一种纹路识别基板、其驱动方法及装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种纹路识别基板、其驱动方法及装置。


背景技术：

2.现有将光学传感与显示相结合的屏内指纹识别技术，多采用显示背板加非晶硅pin器件的结构。在高亮度环境下，如晴天室外，作为杂散光的自然光易导致感光器件饱和，无法区分指纹谷脊的信号差，干扰正常指纹识别。为此，可以采用外量子效率(external quantum efficiency，eqe)较低的pin器件结构，保证其在强光照射下不易发生饱和，以达到区分亮暗态的目的。但是，在弱光环境中，由于pin器件结构的eqe太低，产生光电流很小，导致信噪比降低，无法有效区分指纹谷脊信号。如此一来，如何同时兼顾强光和弱光下的指纹识别精度成为急需解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本发明提供了一种纹路识别基板、其驱动方法及装置，用于同时兼顾强光和弱光下的指纹识别精度。
4.第一方面，本发明实施例提供了一种纹路识别基板，包括：
5.衬底基板和位于所述衬底基板上呈阵列排布的多个纹路传感单元；
6.各个所述纹路传感单元包括第一光敏采集器、第二光敏采集器、第一光路选择控制器和第二光路选择控制器；
7.其中，所述第一光路选择控制器在第一采样控制端的控制下与所述第一光敏采集器串联耦接；
8.所述第二光路选择控制器在第二采样控制端的控制下与所述第二光敏采集器串联耦接，且串联耦接后的电路与所述第一光敏采集器并联耦接。
9.在一种可能的实现方式中，所述第一光路选择控制器包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第一采样控制端耦接，所述第一晶体管的第一极与信号输出端耦接，所述第一晶体管的第二极与所述第一光敏采集器的第一极耦接；
10.所述第二光路选择控制器包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与所述第二采样控制端耦接，所述第二晶体管的第一极与所述第一光敏采集器的第一极耦接，所述第二晶体管的第二极与所述第二光敏采集器的第一极耦接。
11.在一种可能的实现方式中，沿背离所述衬底基板的方向，所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器依次层叠设置。
12.在一种可能的实现方式中，所述第二光敏采集器的感光区域的面积小于所述第一光敏采集器的感光区域的面积。
13.在一种可能的实现方式中，所述第一光敏采集器第二极与所述第二光敏采集器的第二极耦接，且共用同一电极，且所述电极与反偏电压端耦接。
14.在一种可能的实现方式中，所述第一光路选择控制器和所述第二光路选择控制器
设置在所述衬底基板和所述第一光敏采集器之间。
15.第二方面，本发明实施例提供了一种纹路识别装置，包括：
16.如上面任一项所述的纹路识别基板。
17.第三方面，本发明实施例提供了一种如上面任一项所述的纹路识别基板的驱动方法，包括：
18.若接收到第一信号，则导通第一光路选择控制器和第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据；
19.若接收到第二信号时，则导通第一光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据。
20.在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
21.若确定当前所处的光强大于预设光强，则生成所述第二信号；
22.若确定当前所处的光强不大于所述预设光强，则生成所述第一信号。
23.在一种可能的实现方式中，所述若接收到第一信号时，则导通第一光路选择控制器和第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据，包括：
24.若接收到第一信号时，则向所述第一采样控制端和所述第二采样控制端加载同频率脉冲信号；
25.在所述同频率脉冲信号的控制下，导通所述第一光路选择控制器和所述第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据。
26.在一种可能的实现方式中，所述若接收到第二信号时，则导通第一光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据，包括：
