电子设备及其控制方法、计算机设备和可读存储介质与流程

1.本技术涉及天线技术领域，特别是涉及一种电子设备及其控制方法、计算机设备和可读存储介质。


背景技术：

2.随着技术的发展和进步，移动通信技术逐渐开始应用于电子设备，例如手机等。对于支持5g通信技术的电子设备，在非独立组网(non-standalone，nsa)模式下通常采用4g信号和5g信号的双连接模式的射频架构。但是，电子设备工作在单连接模式(例如，支持4g lte的长期演进网络lte工作模式)时，若温度过高会触发温度保护机制，通过降低发射链路的功率以实现降温的目的，但是，该温度保护机制会影响电子设备的上行性能。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种电子设备及其控制方法、计算机设备和可读存储介质，电子设备可以在单连接模式提升高温下的电子设备的上行表现力。
4.第一方面，本技术的实施例提供一种电子设备，所述电子设备支持双连接模式和单连接模式，其中，所述电子设备包括：
5.第一发射电路，用于支持对第一网络的第一射频信号的发射处理；
6.第二发射电路，用于支持对第二网络的第二射频信号的发射处理，其中，所述第一射频信号和所述第二射频信号的频率范围在预设范围内；
7.温度检测电路，用于感测所述第一发射电路的第一温度信息以及所述第二发射电路的第二温度信息；
8.处理器，分别与所述第一发射电路、第二发射电路、温度检测电路连接，所述处理器被配置为：
9.响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标发射电路；其中，所述目标发射电路为所述第一发射电路和所述第二发射电路中的一个；
10.控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信；所述双连接模式为所述电子设备共同基于所述第一发射电路和第二发射电路实现对所述第一射频信号和第二射频信号的双发射。
11.本实施例中，电子设备可支持双连接模式和单连接模式，电子设备可包括第一发射电路、第二发射电路、温度检测电路和处理器，其中，第一发射电路、第二发射电路均可以支持对4g lte信号的发射处理，也即，第一发射电路、第二发射电路均具有维持电子设备的lte网络的能力，处理器可响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据温度检测电路检测的所述第一温度信息和所述第二温度信息从第一发射电路和第二发射电路中确定目标发射电路，进而可控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。这样就可以避免相关技术中，发射电路的温度过高会触发降低发射电路中功率放大器的发射
功率、降低上行速率的温度保护机制的情况发生，可以降低发射电路工作温度，提升电子设备上行的使用时间。同时，本技术实施例提供的电子设备，既可以支持双连接模式也可以支持单连接模式，在不需要增加额外的器件的基础上，还可以提高电子设备的上行通信速率以及可靠度，成本低。
12.第二方面，本技术的实施例提供一种电子设备的控制方法，应用于支持双连接模式和单连接模式的电子设备，其中，所述方法包括：
13.获取第一发射电路的第一温度信息以及第二发射电路的第二温度信息；其中，所述第一发射电路用于支持对第一网络的第一射频信号的发射处理；所述第二发射电路用于支持对第二网络的第二射频信号的发射处理，且所述第一射频信号和所述第二射频信号的频率范围在预设范围内；
14.响应于由双连接模式切换至单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标发射电路；其中，所述目标发射电路为所述第一发射电路和所述第二发射电路中的一个；
15.控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信；所述双连接模式为所述电子设备共同基于所述第一发射电路和第二发射电路实现对所述第一射频信号和第二射频信号的双发射。
16.本实施例中，电子设备的控制方法包括感测第一发射电路的第一温度信息以及第二发射电路的第二温度信息，响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息从第一发射电路和第二发射电路中确定目标发射电路，进而可控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。这样就可以避免相关技术中，发射电路的温度过高会触发降低发射电路中功率放大器的发射功率、降低上行速率的温度保护机制的情况发生，可以降低发射电路工作温度，提升电子设备上行的使用时间。同时，还可以提高电子设备的上行通信速率以及可靠度。
