改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法与流程

本发明涉及PTFE电路板制造技术领域，尤其是涉及一种改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法。

背景技术

随着通信技术的不断发展，信号传输速率越来越快，雷达、天线类PCB要求基板材料的介电常数小、介质损耗低，因此越来越多该类型的PCB基板选择以PTFE作为原料进行加工制作。

在PTFE电路板生产过程中，由于PTFE为热塑性材料，在钻孔的过程中孔内壁容易出现钻污和残留的PTFE余胶，同时PTFE的化学稳定性非常高，常规化学除胶方法对PTFE电路板导通孔的除胶效果微乎其微，导通孔处的PTFE余胶会在沉铜后形成孔铜瘤堵塞导通孔。

技术实现要素：

本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，为此，本发明提出一种改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，能够避免PTFE余胶造成导通孔堵塞。

根据本发明的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，包括如下步骤：

开料：裁切双面覆铜板，双面覆铜板的中间层为PTFE板层；

第一次钻孔：选取第一钻刀，对双面覆铜板进行第一次钻孔，得到导通孔；

第一次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，再对双面覆铜板进行第一次沉铜，使导通孔的孔壁附着铜层；

第二次钻孔：选取直径比第一钻刀直径小0.05mm的第二钻刀，对导通孔进行第二次钻孔，将第一次沉铜产生铜瘤钻掉排出；

第二次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，再对双面覆铜板进行第二次沉铜。

根据本发明实施例的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，至少具有如下有益效果：通过第一次沉铜使第一钻孔时孔内产生的毛刺充分伸张，再通过第二次钻孔将伸张出来的毛刺切断并排出，由此避免PTFE电路板导通孔的堵塞。

根据本发明的一些实施例，第一次沉铜的沉铜厚度为3～5μm。

根据本发明的一些实施例，第二次沉铜的沉铜厚度为25～30μm。

根据本发明的一些实施例，PTFE板层的组分包括PTFE和玻璃布。

根据本发明的一些实施例，第一次钻孔的钻孔速度为80～100kr/min。

根据本发明的一些实施例，第二次钻孔的钻孔速度为90～110kr/min。

根据本发明的一些实施例，等离子除胶的温度控制在85～95℃。

根据本发明的一些实施例，等离子除胶包括：

升温：设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000～1500cc/min、氮气流量为300～400cc/min；

除胶：设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000～2000cc/min、氮气流量为200～250cc/min、四氟化碳气体流量为180～220cc/min；

除灰：设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000～1500cc/min。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明；

图1是本发明实施例的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法的流程图。

具体实施方式

本部分将详细描述本发明的具体实施例，本发明之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本发明的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本发明保护范围的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

参考图1描述根据本发明实施例的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法。

如图1所示，根据本发明实施例的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，包括：裁切双面覆铜板，双面覆铜板的中间层为PTFE板层；选取第一钻刀，对双面覆铜板进行第一次钻孔，得到导通孔；先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，再对双面覆铜板进行第一次沉铜，使导通孔的孔壁附着铜层；选取直径比第一钻刀直径小0.05mm的第二钻刀，对导通孔进行第二次钻孔，将第一次沉铜产生铜瘤钻掉排出；先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，再对双面覆铜板进行第二次沉铜。

具体地，PTFE板层由玻璃布和PTFE材料组成，双面覆铜板由PTFE板层双面覆以铜箔并经热压而制成，首先裁切双面覆铜板，并在两面铜面上贴覆干膜，通过曝光显影，蚀刻出所需图形，得到电路板；选取第一钻刀对电路板进行第一次钻孔，第一钻刀转速控制在80～100kr/min，在钻刀切割PTFE板层时会产生大量的热量，导致PTFE材料受热形成熔胶，粘附在导通孔内壁上，形成毛刺；用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶；对电路板进行沉铜，沉铜厚度为3～5μm，通过沉薄铜让孔内毛刺充分伸张，形成铜瘤；选取第二钻刀，第二钻刀的直径比第一钻刀直径小0.05mm，用第二钻刀对导通孔进行再次钻孔，第二钻刀转速控制在90～100kr/min，第二次钻孔将第一次沉铜中伸张出来的毛刺切断并排出；用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶；对电路板进行第二次沉铜，沉铜厚度为25～30μm。由此，本改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法可以避免导通孔孔壁结瘤堵孔问题，提高PTFE电路板信号传递的稳定性。

可以想到的是，本改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法同样适用于多层PTFE电路板的钻孔工艺，当制得多层PTFE电路板并且需要加工导通孔时，可以通过上述步骤加工，避免出现导通孔堵塞的情况。

下面描述本发明具体实施例的改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法。

实施例1

本发明改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，包括以下步骤：

开料：裁切双面覆铜板，双面覆铜板的中间层为PTFE板层。

第一次钻孔：选取钻刀直径为0.25mm的第一钻刀，对双面覆铜板进行第一次钻孔，钻孔速度为80kr/min，得到导通孔。

第一次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，等离子除胶的温度控制在90℃，设置等离子设备的参数，使氧气流量为1500cc/min、氮气流量为400cc/min，完成升温；设置等离子设备的参数，使氧气流量为2000cc/min、氮气流量为250cc/min、四氟化碳气体流量为220cc/min，完成除胶；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1500cc/min，完成除灰。再对双面覆铜板进行第一次沉铜，沉铜厚度为3μm，使导通孔的孔壁附着铜层。

第二次钻孔：选取钻刀直径为0.20mm的第二钻刀，对导通孔进行第二次钻孔，钻孔速度为90kr/min，将第一次沉铜产生铜瘤钻掉排出；

第二次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，等离子除胶的温度控制在90℃，设置等离子设备的参数，使氧气流量为1500cc/min、氮气流量为400cc/min，完成升温；设置等离子设备的参数，使氧气流量为2000cc/min、氮气流量为250cc/min、四氟化碳气体流量为220cc/min，完成除胶；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1500cc/min，完成除灰。再对双面覆铜板进行第二次沉铜，沉铜厚度为25μm。

通过上述方法制得PTFE电路板的导通孔，孔内没有结瘤，避免导通孔堵塞。

实施例2

本发明改善PTFE电路板导通孔堵塞的加工方法，包括以下步骤：

开料：裁切双面覆铜板，双面覆铜板的中间层为PTFE板层。

第一次钻孔：选取钻刀直径为0.35mm的第一钻刀，对双面覆铜板进行第一次钻孔，钻孔速度为100kr/min，得到导通孔。

第一次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，等离子除胶的温度控制在95℃，设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min、氮气流量为300cc/min，完成升温；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min、氮气流量为200cc/min、四氟化碳气体流量为180cc/min，完成除胶；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min，完成除灰。再对双面覆铜板进行第一次沉铜，沉铜厚度为5μm，使导通孔的孔壁附着铜层。

第二次钻孔：选取钻刀直径为0.30mm的第二钻刀，对导通孔进行第二次钻孔，钻孔速度为110kr/min，将第一次沉铜产生铜瘤钻掉排出；

第二次沉铜：先用等离子除胶机对双面覆铜板进行等离子除胶，等离子除胶的温度控制在95℃，设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min、氮气流量为300cc/min，完成升温；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min、氮气流量为200cc/min、四氟化碳气体流量为180cc/min，完成除胶；设置等离子设备的参数，使氧气流量为1000cc/min，完成除灰。再对双面覆铜板进行第二次沉铜，沉铜厚度为30μm。

通过上述方法制得多层PTFE电路的导通孔，孔内没有结瘤，避免导通孔堵塞。

上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。