27.若接收到第二信号时，则向所述第一采样控制端加载第一控制信号，向所述第二采样控制端加载第二控制信号；
28.在所述第一控制信号的控制下，导通所述第一光路选择控制器；
29.在所述第二控制信号的控制下，断开所述第二光路选择器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据。
30.本发明的有益效果如下：
31.本发明实施例提供了一种纹路识别基板、其驱动方法及装置，其中，该纹路识别基板包括衬底基板和位于该衬底基板上呈阵列排布的多个纹路传感单元，各个纹路传感单元包括第一光敏采集器、第二光敏采集器、第一光路选择控制器和第二光路选择控制器，该第一光路选择控制器在第一采样控制端的控制下与第一光敏采集器串联耦接，第二光路选择控制器在第二采样控制端的控制下与第二光敏采集器串联耦接，且串联耦接后的电路与第一光敏采集器并联耦接；如此一来，在强光下，可以控制第一光敏采集器采集纹路数据，若采用eqe较小的第一光敏采集器，避免了强光下纹路传感单元发生饱和现象；在弱光下，可以控制第一光敏采集器和第二光敏采集器同时采集纹路数据，从而提高了弱光下的光电流，保证了弱光下纹路传感单元的光电转换效率。这样的话，同时兼顾了强光和弱光下的指纹识别精度。
附图说明
32.图1为现有纹路传感电路的其中一种结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的一种纹路识别基板的其中一种俯视结构示意图；
34.图3为本发明实施例提供的一种纹路识别基板中任一纹路传感单元的其中一种电路结构示意图；
35.图4为本发明实施例提供的一种纹路识别基板中任一纹路传感单元的其中一种电路结构示意图；
36.图5为沿着图2中mm方向的其中一种剖面结构示意图；
37.图6为本发明实施例提供的一种纹路识别装置的结构示意图；
38.图7为本发明实施例提供的一种纹路识别基板的驱动方法的方法流程图；
39.图8为本发明实施例提供的一种纹路识别基板的驱动方法的方法流程图；
40.图9为图8中步骤s101的方法流程图；
41.图10为图8中步骤s102的方法流程图。
42.附图标记说明：
[0043]1‑
衬底基板；2
‑
纹路传感单元；3
‑
第一光敏采集器；4
‑
第二光敏采集器；5
‑
第一光路选择控制器；6
‑
第二光路选择控制器；gate1
‑
第一采样控制端；gate2
‑
第二采样控制端；t1
‑
第一晶体管；t2
‑
第二晶体管；vbias
‑
反偏电压端；read
‑
信号输出端；10
‑
纹路识别基板。
具体实施方式
[0044]
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045]
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0046]
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
[0047]
在相关技术中，如图1所示为现有纹路传感电路的其中一种结构示意图，该纹路传感电路包括一个采用低温多晶硅(low temperature poly
‑
silicon，ltps)工艺制成的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)和非晶硅pin；其中，ga表示采样控制端，rd表示信号读出端，vb表示反偏电压端；在反偏电压端vb所加载的偏置电压以及采样控制端ga加载的采样控制信号的控制下，纹路传感电路实现对pin所采集的纹路数据的采集与识别。该纹路传感电路在室内等低亮度环境下，性能良好；但在诸如晴天的室外等高亮度环境下，作为杂散光的自然光对pin的影响较大，易造成器件饱和，无法区分指纹谷脊的信号差，干扰正常指纹识别。一旦采用eqe较低的pin器件结构，来避免其在强光下发生饱和的问题，却由于低
亮度下光电流较小，无法有效区分指纹谷脊信号。
[0048]
鉴于此，本发明实施例提供了一种纹路识别基板、其驱动方法及装置，用于同时兼顾强光和弱光下的纹路识别精度。
[0049]
结合图2和图3所示，其中，图2为本发明实施例提供的一种纹路识别基板的其中一种俯视结构示意图，图3为该纹路识别基板中任一纹路传感单元2的其中一种电路结构示意图。该纹路识别基板包括：