17.第三方面，本技术的实施例提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现前述的电子设备的控制方法的步骤。
18.第四方面，本技术的实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现前述的电子设备的控制方法的步骤。
19.可以理解，上述提供的第三方面所述的计算机设备以及第四方面所述的计算机可读存储介质所能达到的有益效果，可以参考上述如第二方面所述的电子设备的控制方法及其中任意一种实施例中的有益效果，在此不予赘述。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为一个实施例中电子设备的框架示意图之一；
22.图2为一个实施例中电子设备的框架示意图之二；
23.图3为一个实施例中电子设备的框架示意图之三；
24.图4为一个实施例中电子设备的框架示意图之四；
25.图5为一个实施例中电子设备的框架示意图之五；
26.图6为一个实施例中电子设备的框架示意图之六；
27.图7为一个实施例中电子设备的控制方法的流程示意图；
28.图8为一个实施例中更新目标发射电路的流程示意图；
29.图9为另一个实施例中电子设备的控制方法的流程示意图；
30.图10为再一个实施例中电子设备的控制方法的流程示意图；
31.图11为一个实施例中手机的结构示意图。
具体实施方式
32.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
33.可以理解，本技术所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本技术的范围的情况下，可以将第一发射电路称为第二发射电路，且类似地，可将第二发射电路称为第一发射电路。第一发射电路和第二发射电路两者都是发射电路，但其不是同一发射电路。
34.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
35.本技术实施例涉及的电子设备可以为具有无线通信功能的电子设备，其电子设备可以为手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(user equipment，ue)(例如，手机)，移动台(mobile station，ms)等等。为方便描述，上面提到的设备统称为电子设备。
36.本技术实施例提供一种电子设备。本技术实施例提供的电子设备被配置为支持双连接模式和单连接模式。其中，双连接模式可以理解为5g nr的非独立组网工作模式。其中，非独立组网工作模式包括en-dc、ne-dc和ngen-dc构架中的任一种。在本技术实施例中，以非独立组网工作模式为en-dc构架为例进行说明。e为演进的通用移动通信系统地面无线接入(evolved-universal mobile telecommunications system terrestrial radio access，e-utra)，代表移动终端的4g无线接入；n为新空口(new radio，nr)，代表移动终端的5g无线连接；dc为双连接(dual connectivity)，代表4g和5g的双连接。在en-dc模式下，以4g核心网为基础，射频系统能够实现同时与4g基站和5g基站进行双连接。
37.单连接模式可以理解为支持4g lte的长期演进网络(long term evolution，lte)工作模式。也即，本技术实施例提供的射频系统可工作在非独立组网nsa工作模式和lte工作模式下(或称之为lte only工作模式)。
38.如图1所示，在其中一个实施例中，本技术实施例提供的电子设备包括第一发射电路110、第二发射电路120、温度检测电路130和处理器140。其中，处理器140可分别与第一发射电路110、第二发射电路120、温度检测电路130连接。具体的，处理器140包括微处理器、微控制器、数字信号处理器、基带处理器、射频收发器141、功率管理单元、专用集成电路中的至少一个等。处理器140可以被配置为实现控制电子设备中的双连接模式、单连接模式使用的控制算法。处理器140还可以发出用于控制射频系统中各开关的控制命令等。
39.第一发射电路110，用于支持对第一网络的第一射频信号的发射处理。其中，第一网络可以为长期演进(long term evolution)lte网络。第二发射电路120，用于支持对第二网络的第二射频信号的发射处理，其中，所述第一射频信号和所述第二射频信号的频率范围在预设范围内。其中，第二网络可以为新空口(new radio)nr网络。其中，第一射频信号可包括低频信号、中频信号和高频信号，或，第二射频信号也可包括低频信号、中频信号和高频信号。其中，低频信号、中频信号、高频信号的频段划分如表1所示。
40.表1为低频信号、中频信号、高频信号的频段划分表
[0041][0042]
