显示面板及显示终端的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示终端。


背景技术：

2.随着时代的发展，显示器已经越来越普及。而随着5g时代的来临，具有交互功能的显示设备越来越受到关注。除了常规的近距离触摸功能外，越来越多的应用场景需要远程触摸功能。例如，在大型的会议室或者教室，演讲者可以通过远距离激光笔代替手指对屏幕实现标记或者书写，提高了互动效率和方便性。
3.对于显示器，为了节省成本，感光器件需要做在阵列(即，array)基板或者彩膜(即，cf)基板上，并封装在显示器内部。这样的设计降低了成本，但是传感器的引入也降低了显示部分的开口率和穿透率，同时降低了显示器的分辨率。为了解决这些问题，可以采用增强背光强度的办法，但是增强背光强度会提高整机的成本，同时提高显示器的功耗，使远程光感触控显示器只能应用在一些较低端的场景，应用范围受限。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提出了一种显示面板及显示终端，能够减少第一存储电容以及第二存储电容中电极的数量，进而缩短黑色矩阵的尺寸，提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
5.根据本技术的一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括多个显示模块，至少一个所述显示模块包括：显示单元，包括第一存储电容；光控传感单元，包括第二存储电容，所述光控传感单元与所述显示单元电连接；其中，所述第一存储电容的全部或部分与所述第二存储电容共用。
6.进一步地，至少一个所述显示模块中的显示单元还包括第一开关晶体管，至少一个所述显示模块中的光控传感单元还包括第二开关晶体管以及光感晶体管，所述第二开关晶体管与所述光感晶体管电连接。
7.进一步地，至少一个所述显示模块为层叠结构，每个所述层叠结构中依次层叠设置有阵列基板、栅极绝缘层、钝化层、液晶层以及彩膜基板。
8.进一步地，至少一个所述显示模块中，所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一侧设置有黑色矩阵，该显示模块的黑色矩阵在所述阵列基板上的正投影范围与该显示模块的第二开关晶体管在所述阵列基板上的正投影范围相关联。
9.进一步地，至少一个所述显示模块中的第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管均包括与该晶体管相对应的有源层，其中，至少一个所述有源层设置在所述栅极绝缘层背离所述阵列基板的一侧，且位于所述钝化层中。
10.进一步地，至少一个所述显示模块中的第二存储电容包括第一电极和第二电极，其中，至少一个所述第一电极设置在所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，且位于所述栅极绝缘层中；至少一个所述第二电极设置在所述栅极绝缘层背离所述阵列基板的一侧，且
位于所述钝化层中。
11.进一步地，至少一个所述第二存储电容中的第一电极和第二电极沿垂直于所述阵列基板的方向相对设置，其中，至少一个所述第二存储电容中第一电极在所述阵列基板上的投影中心与第二电极在所述阵列基板上的投影中心重合。
12.进一步地，至少一个所述显示模块中第一开关晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极以及光感晶体管的栅极均设置在所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，且位于所述栅极绝缘层中。
13.进一步地，至少一个所述显示模块中设置有第三电极，至少一个所述第三电极设置在所述钝化层背离所述阵列基板的一侧。
14.根据本技术的另一方面，提供了一种显示终端，所述显示终端包括终端主体和所述显示面板，所述终端主体与所述显示面板相连接。
15.通过将显示单元的第一存储电容的全部或部分与光控传感单元的第二存储电容共用，根据本技术的各方面能够减少第一存储电容以及第二存储电容中电极的数量，进而缩短黑色矩阵的尺寸，提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
附图说明
16.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
17.图1示出相关技术中显示面板的结构及显示画面的示意图。
18.图2示出相关技术中显示面板结构的剖视图。
19.图3示出相关技术的显示面板结构的俯视图。
20.图4示出本技术实施例的显示面板结构的剖视图。
21.图5示出本技术实施例的显示面板结构的俯视图。
22.图6示出本技术实施例的光控传感单元电路的示意图。