[0050]
衬底基板1和位于所述衬底基板1上呈阵列排布的多个纹路传感单元2；
[0051]
各个所述纹路传感单元2包括第一光敏采集器3、第二光敏采集器4、第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6；
[0052]
其中，所述第一光路选择控制器5在第一采样控制端gate1的控制下与所述第一光敏采集器3串联耦接；
[0053]
所述第二光路选择控制器6在第二采样控制端gate2的控制下与所述第二光敏采集器4串联耦接，且串联耦接后的电路与所述第一光敏采集器3并联耦接。
[0054]
在具体实施过程中，该纹路识别基板包括衬底基板1和位于该衬底基板1上呈阵列排布的多个纹路传感单元2；该衬底基板可以是刚性衬底，还可以是柔性衬底，在此不做限定。此外，本领域技术人员还可以根据实际应用需要来设置多个纹路传感单元2的具体个数，在此不做限定。
[0055]
各个纹路传感单元2包括第一光敏采集器3、第二光敏采集器4、第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6；第一光敏采集器3和第二光敏采集器4一般采用pin实现其功能，二者均可以用来采集纹路数据。第一光路选择控制器5在第一采样控制端gate1的控制下与第一光敏采集器3串联耦接；这样的话，若在强光下，通过第一采样控制端gate1控制第一光路选择控制器5导通，则可以通过第一光敏采集器3采集纹路数据；此时，若第一光敏采集器3的eqe较低，则可以避免强光饱和的现象，保证了强光下的纹路识别精度。
[0056]
此外，第二光路选择控制器6在第二采样控制端gate2的控制下与第二光敏采集器4串联耦接，且串联耦接后的电路与第一光敏采集器3并联耦接；这样的话，若在弱光下，通过第二采样控制端gate2控制第二光路选择控制器6导通，同时通过第一采样控制端gate1控制下第一光路选择控制器5导通，则可以通过第一光敏采集器3和第二光敏采集器4同时进行纹路采集。此时，即便第一光敏采集器3的eqe较低，由于纹路传感单元2可以同时读取第一光敏采集器3和第二光敏采集器4所采集的纹路数据，保证了较大的光电流，从而保证了弱光下的纹路识别精度。
[0057]
在本发明实施例中，如图4所示为纹路传感单元2的其中一种电路结构示意图，具体来讲，所述第一光路选择控制器5包括第一晶体管t1，所述第一晶体管t1的栅极与所述第一采样控制端gate1耦接，所述第一晶体管t1的第一极与信号输出端read耦接，所述第一晶体管t1的第二极与所述第一光敏采集器3的第一极耦接；所述第二光路选择控制器6包括第二晶体管t2，所述第二晶体管t2的栅极与所述第二采样控制端gate2耦接，所述第二晶体管t2的第一极与所述第一光敏采集器3的第一极耦接，所述第二晶体管t2的第二极与所述第二光敏采集器4的第一极耦接。
[0058]
仍结合图4所示，该第一光路选择控制器5包括第一晶体管t1，该第一晶体管t1的栅极与第一采样控制端gate1耦接，这样的话，在第一采样控制端gate1所加载的控制信号
的控制下，可以实现对第一晶体管t1的导通与截止的控制；第一晶体管t1的第一极与信号输出端read耦接，第一晶体管t1的第二极与第一光敏采集器3的第一极耦接；在第一晶体管t1导通，且第一光敏采集器3采集纹路数据时，相应的纹路传感单元2可以通过信号输出端read将第一光敏采集器3所采集的纹路数据读出来，以便实现后续的纹路识别功能。在具体实施过程中，第一光敏采集器3的eqe可以是小于第二光敏采集器4的eqe，比如，第一光敏采集器3和第二光敏采集器4二者除了p层和n层相关结构参数相同之外，第一光敏采集器3的i层厚度小于第二光敏采集器4的i层厚度，使得第一光敏采集器3的eqe小于第二光敏采集器4的eqe；若当前纹路传感单元2处于强光，可以通过向第一采样控制端gate1加载相应的控制信号控制第一晶体管t1导通，从而可以在避免第一光敏采集器3饱和的前提下，实现纹路采集，保证了强光下的纹路识别精度。
[0059]