需要说明的是，5g网络中沿用4g所使用的频段，仅更改序号之前的标识。
[0043]
第一射频信号和第二射频信号的频率范围在预设范围内。第一射频信号和第二射频信号的双发射组合可以满足4g lte信号和5g nr信号之间的不同en-dc组合的配置要求，如表2所示。
[0044]
表2为4g lte信号和5g nr信号之间的不同en-dc组合配置表
[0045]
4g lte频段5g nr频段en-dclll lmmm mhhh h
[0046]
具体的，若第一射频信号为4g lte低频信号，则第二射频信号可以为5g nr低频信号；若第一射频信号为4g lte中频信号，则第二射频信号可以为5g nr中频信号；若第一射频信号为4g lte高频信号，则第二射频信号可以为5g nr高频信号。需要说明的是，在本技术实施例中，对en-dc组合不限于上述举例说明，还可以包括其他4g lte信号和5g nr信号之间的en-dc组合。
[0047]
由于第一射频信号和第二射频信号的频率范围在预设范围内，因此，同一发射电路均可以支持对第一射频信号、第二射频信号的发射处理。示例性的，第一发射电路110、第二发射电路120均可支持对低频段的4g信号、5g信号的发射处理。可选地，第一发射电路110、第二发射电路120均可支持对中频段的4g信号、5g信号的发射处理。可选地，第一发射
电路110、第二发射电路120均可支持对高频段的4g信号、5g信号的发射处理。具体的，第一发射电路110、第二发射电路120均设置有功率放大器，其可以对接收的射频信号进行功率放大处理。示例性的，第一发射电路110、第二发射电路120中每一个都可以为多频多模功率放大器(multi-band multi-mode power amplifier，mmpa)、集成双工器的功率放大器模组(power amplifier module integrated duplexer，pa mid)，也可以为内置低噪声放大器的pa mid，也即，l-pa mid。
[0048]
所述双连接模式为所述电子设备共同基于所述第一发射电路110和第二发射电路120实现对所述第一射频信号和第二射频信号的双发射。也即，电子设备在双连接模式下，所述第一发射电路110、所述第二发射电路120共同实现对所述第一射频信号和所述第二射频信号的双发射处理。具体的，在双连接模块下，射频收发器141可输出第一射频信号至第一发射电路110，并同时输出第二射频信号至第二发射电路120。其中，第一发射电路110可对接收的第一射频信号进行功率放大处理后，输出至第一天线ant1。同时，第二发射电路120可对接收的第二射频信号进行功率放大处理后，输出至第二天线ant2，以实现对第一射频信号和第二射频信号的双发射。
[0049]
电子设备在单连接模式下，第一发射电路110、所述第二发射电路120可分别可对接收的第一射频信号进行功率放大处理。
[0050]
温度检测电路130，用于感测所述第一发射电路110的第一温度信息以及所述第二发射电路120的第二温度信息。具体的，如图2所示，温度检测电路130可包括第一温度检测单元131和第二温度检测单元132。其中，第一温度检测单元131可用于检测第一发射电路110的温度信息，可将其记为第一温度信息。第二温度检测单元132可用于检测第二发射电路120的温度信息，可将其记为第二温度信息。
[0051]
处理器140被配置为：响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标发射电路，控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。其中，所述目标发射电路为所述第一发射电路110和所述第二发射电路120中的一个。其中，切换请求可以理解为请求从双连接模式切换(或，回退)至单连接模式。处理器140可响应于切换请求，以获取温度检测电路130获取的第一温度信息和第二温度信息，并可根据第一温度信息、第二温度信息从第一发射电路110和第二发射电路120中来确定目标发射电路。示例性的，可以将温度稍低的发射电路作为目标发射电路，并控制目标发射电路工作，除目标发射电路以外的发射电路处于休眠状态，以使电子设备由双连接模式切换至采用目标发射电路进行通信的单连接模式。
[0052]
本实施例中，电子设备可支持双连接模式和单连接模式，电子设备可包括第一发射电路110、第二发射电路120、温度检测电路130和处理器140，其中，第一发射电路110、第二发射电路120均可以支持对4g lte信号的发射处理，也即，第一发射电路110、第二发射电路120均具有维持电子设备的lte网络的能力，处理器140可响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据温度检测电路130检测的所述第一温度信息和所述第二温度信息从第一发射电路110和第二发射电路120中确定目标发射电路，进而可控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。这样就可以避免相关技术中，发射电路的温度过高会触发降低发射电路中功率放大器的发射功率、降低上行速率的温度保护机制的情况发生，可以降低发射电路工作温度，提升电子设备上行的使用时间。同时，本技术实施例提供
