一种针对基准电压的修调电路及修调方法与流程

1.本发明属于模拟集成电路技术领域，特别涉及一种针对基准电压的修调电路及修调方法。


背景技术：

2.cmos数字温度传感器内部包含偏置电路、基准电路、模数转换器等模块，可以将温度信号采集后通过内部模数进行转换，将温度信号数字化，cmos数字传感器具有体积小、集成度高、功能多、成本低、可直接输出数字信号等优点，被广泛应用于现代工业、医疗、交通、可穿戴设备、智能家居等领域。
3.目前cmos数字温度传感器已经成为各类soc中不可或缺的组成部分。同时，由于集成电路工艺节点缩小，电路的集成度不断提高，由此带来的芯片自发热现象也越来越严重。因此处理器或soc设计中需要大量片上温度传感器对不同位置进行实时温度检测，并反馈调节频率和电压，从而实现芯片性能动态，基准电压作为数字温度传感器内部重要部分，模数转换器将基准电压作为参考，将内部呈正温度系数的电压进行精确量化，得到与温度强相关的数字化温度值。故基准电压的精度直接决定了数字温度传感器的测温精度和整体性能，所以需要对基准电压进行校正与修调。
4.对于基准电压的修调，目前一般是按照基准核中电阻比例进行修调，然而，这些电阻需要占用大量面积，并且修调电路中的cmos开关自身有一定阻抗，将直接影响修调精度，最终导致cmos数字温度传感器性能不佳。