仍结合图4所示，第二光路选择控制器6包括第二晶体管t2，第二晶体管t2的栅极与第二采样控制端gate2耦接，这样的话，在第二采样控制端gate2加载的控制信号的控制下，可以实现对第二晶体管t2的导通与截止的控制；第二晶体管t2的第一极与第一光敏采集器3的第一极耦接，第二晶体管t2的第二极与第二光敏采集器4的第一极耦接。在第一晶体管t1导通，且第二晶体管t2导通时，第一光敏采集器3和第二光敏采集器4均可以采集纹路数据，相应的纹路传感单元2可以通过信号输出端read将二者所采集的纹路数据读出来，以便实现后续的纹路识别功能。在具体实施过程中，若当前纹路传感单元2处于弱光，可以通过向第一采样控制端gate1和第二采样控制端gate2加载同频率脉冲信号，控制第一晶体管t1和第二晶体管t2同步开关，从而保证了弱光下纹路采集具有较高的光电流，保证了光电转换效率，保证了弱光下的纹路识别精度。
[0060]
需要说明的是，第一晶体管t1和第二晶体管t2可以是薄膜晶体管，也可以是金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor，mos)，在此不做限定。第一晶体管t1和第二晶体管t2可以是n型晶体管，还可以是p型晶体管，在此不做限定。第一晶体管t1的第一极和第二极可以根据第一晶体管t1的类型以及信号端的信号的不同，其功能可以互换；比如，可以是第一极为源极，相应地第二极为漏极；再比如，可以是第一极为漏极，相应地第二极为源极，在此不做限定。同理，第二晶体管t2的第一极和第二极可以根据其类型以及信号端的信号的不同进行相应的设置，在此不再详述。
[0061]
在本发明实施例中，如图5所示为沿着图2中mm方向的其中一种剖面结构示意图。具体来讲，沿背离所述衬底基板的方向，所述第一光敏采集器3和所述第二光敏采集器4依次层叠设置。沿背离衬底基板的方向如图5中箭头x所示的方向，沿箭头x所示方向，第一光敏采集器3和第二光敏采集器4依次层叠设置，避免了第一光敏采集器3和第二光敏采集器4占用较大的空间面积，降低了生产成本。
[0062]
在本发明实施例中，所述第二光敏采集器4的感光区域的面积小于所述第一光敏采集器3的感光区域的面积。仍结合图5所示，第二光敏采集器4的感光区域的面积小于第一光敏采集器3的感光区域的面积，这样的话，在制作第一光敏采集器3之后，可以保证后续制作第二光敏采集器4相关膜层的平坦性，如果第二光敏采集器4不平坦，则会显著增加暗态电流，降低了纹路识别的信噪比，从而保证了第二光敏采集器的纹路识别精度。
[0063]
在本发明实施例中，所述第一光敏采集器3第二极与所述第二光敏采集器4的第二极耦接，且共用同一电极，且所述电极与反偏电压端vbias耦接。仍结合图5所示，第一光敏
采集器3包括依次背离衬底基板的第一n层结构、第一i层结构和第一p层结构，第二光敏采集器4包括依次背离衬底基板设置的第二p层结构、第二i层结构和第二n层结构，第一光敏采集器3和第二光敏采集器4共用第一p层结构和第二p层结构之间的电极，且该电极与反偏电压端vbias耦接。其中，反偏电压端vbias所加载的电压可以是
‑
3v～
‑
8v中的任一数值，当然，还可以是根据实际纹路采集的需要来设置反偏电压端vbias所加载的电压，在此不做限定。如此一来，无需为纹路传感单元2中的第一光敏采集器3和第二光敏采集器4单独设置电极，从而在保证纹路采集的同时，降低了制作成本。
[0064]
在本发明实施例中，所述第一光路选择控制器5和所述第二光路选择控制器6设置在所述衬底基板和所述第一光敏采集器3之间。仍结合图5所示，第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6设置在衬底基板和第一光敏采集器3之间，这样的话，在保证第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，对第一光敏采集器3和第二光敏采集器4控制的同时，保证了第一光敏采集器3对纹路数据的有效采集。
[0065]
在具体实施过程中，在将该纹路识别功能与显示功能结合起来的同时，可以将第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6中的至少部分膜层与显示功能相关的膜层同层制作，从而在保证纹路识别基板具有纹路识别功能的同时，兼具显示功能。此时，该纹路识别基板可以包括呈阵列排布的多个子像素，至少一个纹路传感单元2设置在相邻两个子像素之间的透光区，纹路识别基板可以包括发光功能层和驱动电路层，在制作位于显示区的驱动电路层的同时，可以同层制作第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，从而在简化了制作工艺的同时，降低了制作成本。其中，发光功能层可以包括阳极、像素界定层、有机发光层和阴极，驱动电路层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容，对于发光功能层和驱动电路层的相关膜层可以参照相关技术中的描述，在此不再详述。