的电子设备，既可以支持双连接模式也可以支持单连接模式，在不需要增加额外的器件的基础上，还可以提高电子设备的上行通信速率以及可靠度，成本低。
[0053]
请继续参考图2，在其中一个实施例中，所述第一发射电路110包括：第一功率放大器111，用于支持对所述第一射频信号的功率放大处理；所述第二发射电路120包括第二功率放大器121，用于支持对所述第一射频信号和所述第二射频信号的功率放大处理。处理器140可分别与第一功率放大器111、第二功率放大器121连接。其中，第一温度检测单元131可用于检测第一功率放大器111的第一温度信息，第二温度检测单元132可用于检测第二功率放大器121的第二温度信息。处理器140可响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标功率放大器，并控制目标功率放大器来支持对第一射频信号的功率放大处理，进而以单连接模式进行通信。
[0054]
在本实施例中，在单连接模式下，处理器140可基于各发射电路的温度信息，控制第一功率放大器111和第二功率放大器121交替工作，可以避免在任一功率放大器的温度过高时触发功率放大器的保护机制，进而，可以提升触发功率放大器保护的温度，使电子设备能够工作的温度宽度更宽，同时也可以提高电子设备的上行性能。
[0055]
在其中一个实施例中，所述处理器140还被配置为采用如下方式更新所述目标发射电路。具体的，处理器140在所述单连接模式下，获取所述目标发射电路的目标温度信息；若所述目标温度信息达到第一预设值，则将空闲发射电路作为新的所述目标发射电路，其中，所述空闲发射电路为除所述目标发射电路以外的另一个发射电路。
[0056]
为了便于说明，以第一发射电路110为当前的目标发射电路，第二发射电路120为空闲发射电路为例进行说明。在单连接模式下，处理器140可控制第一发射电路110工作，第二发射电路120处于休眠状态。第一发射电路110在工作过程中，第一温度检测单元131可检测第一发射电路110的第一温度信息。具体的，第一温度检测单元131可周期性的检测第一发射电路110的第一温度信息。若第一温度信息达到第一预设值，则将第二发射电路120作为新的目标发射电路，并控制第二发射电路120处于工作状态，第一发射电路110处于休眠状态。如此循环，当第二发射电路120作为新的目标发射电路处于工作状态时，可基于第二温度检测单元132检测第二发射电路120的第二温度信息，并在第二温度信息达到第一预设值(例如，45
°
)时，将第一发射电路110重新作为目标发射电路，并控制第一发射电路110再次处于工作状态，以及控制第二发射电路120处于休眠状态。
[0057]
在本实施例中，在单连接模式下，处理器140可基于各发射电路的温度信息，控制第一发射电路110和第二发射电路120交替工作，可以避免在任一发射电路的温度过高时触发功率放大器的保护机制，进而，可以使电子设备能够工作的温度宽度更宽，同时也可以提高电子设备的上行性能。
[0058]
在其中一个实施例中，所述处理器140还被配置为根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标发射电路，包括：判断所述第一温度信息的温度值是否大于第二温度信息的温度值；若所述第一温度信息的温度值大于所述第二温度信息的温度值，则将所述第一发射电路110作为所述目标发射电路，若所述第一温度信息的温度值小于所述第二温度信息的温度值，则将所述第二发射电路120作为所述目标发射电路。
[0059]
具体的，处理器140可响应于切换请求，并判定第一发射电路110的第一温度信息是否大于第二发射电路120的第二温度信息，若第一温度信息大于第二温度信息，处理器
140可确定第二发射电路120为目标发射电路，若第一温度信号小于第二温度信息，处理器140可确定第一发射电路110为目标发射电路。若第一温度信号等于第二温度信息，则可以将第一发射电路110或第二发射电路120作为目标发射电路。进一步的，处理器140可控制目标发射电路发射第一射频信号，并控制第二发射电路120处于休眠状态，以使电子设备处于单连接模式。
[0060]
进一步的，以处理器140包括射频收发器141为例进行说明。其中，射频收发器141可控制第一射频信号的输出。示例性的，射频收发器141可向目标发射电路提供第一射频信号，并不向空闲发射电路提供第一射频信号。
[0061]
