有机发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种有机发光器件，包括：第一电极；第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；设置在所述第一电极与所述发光层之间的第一有机物层；以及设置在所述第二电极与所述发光层之间的第二有机物层，其中所述第一有机物层包含由下述化学式1表示的化合物，以及所述第二有机物层包含由下述化学式2表示的化合物：化学式1在所述化学式1中，ar1和ar2彼此相同或不同，各自独立地为被烷基或芳基取代或未取代的芳基，r1为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，或者相邻的基团彼此结合而形成取代或未取代的环，n为1至8的整数，n为2以上时，2个以上的r1彼此相同或不同，化学式2在所述化学式2中，l为直接键合、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的2价的烷氧基、取代或未取代的2价的烯基、或者取代或未取代的亚杂芳基，x1为n或cr11，x2为n或cr12，x3为n或cr13，x1至x3中的至少一个为n，r11至r13彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、氰基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或
未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基硫基、取代或未取代的芳基硫基、取代或未取代的烷基磺酰基、取代或未取代的芳基磺酰基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基膦基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，ar3和ar4彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的芳基烷基、取代或未取代的芳基烯基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述化学式1由下述化学式1-1或1-2表示：化学式1-1化学式1-2在所述化学式1-1和1-2中，ar1、ar2、r1和n的定义与所述化学式1中的定义相同。3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述化学式2由下述化学式2-1至2-4中的任一个表示：化学式2-1
化学式2-2化学式2-3化学式2-4在所述化学式2-1至2-4中，l、ar3、ar4和x1至x3的定义与所述化学式2中的定义相同。4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述化学式1由下述化学式1-3至1-6中的任一个表示：化学式1-3化学式1-4
化学式1-5化学式1-6在所述化学式1-3至1-6中，ar1和ar2的定义与所述化学式1中的定义相同，g1和g2彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，g1为1至10的整数，g2为1至8的整数，g1为2以上时，2个以上的g1彼此相同或不同，g2为2以上时，2个以上的g2彼此相同或不同。5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述ar1和ar2彼此相同或不同，各自独立地为被苯基、萘基或菲基取代或未取代的苯基；被苯基、萘基或菲基取代或未取代的联苯基；被苯基、萘基或菲基取代或未取代的萘基；被苯基、萘基或菲基取代或未取代的菲基；被
苯基、萘基或菲基取代或未取代的三联苯基；或者被甲基取代或未取代的芴基。6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述l为直接键合、取代或未取代的亚苯基、或者取代或未取代的亚联苯基。7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述化学式1由下述化合物中的任一个表示：
8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述化学式2由下述化合物中的任一个表示：
9.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、或者空穴注入和传输层，所述空穴注入层、所述空穴传输层、或者所述空穴注入和传输层包含由所述化学式1表示的化合物。10.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二有机物层包括电子注入层、电子传输层、或者电子注入和传输层，所述电子注入层、电子传输层、或者电子注入和传输层包含由所述化学式2表示的化合物。11.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一有机物层包括电子阻挡层，所述电子阻挡层包含由所述化学式1表示的化合物。12.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二有机物层包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层包含由所述化学式2表示的化合物。13.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件还包括空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、电子传输和注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、以及
空穴传输和注入层中的一层或更多层有机物层。

技术总结
本说明书提供包含由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物的有机发光器件。和由化学式2表示的化合物的有机发光器件。和由化学式2表示的化合物的有机发光器件。


技术研发人员：车龙范 许东旭 洪性佶
受保护的技术使用者：株式会社LG化学
技术研发日：2020.08.13
技术公布日：2022/1/10