半导体工艺和半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体工艺，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的凹槽，所述本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，所述凹槽由台阶区域形成；在所述基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的所述凹槽形成子凹槽；至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料；向所述子凹槽中填充所述介质材料，直到填满所述子凹槽；去除部分所述介质材料，使得所述本体结构的表面裸露。2.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料，包括：在所述介质材料的裸露表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料填满所述子凹槽；去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，所述预定平面为所述本体结构的远离所述衬底的表面所在的平面；去除位于所述子凹槽中的所述牺牲材料。3.根据权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于，去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，包括：去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露；去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料。4.根据权利要求3所述的半导体工艺，其特征在于，去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露，包括：对形成有所述牺牲材料的所述基底进行化学机械抛光，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露。5.根据权利要求3所述的半导体工艺，其特征在于，去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料，包括：采用各项异性刻蚀法刻蚀所述预定平面，以去除所述介质材料以及剩余的所述牺牲材料。6.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替设置的所述绝缘介质层和所述牺牲层；在所述预备堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的所述凹槽。7.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，去除部分所述介质材料，使得所述本体结构的表面裸露，包括：对形成有所述介质材料的所述基底进行化学机械抛光，以使得所述本体结构的表面裸露。8.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体工艺，其特征在于，所述介质材料包括二氧化硅，所述牺牲材料为光刻胶。9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为采用权利要求1至8中任一项所述
的半导体工艺制作得到。

技术总结
本申请提供了一种半导体工艺和半导体结构，该半导体工艺包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的凹槽，本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，凹槽由台阶区域形成；在基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的凹槽形成子凹槽；至少去除子凹槽两侧的部分介质材料；向子凹槽中填充介质材料，直到填满子凹槽；去除部分介质材料，使得本体结构的表面裸露。本申请的半导体工艺通过两次沉积步骤，来填满凹槽，保证了凹槽的填充效果较好，避免了现有技术中由于凹槽的台阶高度较大，填充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。


技术研发人员：周小红
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/1/18