如图3所示，可选地，电子设备还包括第一开关单元151和第二开关单元152，其中，第一开关单元151可分别与射频收发器141、第一发射电路110连接，用于选择导通或断开射频收发器141与第一发射电路110之间的射频通路。第二开关单元152可分别与射频收发器141、第二发射电路120连接，用于选择导通或断开射频收发器141与第二发射电路120之间的射频通路。处理器140可分别与第一开关单元151、第二开关单元152连接。处理器140确定目标发射电路后，可控制第一开关单元151和第二开关单元152的通断状态，以导通目标发射电路所在的射频通路，并断开空闲发射电路所在的射频通路。
[0062]
电子设备在双连接模式下，第一开关单元151和第二开关单元152都处于导通状态，进而可导通第一发射电路110、第二发射电路120各自所在的射频通路，以使第一发射电路110、第二发射电路120均处于工作状态。其中，射频收发器141可向第一发射电路110提供第一射频信号，射频收发器141可向第二发射电路120提供第二射频信号，进而可实现对第一射频信号、第二射频信号的双发射。
[0063]
在本实施例中，通过设置第一开关单元151和第二开关单元152，可以灵活控制双连接模式和单连接模式下射频收发器141分别与第一发射电路110、第二发射电路120之间的射频通路的导通状态，可以提高电子设备的控制灵活性。
[0064]
在其中一个实施例中，所述处理器140还被配置为若所述电子设备处于双连接模式且所述电子设备满足第一预设条件，则输出所述切换请求。其中，所述第一预设条件包括以下至少一种：
[0065]
其中，第一预设条件可以为：所述第一温度信息和第二温度信息中的至少一个超过第二预设值。
[0066]
具体的，当第一温度信息、第二温度信息中的至少一个大于第二预设值时，可输出切换请求，以将电子设备的工作状态由双连接模式切换至单连接模式。在本技术实施例中，由于双连接模式下的功耗高于单连接的功耗，当第一温度信息、第二温度信息中的至少一个高于第二预设值，例如45
°
时，将电子设备的工作模式切换为单连接模式，可以降低电子设备的功耗。
[0067]
可选地，第一预设条件可以为：所述电子设备的电池电量小于第二预设值。由于双连接模式下的功耗高于单连接的功耗，当电子设备的电池电量低于第二预设值，例如25％时，将电子设备的工作模式切换为单连接模式，可以有助于延长电子设备的续航时长。
[0068]
可选地，第一预设条件可以为：所述第二发射电路120的数据吞吐量小于第三预设值。具体的，如果第二发射电路120每单位时间传输或接收的数据的业务吞吐量等于或小于第三预设值，则可以配置低功率模式。例如，如果在预定时间内由电子设备传输或接收的数
据的每单位时间的业务吞吐量等于或小于40mbps，则可以将电子设备的工作模式切换为单连接模式，以降低电子设备的功耗。
[0069]
在本技术实施例中，由于双连接模式下的功耗高于单连接的功耗，当电子设备的电池电量低于第二预设值，例如25％时，将电子设备的工作模式切换为单连接模式，可以有助于延长电子设备的续航时长。
[0070]
本技术实施例中，可以根据电子设备的温度、电量和吞吐量进行双连接模式和单连接模式的切换，在不影响用户使用体验的前提下，可以降低功耗，延长待机时间，从而提高用户体验。
[0071]
在其中一个实施例中，所述处理器140还被配置为若所述电子设备处于单连接模式且接收到由单连接模式切换回双连接模式的请求时，处理器140进一步被配置为控制第一发射电路110和第二发射电路120各所在的射频通路导通，并向第一发射电路110输出第一射频信号，以及向第二发射电路120输出第二射频信号，以使电子设备处于双连接模式的工作状态。
[0072]
如图4所示，在其中一个实施例中，所述电子设备还包括第一接收电路160、第二接收电路170、第一选通电路180和第二选通电路190。其中，第一接收电路160，与第一天线ant1连接，用于支持对所述第一射频信号的接收处理。第二接收电路170，与第二天线ant2连接，用于支持对所述第二射频信号的接收处理。第一选通电路180，分别与所述第一发射电路110、所述第一接收电路160、所述第一天线ant1连接，用于选择导通第一接收电路160、第一发射电路110分别与所述第一天线ant1之间的通路。第二选通电路190，分别与所述第二发射电路120、所述第二接收电路170、所述第二天线ant2连接，用于选择导通第二接收电路170、第二发射电路120分别与所述第二天线ant2之间的通路。
[0073]
其中，第一接收电路160、第二接收电路170可以具体包括多个用于支持不同频段的低噪声放大器、以及多个射频开关等。示例性的，第一接收电路160、第二接收电路170可以为射频低噪声放大器模组(low noise amplifier front end module，lfem)，还可以为带天线开关模组和滤波器的分集接收模组(diversity receive module with antenna switch module and saw，dfem)，还可以为多频段低噪放大器(multi band low noise amplifier，mlna)等。在本技术实施例中，对第一接收电路160、第二接收电路170的具体组成不做限定。