具体实施方式
23.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
24.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
25.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
26.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本技术的主旨。
27.图1示出相关技术中显示面板的结构及显示画面的示意图。
28.如图1所示，左半部分表示相关技术中显示面板11的结构示意图。其中，显示面板11可以是远程光触控显示面板，111可以是背光板，112可以是阵列基板，113可以是彩膜基板，12可以是激光笔。在阵列基板112和彩膜基板113之间设置有红色色组单元(即，r)、绿色色组单元(即，g)、蓝色色组单元(即，b)、光控传感单元(即，sensor)以及黑色矩阵(即，bm)。每个色组单元都可透过光线，而被黑色矩阵遮挡的部分(例如，光控传感单元中的金属走线)无法透过光线。
29.具体的，在图1中，由于光控传感单元中的光传感部分设置有一些金属走线或者显示材料，需要引入黑色矩阵作为遮光层，将光传感器部分遮挡起来，以提升显示器在显示时的品味。但是引入黑色矩阵会大大降低显示器的开口率和穿透率，且如果黑色矩阵的宽度和密度不合适，会产生如图1右半部分显示画面13所示的肉眼可见的黑线，从而使远程光触控显示器的应用场景受限。
30.图2示出相关技术中显示面板结构的剖视图。
31.如图2所示，相关技术中可以沿所述显示面板中的固定截线将显示面板剖开，得到图2中的显示面板结构的剖视图。相比于图1，相关技术的图2更加具体的表示出显示面板的结构。参见图2，在相关技术的显示面板中，依次层叠设置有阵列基板21、栅极绝缘层22、钝化层23、液晶层24以及彩膜基板25。
32.参见图2，相关技术中，显示面板包括显示单元以及光控传感单元。其中，显示单元包括晶体管26以及第一存储电容，电极221可作为第一存储电容的其中一个极板；光控传感单元包括晶体管27、晶体管28以及第二存储电容，电极222可作为第二存储电容的其中一个极板。因此，相关技术中显示单元的第一存储电容与光控传感单元的第二存储电容分别设置，且相互独立。
33.进一步地，参见图2，相关技术中，在彩膜基板朝向阵列基板的一侧，设置有黑色矩阵(即，bm)252以及253，以遮挡光线。可以看出，相关技术中由于需要较大的空间放置显示单元的第一存储电容与光控传感单元的第二存储电容，导致放置第一存储电容与第二存储电容的部分需要黑色矩阵进行遮挡，从而降低了显示面板的开口率和穿透率。
34.进一步地，参见图2，相关技术中，在阵列基板(即，tft glass)21朝向液晶层的一
侧，设置有3个栅极(即，gate)；在栅极绝缘层(即，gi)22背离阵列基板的一侧，设置有3个有源层(即，a-si)以及源极(即，s)和漏极(d)，每个有源层上设置有源极s和漏极d。此外，在钝化层23背离阵列基板的一侧，设置有ito电极251，ito电极251可延伸至电极221的正上方。
35.图3示出相关技术的显示面板结构的俯视图。
36.参见图3，将多个图2的结构进行俯视，可得到显示面板结构的俯视图。在图3中，相关技术中的显示面板可包括多个像素单元，显示单元32可以是所述多个像素单元中的任意一个像素单元中的显示部分，光控传感单元31可以是所述多个像素单元中的任意一个像素单元中的光控传感部分。可以看出，光控传感单元31被黑色矩阵遮挡。值得注意的是，由于晶体管27所占的透光区域非常小，因此图3将光控传感单元31设置为全黑，表示黑色矩阵的面积大，实际上晶体管27可以接收光线，例如晶体管27为光感晶体管。
37.由于相关技术中采用如图1至图3所示的结构，导致远程光触控显示器的穿透率和开口率较低，且易受黑色矩阵的影响，产生影响显示画面的黑线问题，限制了远程光触控显示器的应用场景。
38.有鉴于此，本技术提供了一种显示面板，所述显示面板包括多个显示模块，至少一个所述显示模块包括：显示单元，包括第一存储电容；光控传感单元，包括第二存储电容，所述光控传感单元与所述显示单元电连接；其中，所述第一存储电容的全部或部分与所述第二存储电容共用。通过将显示单元的第一存储电容的全部或部分与光控传感单元的第二存储电容共用，本技术能够减少第一存储电容以及第二存储电容中电极的数量，进而缩短黑色矩阵的尺寸，提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
39.图4示出本技术实施例的显示面板结构的剖视图。
