一种适用于无线MCU的高性能锁相环及其频率的校正方法与流程

技术特征：
1.一种适用于无线mcu的高性能锁相环，其特征在于：包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控/数控振荡器、分频器、ldo、spvt检测电路（1）、寄存器（2）；其中鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控/数控振荡器、分频器、鉴频鉴相器依次连接，ldo分为数字ldo和低噪声高电源抑制比ldo，低噪声高电源抑制比ldo与压控/数控振荡器连接，数字ldo与其他部件连接，spvt检测电路与寄存器连接，用于锁相环第一次使用前、每次上电时及正常使用时的校正，以得到低相位噪声高精度时钟频率。2.根据权利要求1所述的适用于无线mcu的高性能锁相环，其特征在于：所述的spvt检测电路包括开环频谱检测电路、工艺角检测电路、电压检测电路和温度检测电路。3.根据权利要求2所述的适用于无线mcu的高性能锁相环，其特征在于：所述的寄存器内存储有锁相环第一次使用前预设的环境温度和晶体管结温度、标定的ldo控制字和开关电容控制字，标定的开关电容控制字用于调整压控/数控振荡器的调谐开关电容，标定的ldo控制字用于调整ldo的输出电压。4.一种适用于无线mcu的高性能锁相环频率的校正方法，其特征在于：采用权利要求1至3之一所述的适用于无线mcu的高性能锁相环，在第一次使用前将预设的环境温度和晶体管结温度、标定的ldo控制字和开关电容控制字写入寄存器；在每次上电后导入寄存器内的内容，结合spvt检测电路检测温度检测的结果，通过调整偏置电流调整压控/数控振荡器的跨导至预置结温下需要的压控振荡器跨导，通过调整压控/数控振荡器的开关电容使其自由振荡频率到需要锁定的频率；在正常使用过程中，通过启动低噪声高电源抑制比ldo使锁相环快速锁定并输出低相位噪声高精度时钟。5.如权利要求4所述的校正方法，其特征在于：第一次使用前校正的步骤为：步骤s101：对芯片进行工艺角检测，调整并适配的ldo输出电压作为标定的ldo控制字；步骤s102：对压控/数控振荡器进行开环频谱检测，调整其开关电容输出频率作为标定的开关电容控制字；步骤s103：预设环境温度和晶体管结温度；步骤s104：将预设的环境温度和晶体管结温度、标定的ldo控制字和开关电容控制字写入寄存器。6.如权利要求4所述的校正方法，其特征在于：每次上电后校正的步骤为：步骤s201：从寄存器导入标定的ldo控制字和开关电容控制字；步骤s202：spvt检测电路进行温度检测；步骤s203：通过调整偏置电流调整压控/数控振荡器的跨导至适配预置结温；步骤s204：spvt检测电路进行开环频谱检测，通过压控/数控振荡器的开关电容进一步调整输出频率。7.如权利要求4所述的校正方法，其特征在于：正常使用时校正的步骤为：步骤s301：启动低噪声高电源抑制比ldo；步骤s302：启动锁相环路；步骤s303：锁相环路快速锁定并输出低相位噪声高精度时钟。

技术总结
本发明涉及一种适用于无线MCU的高性能锁相环及其频率的校正方法，属于振荡器技术领域。其特征在于：包括鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控/数控振荡器、分频器、LDO、SPVT检测电路、寄存器；其中鉴频鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控/数控振荡器、分频器、鉴频鉴相器依次连接，LDO分为数字LDO和低噪声高电源抑制比LDO，低噪声高电源抑制比LDO与压控/数控振荡器连接，数字LDO与其他部件连接，SPVT检测电路与寄存器连接，用于锁相环第一次使用前、每次上电时及正常使用时的校正，以得到低相位噪声高精度时钟频率。本发明降低了锁相环锁定的难度、缩短了锁相环锁定时间、尤其适用于无线MCU。MCU。MCU。


技术研发人员：张子三 丁晓兵 丰思远 孙双豪 李春林
受保护的技术使用者：上海芯旺微电子技术有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/1/6