[0074]
在本实施例中，第一选通电路180和第二选通电路190可以用于发射电路与接收电路之间的切换。为了便于说明，以第一选通电路180和第二选通电路190为单刀双掷spdt开关为例进行说明。示例性的，当射频系统需要发射信号时，可控制第一选通电路180导通第一发射电路110与第一天线ant1之间的通路，当射频系统需要接收信号时，可控制第一选通电路180导通第一接收电路160与第一天线ant1之间的通路。
[0075]
在本技术实施例中，通过设置第一接收电路160、第二接收电路170，可以支持对双连接模式下的对第一射频信号和第二射频信号的双接收功能，以及单连接模式下对第一射频信号的接收功能。
[0076]
如图5和图6所示，在其中一个实施例中，所述射频系统包括多个发射模块，每个发射模块均包括所述第一发射电路110、所述第二发射电路120、温度检测电路130。其中，各所述发射模块中的所述第一发射电路110接收的所述第一射频信号的频段各不相同。可以理
解的是，每个发射模块都可以与射频收发器141共同支持电子设备的双连接模式和单连接模式。
[0077]
示例性的，以多个发射模块包括第一发射模块11、第二发射模块12和第三发射模块13为例进行说明。其中，第一发射模块11与射频收发器141连接，用于支持4g lte低频信号和5g nr低频信号的双发射，以及支持对4g lte低频信号的单发射。第二发射模块12与射频收发器141连接，用于支持4g lte中频信号和5g nr中频信号的双发射，以及支持对4g lte中频信号的单发射。第三发射模块1313与射频收发器141连接，用于支持4g lte高频信号和5g nr高频信号的双发射，以及支持对4g lte高频信号的单发射。
[0078]
可选的，发射模块还可包括前述任一实施例中射频系统除了射频收发器110以外的射频器件，例如，第一开关单元151、第二开关单元152、第一接收电路160、第二接收电路170、第一选通电路180、第二选通电路190等等。
[0079]
在本实施例中，通过设置多个发射模块，可以拓展射频系统的频段范围，使其能够支持双低频、双中频以及双高频的双发射，还可以提高射频系统在单连接发射模式时，对低频信号、中频信号以及高频信号的上行覆盖能力，进而可提高该射频系统的通信能力。
[0080]
在本技术实施例中，需要说明的是，各个开关单元以及选通电路的通断控制都可以由射频收发器141来控制，且各个开关单元以及选通电路的具体开关类型可以不限于本技术实施例中的距离说明，还可以为其他类型的开关。
[0081]
在其中一个实施例中，当发射模块的数量为多个时，所述切换请求携带了目标发射模块的标识信息。其中，标识信息可以用于表征每个发射模块的唯一身份信息。标识信息可以用数字、字母、字符中的至少一种进行表示。其中，所述处理器140分别与各所述发射模块连接，所述切换请求携带了目标发射模块的标识信息。进一步的，所述处理器140还被配置为：根据所述切换请求携带的标识信息，确定目标发射电路；其中，所述目标发射电路为所述目标发射模块中所述第一发射电路110和所述第二发射电路120中的一个。具体的，处理器140可根据接收的切换请求携带的标识信息来确定目标发射模块。其中，目标发射模块的数量小于或等于发射模块的数量。处理器140可具有确定的目标发射模块，针对每一目标发射模块，可根据目标发射模块中各发射电路中的最小温度信息确定各目标发射模块中目标发射电路，进而可控制各目标发射模块中的各目标发射电路工作，以将电子设备的工作模式由双连接模块切换至单连接模式。
[0082]
本技术实施例还提供一种电子设备的控制方法，该电子设备的控制方法可应用在前述任一实施例中的电子设备中。如图7所示，在其中一个实施例中，电子设备的控制方法包括步骤702-步骤706。
[0083]
步骤702，获取第一发射电路的第一温度信息以及第二发射电路的第二温度信息。
[0084]
其中，所述第一发射电路用于支持对第一网络的第一射频信号的发射处理；所述第二发射电路用于支持对第二网络的第二射频信号的发射处理，且所述第一射频信号和所述第二射频信号的频率范围在预设范围内。由于第一射频信号和第二射频信号的频率范围在预设范围内，因此，同一发射电路均可以支持对第一射频信号、第二射频信号的发射处理。示例性的，第一发射电路110、第二发射电路均可支持对低频段的4g信号、5g信号的发射处理。可选地，第一发射电路、第二发射电路均可支持对中频段的4g信号、5g信号的发射处理。可选地，第一发射电路、第二发射电路均可支持对高频段的4g信号、5g信号的发射处理。
[0085]