[0066]
在具体实施过程中，仍结合图5所示，第一光路选择控制器5可以包括：设置在衬底基板上的缓冲层(buffer)，设置在该缓冲层(buffer)上的有源层(p
‑
si)，覆盖有源层(p
‑
si)的栅极绝缘层(gi)，设置在该栅极绝缘层(gi)上的栅电极(gate)，覆盖栅电极(gate)的层间绝缘层(ild)，该层间绝缘层(ild)上开设有过孔，过孔暴露出有源层(p
‑
si)，设置在该层间绝缘层上的第一源电极和第一漏电极(sd1)，第一源电极和第一漏电极分别通过过孔与有源层(p
‑
si)连接，依次覆盖前述结构的第一钝化层(pvx1)、第一平坦层(pln1)和第二钝化层(pvx2)，第一钝化层(pvx1)、第一平坦层(pln1)和第二钝化层(pvx2)上开设有过孔，过孔暴露出第一漏电极(sd1)，设置在第二钝化层(pvx2)上的第二源漏电极(sd2)通过过孔与第一漏电极(sd1)连接。
[0067]
此外，第二光路选择控制器6的相关膜层同第一光路选择控制器5，在此不再赘述，具体可以参见图5所示。其中，缓冲层(buffer)、栅极绝缘层(gi)层间绝缘层(ild)、第一钝化层(pvx1)和第二钝化层(pvx2)可以采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a
‑
igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)、非晶硅(a
‑
si)、多晶硅(p
‑
si)、六噻吩或聚噻吩等材料，即本发明实施例适用于基于氧化物(oxide)技术、硅技术或有机物技术制造的晶体管。
[0068]
需要说明的是，可以在第二源漏电极(sd2)背离衬底基板的一侧按照n层
‑
>i层
‑
>p层的顺序制作第一光敏采集器3，然后，沉积制作第一光敏采集器3的第二极；在制作第一光
敏采集器3以及其第二极之后，可以设置覆盖第一光敏采集器3第二极的第一保护层，通过第一保护层有效避免了后续工艺对第一光敏采集器3以及第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的损伤；该第一保护层位于第一光敏采集器3正上方的部分开设有过孔，通过该过孔暴露出第一光敏采集器3的第二极，该过孔在衬底基板的正投影面积可以略小于第一光敏采集器3的感光面积，以便后续给第一光敏采集器3的第二极耦接的反偏电压端vbias的信号走线预留出空间；然后，可以在第一光敏采集器3的第二极背离衬底基板的一侧，按照p层
‑
>i层
‑
>n层的顺序制作第二光敏采集器4，然后，在第二光敏采集器4背离衬底基板的一侧沉积制作第二光敏采集器4的第一极；
[0069]
在制作第二光敏采集器4以及其第一极之后，可以设置覆盖第二光敏采集器4的第一极的第二保护层，该第二保护层位于第二光敏采集器4正上方的部分开设有过孔，通过该过孔暴露出第二光敏采集器4的第一极，以便后续给第二光路选择控制器6的第二极预留出空间；第一保护层和第二保护层可以是采用硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，第一保护层和第二保护层形成图5中的cover所标识的膜层；在制作第二光敏采集器4的第一极之后，可以设置覆盖第二光敏采集器4的第一极的第二平坦层(pln2)，以及覆盖第二平坦层的粘附层(pas)；然后，在粘附层(pas)背离衬底基板的一侧设置反偏电压端vbias的信号走线，该信号走线通过贯穿相关膜层的过孔与第一光敏传感器的第二极耦接，通过粘附层(pas)保证了信号走线与第二平坦层(pln2)之间的结构稳定性；缓冲层(buffer)和衬底基板之间还设置有遮光层(ls)，该遮光层(ls)可以是由诸如钼等金属层制成，有源层在衬底基板上的正投影完全落入遮光层(ls)在衬底基板上的正投影的区域范围内，通过遮光层(ls)有效避免了外界环境光对第一光路选择控制器5和第二光路选择器的干扰，保证了纹路识别基板的使用性能。此外，对于纹路识别基板中的其它结构可以参照相关技术中的设计，在此不做详述。
[0070]
