一种新型mos管输出保护电路
技术领域
1.本实用新型属于电子电路技术改进领域，尤其涉及一种新型mos管输出保护电路。
背景技术：
2.mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管。是电子电路中非常常用的一种控制电路开关的器件，而且属于功率器件，能够通过大电流。
3.微硕半导体的一款mos管芯片，wsp2982。该型号的mos管，标称通过漏极和源极的电流是7安培。
4.目前，常规的使用方式，如图1-2所示，mcu通过控制引脚，控制mos管的g极（栅极），那么mos管的源极和漏极就会导通，电流就会从电源正极，流经负载，再经过mos管，最终回到电源负极，形成一个回路。但是上述电路，是存在一个很致命的问题。
5.如果在接线，或者负载存在损坏的情况的时候，当mcu控制mos管导通的时候，电流就会从电源正极出发，绕过了负载，直接流经mos管，回到电源负极，这样整个回路就没有负载了，会出现很大的电流，持续时间的大电流，电流一旦超过mos管额定电流，就会将mos管损毁。
技术实现要素：
6.本实用新型的目的在于提供一种新型mos管输出保护电路，旨在解决上述的技术问题。
7.本实用新型是这样实现的，一种新型mos管输出保护电路，所述新型mos管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器mcu及mos模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述mos模块的输入端，所述mos模块的输出端连接所述微处理器mcu的输入端。
8.本实用新型的进一步技术方案是：所述恢复模块采用的是自恢复保险管f24。
9.本实用新型的进一步技术方案是：所述mos模块包括mos管q7及电阻r238，所述mos管q7的栅极连接所述电阻r238的一端，所述mos管q7的源极连接所述自恢复保险管f24的一端。
10.本实用新型的进一步技术方案是：所述自恢复保险管f24采用的型号是smd1812p050tf/30v-0.5a。
11.本实用新型的进一步技术方案是：所述微处理器mcu包括芯片u29、电阻r239、电容c109、电容c108及电容c109，所述芯片u29的第4脚分别连接所述电阻r239的一端及电容c109的一端，所述芯片u29的第9脚分别连接所述电容c107的一端及电容c108的一端。
12.本实用新型的进一步技术方案是：所述微处理器mcu采用的型号是n76e003tssop20。
13.本实用新型的有益效果是：该电路结构简单、使用方便，有效的保护的mos管，减少
的损害，降低了成本。在常规mos管电路的基础上，进行最小的改动，只是增加一个自恢复保险管即可以实现对mos管电路的过流保护。是一个可实施度非常高的方案。
14.可靠性非常高。自恢复保险管属于热敏器件，基于材料的热敏特性工作的，本身功能很简单，而且作为常规电子元器件，在使用过程中，损坏的概率很低很低，这也为整个电路的可靠运行提供保障。
附图说明
15.图1是现有技术框图一。
16.图2是现有技术框图二。
17.图3是本实用新型实施例提供的新型mos管输出保护电路的结构框图。
18.图4是本实用新型实施例提供的新型mos管输出保护电路的电气原理图。
具体实施方式
19.通过分析电路特点，对电路进行改进，常规mos管使用电路，存在损毁mos管的原因是在负载短路的情况下，会有大电流经过，导致mos管损毁。那么如果能将电路中的电流进行限制，就可以起到就算负载短路的情况下，也能够起到保护mos管不被损毁的情况。
20.如图3-4所示，本实用新型提供的新型mos管输出保护电路，所述新型mos管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器mcu及mos模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述mos模块的输入端，所述mos模块的输出端连接所述微处理器mcu的输入端。
21.所述恢复模块采用的是自恢复保险管f24。所述自恢复保险管f24采用的型号是smd1812p050tf/30v-0.5a。
22.所述mos模块包括mos管q7及电阻r238，所述mos管q7的栅极连接所述电阻r238的一端，所述mos管q7的源极连接所述自恢复保险管f24的一端。
23.所述微处理器mcu包括芯片u29、电阻r239、电容c109、电容c108及电容c109，所述芯片u29的第4脚分别连接所述电阻r239的一端及电容c109的一端，所述芯片u29的第9脚分别连接所述电容c107的一端及电容c108的一端。所述微处理器mcu采用的型号是n76e003tssop20。
24.当负载存在短路的时候，电流会直接越过负载流经自恢复保险管，然后流经mos管，最后回到电源负极。
25.当电流比较大的时候，自恢复保险管就会因为发热导致其内阻急剧增大，最终在整个电路中起到等效断路的效果，截断电路电流，一旦阻止了大电流的经过，mos管也就可以得到保护，而且也起到了对电源的保护。
26.因为output_port会接感性负载，比如继电器，在mos管切断的时候，因为继电器是一个电感线圈，有维持电流保持不变的特性。在mos管切断的时候，还是会有电流从output_port流入，因为mos管已经切断，需要留有让电流返回的通道。电流会流经d32，再回到 24vex电源部分。r238用于消除信号振铃效应。
27.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本
实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.一种新型mos管输出保护电路，其特征在于：所述新型mos管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器mcu及mos模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述mos模块的输入端，所述mos模块的输出端连接所述微处理器mcu的输入端。2.根据权利要求1所述的新型mos管输出保护电路，其特征在于，所述恢复模块采用的是自恢复保险管f24。3.根据权利要求2所述的新型mos管输出保护电路，其特征在于，所述mos模块包括mos管q7及电阻r238，所述mos管q7的栅极连接所述电阻r238的一端，所述mos管q7的源极连接所述自恢复保险管f24的一端。4.根据权利要求3所述的新型mos管输出保护电路，其特征在于，所述自恢复保险管f24采用的型号是smd1812p050tf/30v-0.5a。5.根据权利要求4所述的新型mos管输出保护电路，其特征在于，所述微处理器mcu包括芯片u29、电阻r239、电容c109、电容c108及电容c109，所述芯片u29的第4脚分别连接所述电阻r239的一端及电容c109的一端，所述芯片u29的第9脚分别连接所述电容c107的一端及电容c108的一端。6.根据权利要求4所述的新型mos管输出保护电路，其特征在于，所述微处理器mcu采用的型号是n76e003tssop20。
技术总结
本实用新型适用于电子电路技术改进领域，提供了一种新型MOS管输出保护电路,所述新型MOS管输出保护电路包括电源模块、负载模块、恢复模块、微处理器MCU及MOS模块，所述电源模块的输出端连接所述负载模块的输入端，所述负载模块的输出端连接所述恢复模块的输入端，所述恢复模块的输出端连接所述MOS模块的输入端，所述MOS模块的输出端连接所述微处理器MCU的输入端。该电路结构简单、使用方便，有效的保护的MOS管，减少的损害，降低了成本。降低了成本。降低了成本。
技术研发人员：李伟东 刘德权
受保护的技术使用者：深圳市恒控科技有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2022/1/14
再多了解一些
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