电子设备可包括用于检测第一发射电路的温度信息的第一温度检测单元以及用于检测第二发射电路的温度信息的第二温度检测单元。
[0086]
步骤704，响应于由双连接模式切换至单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息确定目标发射电路。
[0087]
步骤706，控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。
[0088]
电子设备可响应于切换请求，以获取第一温度信息和第二温度信息，并可根据第一温度信息、第二温度信息从第一发射电路和第二发射电路中来确定目标发射电路。其中，所述目标发射电路为所述第一发射电路和所述第二发射电路中的一个。示例性的，可以将温度稍低的发射电路作为目标发射电路，并控制目标发射电路工作，除目标发射电路以外的发射电路处于休眠状态，以使电子设备由双连接模式切换至采用目标发射电路进行通信的单连接模式。
[0089]
本实施例中，电子设备的控制方法包括感测第一发射电路的第一温度信息以及第二发射电路的第二温度信息，响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并根据所述第一温度信息和所述第二温度信息从第一发射电路和第二发射电路中确定目标发射电路，进而可控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。这样就可以避免相关技术中，发射电路的温度过高会触发降低发射电路中功率放大器的发射功率、降低上行速率的温度保护机制的情况发生，可以降低发射电路工作温度，提升电子设备上行的使用时间。同时，还可以提高电子设备的上行通信速率以及可靠度。
[0090]
如图8所示，在其中一个实施例中，天线切换控制方法进一步还包括采用如下方式更新所述目标发射电路：
[0091]
步骤802，在所述单连接模式下，获取所述目标发射电路的目标温度信息。
[0092]
步骤804，若所述目标温度信息达到第一预设值，则将空闲发射电路作为新的所述目标发射电路，其中，所述空闲发射电路为除所述目标发射电路以外的另一个发射电路。
[0093]
在本实施例中，在单连接模式下，电子设备可基于各发射电路的温度信息，控制第一发射电路和第二发射电路交替工作，可以避免在任一发射电路的温度过高时触发功率放大器的保护机制，进而，可以使电子设备能够工作的温度宽度更宽，同时也可以提高电子设备的上行性能。
[0094]
具体的，如图9所示，电子设备接收到切换请求时，可执行步骤902，电子设备可检测第一发射电路中的第一功率放大器的温度是否大于第二发射电路中第二功率放大器的温度，若否，则执行步骤904，控制控制第一发射电路中的第一功率放大器工作，第二发射电路处于休眠状态。第一发射电路在工作过程中，可执行步骤906，电子设备可检测第一功率放大器的第一温度信息，并判断第一温度信息是否达到第一预设值。若第一温度信息达到第一预设值，则执行步骤908，将第二功率放大器作为新的目标功率放大器，并控制第二功率放大器处于工作状态，第一功率放大器处于休眠状态。若第一功率放大器的温度大于第二发射电路中第二功率放大器的温度，则执行步骤908，控制控制第二发射电路中的第二功率放大器工作，第一发射电路处于休眠状态。当第二功率放大器作为新的目标功率放大器处于工作状态时，可执行步骤910，判断第二功率放大器的第二温度信息是否达到第一预设值，若是，则执行步骤904，将第一功率放大器重新作为目标功率放大器，并控制第一功率放大器再次处于工作状态，以及控制第二功率放大器处于休眠状态。如此循环，可以控制第一
功率放大器、第二功率放大器交替工作。
[0095]
在本实施例中，在单连接模式下，电子设备可基于各发射电路的温度信息，控制第一功率放大器和第二功率放大器交替工作，可以避免在任一功率放大器的温度过高时触发功率放大器的保护机制，进而，可以使电子设备能够工作的温度宽度更宽，同时也可以提高电子设备的上行性能。
[0096]
在其中一个实施例中，电子设备的控制方法包括步骤1002-步骤1014。
[0097]
步骤1002，感测第一发射电路的第一温度信息以及第二发射电路的第二温度信息。
[0098]
步骤1004，响应于由双连接模式切换至单连接模式的切换请求，判断所述第一温度信息的温度值是否大于第二温度信息的温度值。
[0099]
步骤1006，若所述第一温度信息的温度值大于所述第二温度信息的温度值，则将所述第一发射电路作为所述目标发射电路。
[0100]
步骤1008，若所述第一温度信息的温度值小于所述第二温度信息的温度值，则将所述第二发射电路作为所述目标发射电路。
[0101]
可选的，若所述第一温度信息的温度值等于所述第二温度信息的温度值，则将所述第一发射电路、第二发射电路中的任一个作为所述目标发射电路。
[0102]
步骤1010，控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信。