40.如图4所示，本技术实施例可以沿所述显示面板中的固定截线将显示面板剖开，得到图4中的显示面板结构的剖视图。参见图4，本技术实施例的所述显示面板包括多个显示模块，至少一个所述显示模块包括：显示单元，包括第一存储电容；光控传感单元，包括第二存储电容，所述光控传感单元与所述显示单元电连接；其中，所述第一存储电容的全部或部分与所述第二存储电容共用。
41.具体的，如图4所示，一个所述显示模块可包括图4所示的整个结构。需要说明的是，本技术实施例中的显示模块是为了便于论述所引出的概念，在实际的显示面板中可以不存在。在本技术实施例中，一个显示模块可以包括图4所示的整个结构。可以理解，本技术实施例的显示模块中还可设置有金属走线等其他部分，本技术对于显示模块的表示范围并不限定。
42.进一步地，本技术实施例的显示面板可包括多个显示模块，所述多个显示模块可以以阵列的形式进行排列。每个所述显示模块均可以包括显示单元以及光控传感单元。此外，本技术实施例的显示面板还可包括多个像素单元，一个所述像素单元可与一个显示单元相对应。其中，一个所述显示模块中的显示单元可用于驱动对应的像素单元，以控制该像素单元是否发光以及发光的强度等；多个光控传感单元可用于实现显示面板的光控功能。
43.进一步地，参见图4，至少一个所述显示模块为层叠结构，每个所述层叠结构中依次层叠设置有阵列基板41、栅极绝缘层42、钝化层43、液晶层44以及彩膜基板45。可以理解，图4中的层叠结构是示例性的，在实际应用过程中图4的层叠结构可以有多种变形，本技术
对于至少一个所述显示模块的层叠结构并不限定。
44.其中，阵列基板41可以是用于支撑薄膜晶体管(thin film transistor，tft)的玻璃基板(也称tft-glass)。阵列基板41相对于彩膜基板45一侧的表面上还可设置有衬底层(图中未示出)。
45.进一步地，彩膜基板45可以是用于支撑彩色滤光片(color filter，cf)的玻璃基板(也称cf-glass)。所述彩色滤光片可以包括红色色组单元、绿色色组单元以及蓝色色组单元，分别用于过滤不同波段的光线，从而实现彩色液晶显示。
46.进一步地，液晶(liquid crystal，lc)可填充在所述液晶层44内，即，液晶可填充在钝化层43与彩膜基板45之间。
47.进一步地，至少一个所述显示模块中的显示单元还包括第一开关晶体管，至少一个所述显示模块中的光控传感单元还包括第二开关晶体管以及光感晶体管，所述第二开关晶体管与所述光感晶体管电连接。参见图4，至少一个所述显示模块中的显示单元可包括第一开关晶体管46以及第一存储电容；至少一个所述显示模块中的光控传感单元可包括第二开关晶体管48、光感晶体管47以及第二存储电容。在本技术实施例的一个显示模块中，第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管的数量也可以分别设置为多个。可以理解，本技术对于显示单元以及光控传感单元中的晶体管数量并不限定。
48.进一步地，所述显示面板可包括多个以行列形式排列的像素单元，每个所述像素单元可设置有对应于该像素单元的显示单元，用于驱动该像素单元发光。值得注意的是，在每个像素单元中还可设置有像素电极，其中像素电极与液晶之间形成的电容可等效为液晶电容。即，每个所述显示单元中除了包括第一存储电容外还可包括液晶电容。由于液晶电容与本技术实施例无关，在此不需进一步说明。
49.需要说明的是，所述显示面板还可设置有多条扫描线以及多条数据线。其中，一条扫描线可控制对应的一行像素单元对应的所有第一开关晶体管的工作状态；每个像素单元对应的第一开关晶体管的漏极可以连接到一条数据线，通过将数据线上不同的数据写入到不同的像素单元中，可以实现不同灰阶的液晶显示。
50.进一步地，所述光感晶体管可用于根据光照在该光感晶体管的沟道产生载流子，并将载流子送至读取线上，以便于外部的处理器进行检测，从而实现光控功能。在图4中，光感晶体管47没有被黑色矩阵遮挡，从而使光线可以达到该光感晶体管的沟道，产生载流子。
51.进一步地，所述第二开关晶体管可与所述光感晶体管电连接，用于控制所述光感晶体管的工作状态。例如，在所述第二开关晶体管截止的情况下，所述光感晶体管可以也处于关断状态。
52.进一步地，至少一个所述显示模块中的第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管均包括与该晶体管相对应的有源层，其中，至少一个所述有源层设置在所述栅极绝缘层背离所述阵列基板的一侧，且位于所述钝化层中。例如，在图4中，第一开关晶体管的有源层431、光感晶体管的有源层432以及第二开关晶体管的有源层433均可设置在所述栅极绝缘层背离所述阵列基板的一侧，且位于所述钝化层中。
53.其中，至少一个所述有源层可采用光敏材料，例如氢化非晶硅(α-si:h)、有机小分子、聚合物半导体或者可以感受相应激光笔波长的金属氧化物半导体。优选的，至少一个所述有源层所采用的材料可以为氢化非晶硅(α-si:h)，α-si:h材料的光吸收率高、电阻温度
