作为SiC的制作方法

技术特征：
1.一种基本上同时在至少一种介电材料与至少一种金属材料两者上产生基本均匀的硅碳化物层的方法，该方法包括：在所述至少一种介电材料与所述至少一种金属材料上形成si
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形式的硅氮化物层；以及在所述硅氮化物层上形成sic
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形式的所述硅碳化物层。2.根据权利要求1所述的方法，其中与所述硅碳化物层在所述至少一种介电材料上的成核与生长相比，所形成的所述硅氮化物层基本上避免了所述硅碳化物层在所述至少一种金属材料上的成核与生长中的延迟。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅碳化物层还包含氢。4.根据权利要求1所述的方法，其还包括在半导体材料上形成所述硅氮化物层。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种金属材料还包括至少一种材料，所述至少一种材料选自于包括钨(w)、钛(ti)、钽(ta)、钴(co)、铜(cu)、铂(pt)和钌(ru)的材料。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种介电材料包括至少一种材料，所述至少一种材料选自包括二氧化硅(sio2)、硅氮化物(si
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)、五氧化二钽(ta2o5)、铝氧化物(al2o3)、铪氧化物(hfo2)、二氧化锆(zro2)、镧氧化物(la
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)、钛酸锶(srtio3)、锶氧化物(sro)的材料。7.根据权利要求1所述的方法，其中sic
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形式的所述硅碳化物层是硅碳氧化物层。8.一种用于形成硅碳化物层的方法，所述方法包括：在至少介电材料和金属材料上基本上同时形成si
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形式的硅氮化物初始层，所述硅氮化物初始层用作生长初始层；以及在所述硅氮化物初始层上形成sic
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形式的所述硅碳化物层，与所述硅碳化物层在所述介电材料上的成核与生长相比，所形成的所述硅氮化物初始层基本上避免了所述硅碳化物层在所述金属材料上的成核与生长中的延迟。9.根据权利要求8所述的方法，其还包括与在至少所述介电材料和所述金属材料上形成所述硅氮化物初始层基本上同时地在半导体材料上形成所述硅氮化物初始层。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述硅碳化物层包括掺杂硅碳化物与未掺杂硅碳化物中的至少一者。11.根据权利要求8所述的方法，其中在所述介电材料和所述金属材料上所形成的所述硅碳化物之间的偏差厚度小于约2nm。12.根据权利要求8所述的方法，其还包括将所述硅氮化物初始层基本上同时地形成在不同类型的介电材料与不同类型的金属材料的组合上。13.根据权利要求8所述的方法，其中所述硅碳化物层还包括氢。14.一种用于形成硅碳化物层的方法，所述方法包括：在沉积室中的衬底上形成至少一种金属材料与至少一种介电材料的层；在位于所述衬底上的所述至少一种金属材料与所述至少一种介电材料上形成si
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形式的硅氮化物以作为初始层；以及后续在所述硅氮化物上形成至少一层，所述至少一层包括选自包括si
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形式的硅碳化物、si
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形式的硅碳氮化物、sic
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形式的硅碳氮氧化物、以及si
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形式的硅碳氧化物的材料中的材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中在与直接等离子体操作中进行后续的si
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沉积相同的室中形成所述si
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。16.根据权利要求14所述的方法，其中所述si
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在不同室中形成，接着在远程等离子体操作中进行后续的si
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沉积。17.根据权利要求14所述的方法，其中使所述si
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形成为具有约20nm至约200nm的厚度。18.根据权利要求14所述的方法，其中使所述si
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形成为具有小于约20nm的厚度。19.根据权利要求14所述的方法，其中使所述si
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形成为具有大于约200nm的厚度。20.根据权利要求14所述的方法，其中所述硅碳化物、所述硅碳氮化物、所述硅碳氮氧化物、以及所述硅碳氧化物包括所列出的基于硅的化合物的掺杂与未掺杂版本中的至少一者。

技术总结
在一实施方案中，所公开的主题是一种方法，其用于在介电材料与金属材料两者上产生基本均匀的硅碳化物层。在一示例中，该方法包括在介电材料与金属材料上形成硅氮化物层，并在该硅氮化物层上形成硅碳化物层。公开其他的方法。法。法。


技术研发人员：袁光璧 龚波 耶瓦
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.05.05
技术公布日：2022/1/10