[0103]
步骤1012，在所述单连接模式下，获取所述目标发射电路的目标温度信息。
[0104]
步骤1014，若所述目标温度信息达到第一预设值，则将空闲发射电路作为新的所述目标发射电路，其中，所述空闲发射电路为除所述目标发射电路以外的另一个发射电路。
[0105]
本实施例中的电子设备的控制方法可响应于由所述双连接模式切换至所述单连接模式的切换请求，并将温度较低的发射电路作为目标发射电路，进而可控制所述目标发射电路以单连接模式进行通信，同时，在单连接模式下，电子设备可基于各发射电路的温度信息，控制第一发射电路和第二发射电路交替工作，可以避免在任一发射电路的功率放大器的温度过高时触发功率放大器的保护机制，进而，可以使电子设备能够工作的温度宽度更宽，可以达到降低发射电路工作温度，提升电子设备上行的使用时间，同时也可以提高电子设备的上行性能以及通信的可靠度。
[0106]
应该理解的是，虽然图7-10的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图7-10中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0107]
本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质。一个或多个包含计算机可执行指令的非易失性计算机可读存储介质，当所述计算机可执行指令被一个或多个处理器执行时，使得所述处理器执行电子设备的控制方法的步骤。
[0108]
一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行电子设备的控制方法。
[0109]
如图11所示，进一步的，以电子设备为手机10为例进行说明，具体的，如图11所示，该手机10可包括存储器21(其任选地包括一个或多个计算机可读存储介质)、处理电路22、外围设备接口23、射频系统24、输入/输出(i/o)子系统26。这些部件任选地通过一个或多个通信总线或信号线29进行通信。本领域技术人员可以理解，图11所示的手机10并不构成对手机的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。图11中所示的各种部件以硬件、软件、或硬件与软件两者的组合来实现，包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路。
[0110]
存储器21任选地包括高速随机存取存储器，并且还任选地包括非易失性存储器，诸如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储器设备、或其他非易失性固态存储器设备。示例性的，存储于存储器21中的软件部件包括操作系统211、通信模块(或指令集)212、全球定位系统(gps)模块(或指令集)213等。
[0111]
处理电路22可包括前述任一实施例中的处理器和可以用于控制手机10操作的其他控制电路。处理电路22可以被配置为实现控制手机10中的天线的使用的控制算法。处理电路22还可以发出用于控制射频系统24中各开关的控制命令等。
[0112]
射频系统24可用于处理多个不同频段的射频信号。例如用于接收1575mhz的卫星定位信号的卫星定位射频电路、用于处理ieee802.11通信的2.4ghz和5ghz频段的wifi和蓝牙收发射频电路、用于处理蜂窝电话频段(诸如850mhz、900mhz、1800mhz、1900mhz、2100mhz的频段、和sub-6g频段)的无线通信的蜂窝电话收发射频电路。其中，sub-6g频段可具体包括2.496ghz-6ghz频段，3.3ghz-6ghz频段。
[0113]
i/o子系统26将手机10上的输入/输出外围设备诸如键区和其他输入控制设备耦接到外围设备接口23。i/o子系统26任选地包括触摸屏、按键、音调发生器、加速度计(运动传感器)、周围光传感器和其他传感器、发光二极管以及其他状态指示器、数据端口等。示例性的，用户可以通过经由i/o子系统26供给命令来控制手机10的操作，并且可以使用i/o子系统26的输出资源来从手机10接收状态信息和其他输出。例如，用户按压按钮261即可启动手机或者关闭手机。
[0114]
本技术所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)，它用作外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddr sdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)。
[0115]
以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。