系数较大，并且其禁带宽度可控，可大面积低温成膜，生产工艺较简单。可以理解，第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管各自的有源层材料可以不同，本技术对于有源层采用的材料并不限定。
54.进一步地，至少一个所述显示模块中第一开关晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极以及光感晶体管的栅极均设置在所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，且位于所述栅极绝缘层中。例如，在图4中，第一开关晶体管的栅极421、第二开关晶体管的栅极423以及光感晶体管的栅极422均设置在所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，且位于所述栅极绝缘层中。
55.进一步地，至少一个所述显示模块中的第二存储电容包括第一电极和第二电极，其中，至少一个所述第一电极设置在所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，且位于所述栅极绝缘层中；至少一个所述第二电极设置在所述栅极绝缘层背离所述阵列基板的一侧，且位于所述钝化层中。
56.需要说明的是，由于本技术实施例的至少一个所述显示模块中第一存储电容的全部或部分与第二存储电容共用，因此第一存储电容与第二存储电容在物理层面上可以为同一个电容。也就是说，至少一个所述显示模块中的第一存储电容可以包括第四电极和第五电极，其中所述第四电极等同于所述第一电极，所述第五电极等同于所述第二电极。可以理解，这种表述上的差异并不影响本技术的发明实质。
57.例如，在图4中，第一电极424以及第二电极430既可以是第一存储电容中的两个电极，也可以是第二存储电容中的两个电极，也就是说，第一电极424以及第二电极430可以作为第一存储电容或第二存储电容的两个极板。
58.进一步地，至少一个所述显示模块中第一电极可设置在第二开关晶体管的栅极与光感晶体管的栅极之间。例如，在图4中，第一电极424设置在光感晶体管的栅极422与第二开关晶体管的栅极423之间。
59.相比于相关技术中显示面板的结构，本技术实施例通过将显示单元的第一存储电容的全部或部分与光控传感单元的第二存储电容共用，能够减少电极的数量，进而缩短黑色矩阵的尺寸，提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
60.进一步地，至少一个所述显示模块中所述第一存储电容以及所述第二存储电容均各自包括两个电极，所述第一存储电容的其中一个电极与所述第二存储电容的其中一个电极共用，且所述第一存储电容的另一电极与所述第二存储电容的另一电极不共用。即，所述第一存储电容与所述第二存储电容仅共用一个电极。即，可以将第一存储电容的全部两个极板都与第二存储电容的两个极板共用，也可以将第一存储电容的一个极板与第二存储电容的一个极板共用。可以理解，在具体实施过程中，对于第一存储电容和第二存储电容如何共用可以有多种变形，本技术实施例对于第一存储电容和第二存储电容具体如何共用并不限定。
61.进一步地，至少一个所述第二存储电容中的第一电极和第二电极沿垂直于所述阵列基板的方向相对设置，其中，至少一个所述第二存储电容中第一电极在所述阵列基板上的投影中心与第二电极在所述阵列基板上的投影中心重合。例如，在图4中，第一电极424与第二电极430分别在所述阵列基板上的投影中心重合，其中投影中心可以是第一电极或第
二电极在所述阵列基板上的投影的几何中心，这样能够减少寄生电容的产生，提高电路的稳定性。
62.进一步地，至少一个所述显示模块中设置有第三电极，至少一个所述第三电极设置在所述钝化层背离所述阵列基板的一侧。参见图4，第三电极441可通过通孔与第一开关晶体管的漏极电连接。第三电极441还可以与例如数据线等的金属走线电连接，即通过第三电极441可将数据线上的数据信号送至第一开关晶体管的漏极。可以理解，本技术对于第三电极并不限定。
63.进一步地，至少一个所述显示模块中的每个晶体管还可包括源极和漏极。例如，在图4中，第一开关晶体管可包括源极434以及漏极为435；第二开关晶体管可包括源极438以及漏极439；光感晶体管可包括源极436以及漏极437。需要说明的是，本技术的上述实施例中第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管均以各自晶体管为n型作为示例进行介绍，可以理解，晶体管还可包括p型等其他类型，本技术对于第一开关晶体管、第二开关晶体管以及光感晶体管的具体类型并不限定。