基于同一发明构思，如图6所示，本发明实施例还提供了一种纹路识别装置，该纹路识别装置包括如上面所述的纹路识别基板10；该纹路识别装置解决问题的原理与前述纹路识别基板10相似，因此该纹路识别装置的实施可以参见前述纹路识别基板10的实施，重复之处不再赘述。
[0071]
在具体实施过程中，本发明实施例提供的纹路识别装置可以为手机，还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该纹路识别装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
[0072]
基于同一发明构思，如图7所示，本发明实施例还提供了一种纹路识别基板的驱动方法，该驱动方法包括：
[0073]
s101：若接收到第一信号，则导通第一光路选择控制器和第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据；
[0074]
s102：若接收到第二信号时，则导通第一光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据。
[0075]
在具体实施过程中，该驱动方法中的纹路识别基板的具体结构参照前述相关部分的描述，在此不再赘述。该纹路识别基板还包括与各个纹路传感单元2的信号输出端read耦接的控制驱动芯片，一方面，该控制驱动芯片可以实现对第一光路选择控制器5和第二光路
选择控制器6的导通与截止的控制，从而实现对第一光敏采集器3和第二光敏采集器4的纹路数据的采集的控制，另一方面，该控制驱动芯片可以根据纹路传感单元2所采集的纹路数据进行纹路识别。
[0076]
首先，纹路传感单元2接收到来自控制驱动芯片的信号，然后，纹路传感单元2根据所接收到的信号，来控制第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的导通与截止；若纹路传感单元2接收到第一信号，则导通第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，比如，在弱光下，纹路传感单元2接收到第一信号，导通第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，从而可以获得经由第一光敏采集器3和第二光敏采集器4所采集的第一纹路数据，保证了弱光下的纹路识别精度；若纹路传感单元2接收到第二信号，则导通第一光路选择控制器5，获得经由第一光敏采集器3采集的第二纹路数据，比如，在强光下，纹路传感单元2接收到第二信号，导通第一光路选择控制器5，截止第二光路选择控制器6，从而获得经由第一光敏采集器3所采集的第二纹路数据，避免了强光下器件饱和的现象，保证了强光下的纹路识别精度。此外，纹路传感单元2可以将获得的纹路数据发送至控制驱动芯片，由控制驱动芯片根据纹路数据实现纹路识别，对于纹路识别的具体实现参照相关技术中的描述，在此不再详述。
[0077]
在本发明实施例中，如图8所示，所述方法还包括：
[0078]
s201：若确定当前所处的光强大于预设光强，则生成所述第二信号；
[0079]
s202：若确定当前所处的光强不大于所述预设光强，则生成所述第一信号。
[0080]
在具体实施过程中，首先，检测获得纹路识别基板当前所处的光强与预设光强之间的数值关系，该预设光强可以是本领域技术人员根据室内场景和室外场景的划分标准所设定的光强，在此不做限定。可以通过光线传感器检测纹路识别基板所处的环境光线强度的强度范围，进而确定纹路识别基板当前所处的场景。若确定纹路识别基板当前所处的光强大于预设光强，则生成第二信号，从而实现对第一光路选择控制器5的导通控制。若确定纹路识别基板当前所处的光强不大于预设光强，则生成第一信号，从而实现对第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的导通控制。
[0081]
此外，还可以根据人为所设定场景来生成对纹路传感单元2进行控制的信号，比如，在人为设定纹路识别基板处于夜晚场景时，生成第一信号，实现对第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的导通控制；再比如，在人为设定纹路识别基板处于白天场景时，生成第二信号，实现对第一光路选择控制器5的导通控制。当然，还可以根据实际应用需要来设置生成第一信号和第二信号的具体实现，在此不再详述。
[0082]
