掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法与流程

技术特征：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：器件图案，用于在曝光时显影至覆盖半导体结构的光刻胶中；标记图案，用于监测所述器件图案与设计版图之间的偏差，包括：第一子标记图案，用于在所述曝光时显影至覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中；其中，所述第一子标记图案与所述器件图案相同；和/或，第二子标记图案，用于在所述曝光时在覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中不成像。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子标记图案与所述器件图案相同，包括：所述第一子标记图案的特征尺寸与所述器件图案的特征尺寸相同。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在所述器件图案透光时，所述标记图案透光；或，在所述器件图案不透光时，所述标记图案不透光。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子标记图案的特征尺寸小于250nm。5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述器件图案的形状包括：圆形或矩形；所述第二子标记图案的形状包括：十字型或l型。6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括：中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域；所述器件图案位于所述中心区域；所述标记图案位于所述边缘区域。7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的组成材料包括：铬和玻璃。8.一种光刻系统，其特征在于，包括：如权利要求1至7任一项所述的掩膜版；光刻设备；其中，所述器件图案用于通过所述光刻设备显影至覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中；所述第一子标记图案的特征尺寸大于或等于所述光刻设备的分辨率；所述第二子标记图案的特征尺寸小于所述光刻设备的分辨率。9.根据权利要求8所述的光刻系统，其特征在于，所述光刻设备包括：i线光刻机、krf光刻机、arf光刻机或浸没式arf光刻机。10.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件应用如权利要求1至7任一项所述的掩膜版制作而成，所述方法包括：形成覆盖半导体结构的光刻胶层；对准所述器件图案和所述半导体结构上用于形成器件的区域；对准所述标记图案和所述半导体结构上用于形成标记的区域；执行曝光处理，将所述器件图案和所述第一子标记图案显影至覆盖半导体结构的光刻胶中，以形成图案化的光刻胶层。

技术总结
本公开实施例公开了一种掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法。所述掩膜版包括：器件图案，用于在曝光时显影至覆盖半导体结构的光刻胶中；标记图案，用于监测所述器件图案与设计版图之间的偏差，包括：第一子标记图案，用于在所述曝光时显影至覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中；其中，所述第一子标记图案与所述器件图案相同；和/或，第二子标记图案，用于在所述曝光时在覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中不成像。光刻胶中不成像。光刻胶中不成像。


技术研发人员：张翩 谭锦丹 孙畅
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2022/1/6