64.进一步地，第二电极430可设置在第二开关晶体管的源极438与光感晶体管的漏极437之间，并分别与第二开关晶体管的源极438以及光感晶体管的漏极437电连接。其中，第二电极430可采用与第二开关晶体管的源极438或者光感晶体管的漏极437相同的材料。
65.进一步地，至少一个所述显示模块中，所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一侧设置有黑色矩阵，该显示模块的黑色矩阵在所述阵列基板上的正投影范围与该显示模块的第二开关晶体管在所述阵列基板上的正投影范围相关联。具体的，该显示模块的黑色矩阵在所述阵列基板上的正投影范围与该显示模块的第二开关晶体管在所述阵列基板上的正投影范围相同。当然，该显示模块的黑色矩阵在所述阵列基板上的正投影范围也可大于该显示模块的第二开关晶体管在所述阵列基板上的正投影范围，本技术对此并不限定。
66.图5示出本技术实施例的显示面板结构的俯视图。
67.参见图5，将多个图4的结构进行俯视，可得到显示面板结构的俯视图。在图5中，所述显示面板可包括多个像素单元，显示单元52可以是所述多个像素单元中的任意一个像素单元中的显示部分，光控传感单元51可以是所述多个像素单元中的任意一个像素单元中的光控传感部分。
68.如图5所示，由于本技术实施例将显示单元的第一存储电容的全部或部分与光控传感单元的第二存储电容共用，减少了电极的数量，光感晶体管的上方不需要使用黑色矩阵进行遮挡，缩短黑色矩阵的尺寸，从而提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题。
69.图6示出本技术实施例的光控传感单元电路的示意图。
70.如图6所示，所述光控传感单元电路包括晶体管t1、晶体管t2、第二存储电容c、栅极线gate、第一电源信号线vdd、第二电源信号线svgg以及读取线readout。晶体管t1(即，第二开关晶体管)可以是用于开关的薄膜晶体管，晶体管t2(即，光感晶体管)可以是用于感测光线的薄膜晶体管。
71.参见图6，以晶体管t1和晶体管t2的类型均为n型为例，晶体管t1的栅极与栅极线gate电连接，晶体管t1的源极与晶体管t2的源极以及存储电容c的一端电连接，形成内部结点，晶体管t1的漏极与读取线readout电连接；晶体管t2的漏极与第一电源信号线vdd电连
接，晶体管t2的栅极与第二电源信号线svgg以及存储电容的另一端电连接。
72.在所述光控传感单元工作时，可以由栅极线gate向晶体管t1的栅极输入低电平，第一电源信号线vdd可以是高电平，第二电源信号线svgg可以是低电平。在没有光照射时，晶体管t1和晶体管t2均处于关断状态。在所述光控传感单元接收到例如激光笔的光源发出的光线时，晶体管t2感测到光线处于导通状态，此时可由栅极线gate向晶体管t1的栅极输入高电平，使得晶体管t1也处于导通状态，进而使得读取线readout可以读取到内部结点的电压值，读取线readout还可将读取到的电压值发送至位置检测单元进行处理，从而确定光线照射的具体位置。
73.其中，svgg的电压范围可以设置为-10v至0v，vdd的电压范围可以设置为0v至15v。
74.可以理解，本技术实施例的光控传感单元的电路是示例性的。对于如何检测或确定光线照射的具体位置，可以由多种不同的电路结构进行实现，本技术对于光控传感单元的具体结构并不限定。
75.此外，本技术还提供了一种显示终端，所述显示终端包括终端主体和所述显示面板，所述终端主体与所述显示面板相连接。
76.另外，在利用光罩制备本技术实施例的显示面板时，所述第一电极和所述第二电极可采用物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)成膜，然后通过湿蚀刻制程进行图形化，栅极绝缘层以及钝化层可采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)成膜，第三电极与第一开关晶体管之间的漏极之间的接触孔可采用干蚀刻制程挖洞形成。其中，所述第一电极和所述第二电极均可采用铜或者铝等金属。
77.可以理解，在实际制备所述显示面板的过程中，可以采用不同的材料、工艺或制程进行，本技术对于所述显示面板的制备方式以及制备过程并不限定。
78.综上所述，本技术实施例通过将显示单元的第一存储电容的全部或部分与光控传感单元的第二存储电容共用，能够减少第一存储电容以及第二存储电容中电极的数量，进而缩短黑色矩阵的尺寸，提高显示面板的穿透率和开口率，改善显示面板在显示画面时出现的黑线问题，适用于lcd、oled、u-led以及mini-led等领域。
79.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
80.以上对本技术实施例所提供的显示面板及显示终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。