附于所述蚀刻对象膜。15.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述物理吸附工序中，在所述第一处理气体的压力为预先根据所述第一处理气体的种类决定出的下限值以上且小于所述第一处理气体的饱和蒸气压的条件下，使所述吸附质物理吸附于所述蚀刻对象膜。16.根据权利要求15所述的蚀刻方法，其中，所述第一处理气体为c4f8，所述第一处理气体的压力为0.5pa以上。17.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第二处理气体包括稀有气体。18.一种蚀刻装置，具有：腔室，被处理体配置于所述腔室；排气部，其用于将所述腔室内减压；气体供给部，其用于向所述腔室内供给处理气体；以及控制部，其执行物理吸附工序和蚀刻工序，在所述物理吸附工序中，一边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，一边在第一处理气体的压力比针对所述被处理体的温度的该第一处理气体的饱和蒸气压小的条件下使基于该第一处理气体的吸附质物理吸附于所述蚀刻对象膜，在所述蚀刻工序中，利用第二处理气体的等离子体来使所述吸附质与所述蚀刻对象膜进行反应，由此对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。

技术总结
蚀刻方法包括：物理吸附工序，一边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，一边在第一处理气体的压力比针对被处理体的温度的该第一处理气体的饱和蒸气压小的条件下使基于该第一处理气体的吸附质物理吸附于蚀刻对象膜；以及蚀刻工序，利用第二处理气体的等离子体来使吸附质与蚀刻对象膜进行反应，由此对蚀刻对象膜进行蚀刻。象膜进行蚀刻。象膜进行蚀刻。


技术研发人员：田原慈 雅各
受保护的技术使用者：法国国立奥尔良大学
技术研发日：2020.06.02
技术公布日：2022/1/21