在本发明实施例中，如图9所示，步骤s101：若接收到第一信号时，则导通第一光路选择控制器和第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据，包括：
[0083]
s301：若接收到第一信号时，则向所述第一采样控制端和所述第二采样控制端加载同频率脉冲信号；
[0084]
s302：在所述同频率脉冲信号的控制下，导通所述第一光路选择控制器和所述第二光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器和所述第二光敏采集器采集的第一纹路数据。
[0085]
在具体实施过程中，步骤s301至步骤s302的具体实现过程如下：
[0086]
首先，若接收到第一信号时，控制驱动芯片可以向第一采样控制端gate1和第二采样控制端gate2加载同频率脉冲信号，从而实现对第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的同步开关的控制；在同频率脉冲信号的控制下，导通第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，获得经由第一光敏采集器3和第二光敏采集器4采集的第一纹路数据。也就是说，在第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6均导通时，可以获得经由第一光敏采集器3和第二光敏采集器4采集的第一纹路数据。
[0087]
在本发明实施例中，如图10所示，步骤s102：若接收到第二信号时，则导通第一光路选择控制器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据，包括：
[0088]
s401：若接收到第二信号时，则向所述第一采样控制端加载第一控制信号，向所述第二采样控制端加载第二控制信号；
[0089]
s402：在所述第一控制信号的控制下，导通所述第一光路选择控制器；
[0090]
s403：在所述第二控制信号的控制下，断开所述第二光路选择器，获得经由所述第一光敏采集器采集的第二纹路数据。
[0091]
在具体实施过程中，步骤s401至步骤s403的具体实现过程如下：
[0092]
首先，若接收到第二信号时，控制驱动芯片可以向第一采样控制端gate1加载第一控制信号，在第一控制信号的控制下，导通第一光路选择控制器5，控制驱动芯片向第二采样控制端加载第二控制信号，在第二控制信号的控制下，断开第二光路选择控制器6，此时，仅可以获得经由第一光敏采集器3所采集的第二纹路数据。比如，第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6均为p型晶体管，则第一控制信号可以为低电平信号，第二控制信号可以为高电平信号；再比如，第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6均为n型晶体管，则第一控制信号可以为高电平信号，第二控制信号可以为低电平信号。当然，本领域技术人员还可以根据第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6的晶体管类型来设置第一控制信号和第二控制信号，在此不做限定。
[0093]
本发明实施例提供了一种纹路识别基板、其驱动方法及装置，其中，该纹路识别基板包括衬底基板和位于该衬底基板1上呈阵列排布的多个纹路传感单元2，各个纹路传感单元2包括第一光敏采集器3、第二光敏采集器4、第一光路选择控制器5和第二光路选择控制器6，该第一光路选择控制器5在第一采样控制端gate1的控制下与第一光敏采集器3串联耦接，第二光路选择控制器6在第二采样控制端gate2的控制下与第二光敏采集器4串联耦接，且串联耦接后的电路与第一光敏采集器3并联耦接；如此一来，在强光下，可以控制第一光敏采集器3采集纹路数据，若采用eqe较小的第一光敏采集器3，避免了强光下纹路传感单元2发生饱和现象；在弱光下，可以控制第一光敏采集器3和第二光敏采集器4同时采集纹路数据，从而提高了弱光下的光电流，保证了弱光下纹路传感单元2的光电转换效率。这样的话，同时兼顾了强光和弱光下的指纹识别精度。
[0094]
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0095]
显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。