技术实现要素：

5.针对数字温度传感器对高精密基准电压的需求，本发明提出一种针对基准电压的修调电路及修调方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
6.在本发明的第一方面，本发明提供了一种基准电压修调电路，所述修调电路连接基准电压电路的v
eb
节点；所述修调电路包括正温度系数电流修调电路、负温度系数电流修调电路。每个温度系数电流修调电路均包括修调电流源、电流镜支路、修调使能单元、修调正负控制单元、修调比例控制单元；所述电流镜支路用于复制所述修调比例控制单元的输出结果；所述修调使能单元用于控制修调启动，所述修调正负控制单元用于控制基准电压的正负修调，所述修调比例控制单元用于控制基准电压的修调比例以及修调步径，并输出结果；其中，正温度系数修调电流源与负温度系数修调电流源的输出电流大小不等，从而控制输出不同正负方向的温度系数；温度系数电流修调电路中各个单元由熔丝信号分别进行控制。进一步的，所述基准电压电路包括第一偏置电流源ibias1、第二偏置电流源ibias2以及第一pnp管b1和第二pnp管b2；第一偏置电流源ibias1和第二偏置电流源ibias2的电流流入节点均连接电源vdd，第一偏置电流源ibias1的电流流出节点连接b1管的发射极和b2管的基极，b1管的基极和集电极短接后与b2管的集电极连接到gnd，b2管的发射极连接第二偏置电流源ibias2的电流流出节点即v
eb
节点。
7.进一步的，所述修调使能单元包括五个pmos管，第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的源极都连接电流源vdd，第一pmos管的漏极连接第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的栅极，且连接第五pmos管的漏极和所述修调比例控制单元；第三pmos管和第四pmos管的漏极连接所述修调正负单元；第五pmos管的源极连接第二pmos管的漏极；其中，第一pmos管的栅极连接熔丝信号反信号，第五pmos管栅极连接熔丝信号正信号。
8.进一步的，所述修调正负控制单元包括两个pmos管和四个nmos管，第六pmos管的源极连接第三pmos管的漏极，第七pmos管的源极连接第四pmos管的漏极；第六pmos管的漏极连接第七nmos管的漏极以及第九nmos管和第十nmos管的栅极，第七nmos管的源极连接第九nmos管的漏极；第七pmos管的漏极连接第八nmos管的漏极，第八nmos管的源极连接第十nmos管的漏极；第九nmos管和第十nmos管的源极接地；其中，第六pmos管的栅极连接熔丝信号正信号，第七pmos管、第七nmos管、第八nmos管的栅极连接熔丝信号反信号。
9.进一步的，所述修调比例控制单元包括m个控制单元端和n个并联的调节单元端；每个所述控制单元端包括第三nmos管和第四nmos管，第三nmos管栅极连接熔丝信号，第三nmos管漏极和第四nmos管栅极相连后连接所述修调电流源，第三nmos管源极连接第四nmos管漏极，第四nmos管源极接地；每个所述调节单元端均包括第五nmos管和第六nmos管，第五nmos管的源极连接第六nmos管的漏极，第五nmos管的漏极连接修调使能单元，第五nmos管的栅极连接熔丝信号，第六nmos管的源极接地，第六nmos管的栅极连接第四nmos管栅极，且m≥1，n≥1。
10.进一步的，所述电流镜支路包括第一nmos管和第二nmos管，第一nmos管栅极连接电流源vdd，第一nmos管漏极和第二nmos管栅极相连后连接所述修调电流源，第一nmos管源极连接第二nmos管漏极，第二nmos管源极接地。
11.在本发明的第二方面，本发明还提供了一种针对基准电压的修调方法，所述修调方法应用于本发明第一方面所述的一种针对基准电压的修调电路；所述修调方法包括：
12.控制输入修调使能单元使能的熔丝信号，使得正温度系数电流修调电路和负温度系数电流修调电路使能；
13.控制输入修调正负控制单元的熔丝信号，通过调节温度调节系数，从正温度系数电流修调电路中得到v
eb
节点电压的正修调结果，从负温度系数电流修调电路中得到v
eb
节点电压的负修调结果；
14.控制输入修调比例控制单元的熔丝信号，得到对应比例的修调结果。
15.本发明的有益效果是：
16.1、相比于传统对基准核中电阻比例进行修调，电阻需要占用大量面积，并且修调电路中的cmos开关自身有一定阻抗，直接影响修调精度的问题，本发明通过熔丝信号精确控制，可实现修调三极管中发射极电流，修调步径可以精确到并且可以通过改变m和n的大小进行调节，以达到精确修调效果；
17.2、本发明可以通过控制熔丝信号值，对温度系数电流修调电路中的各个单元分别进行对应的控制，以实现对修调电流正负的控制，从而实现对v
eb
电压可正可负的调整。
附图说明
18.图1是传统技术中基准电压正温度/负温度系数电压产生电路；
19.图2是本发明实施例中基准电压产生电路原理图；
20.图3是本发明实施例中基准电压的修调电路图；
21.图4是本发明实施例中的基准电压电路图；
22.图5是本发明实施例中修调过程中发射极电流正修调；
23.图6是本发明实施例中修调过程中发射极电流负修调。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
25.高精密基准电压作为大规模数模混合信号电路如cmos温度传感器、模数转换器、数模转换器等电路中的重要单元，如图1所示，其基本原理为通过采用两个比例为1:m的二极管接法的寄生pnp三极管q1、q2，在不同偏置电流下，能够满足电流比例为p:1的电压电路，其中pnp管发射极到基极电压差近似表示为：
[0026][0027]
其中k为玻尔兹曼常数(1.38
×
10
‑
23
j/k)，t位绝对温度，q为电荷常数(1.6
×
10
‑
19
c)，i
c
为流过三极管集电极电流，i
s
为与工艺相关的饱和电流。当v
eb
≈750mv，t＝300
°
k时，故v
eb
为负温度系数特性的电压。
[0028]
如果两个三极管的偏置电流不同，假设q1与q2偏置的集电极电流分别为p
·
i和i，并忽略它们的基极电流，那么们的基极电流，那么故
△
v
eb
呈现正温度特性即为正温度系数特性的电压。
[0029]
如图2，将负温度系数电压v
eb
与正温度系数电压
△
v
eb
相结合，通过调节系数α与β，可以得到和温度近似无关的基准电压v
ref
＝α
△
v
eb
βv
eb
。
[0030]
针对以上分析，当需要修调基准电压，即可修调基准电压中正温度系数β或者负温度系数α，可以通过修调三极管中发射极电流密度来实现，即得到修调值其中γ为修调系数。
[0031]
图3是本发明实施例中基准电压的修调电路图，如图3所示，所述修调电路包括正温度系数电流修调电路101和负温度系数电流修调电路102；每个温度系数电流修调电路均包括修调电流源、电流镜支路、修调使能单元、修调正负控制单元、修调比例控制单元；所述电流镜支路用于复制所述修调比例控制单元的输出结果；所述修调使能单元用于控制修调
启动，所述修调正负控制单元用于控制基准电压的正负修调，所述修调比例控制单元用于控制基准电压的修调比例以及修调步径，并输出结果；其中，正温度系数修调电流源与负温度系数修调电流源的输出电流大小不等，温度系数电流修调电路中各个单元由熔丝信号分别进行控制。
[0032]
在一些实施例中，所述修调正负控制单元包括两个pmos管和四个nmos管，第六pmos管的源极连接第三pmos管的漏极，第七pmos管的源极连接第四pmos管的漏极；第六pmos管的漏极连接第七nmos管的漏极以及第九nmos管和第十nmos管的栅极，第七nmos管的源极连接第九nmos管的漏极；第七pmos管的漏极连接第八nmos管的漏极，第八nmos管的源极连接第十nmos管的漏极；第九nmos管和第十nmos管的源极接地；其中，第六pmos管的栅极连接熔丝信号正信号，第七pmos管、第七nmos管、第八nmos管的栅极连接熔丝信号反信号或者，第六pmos管的栅极连接熔丝信号反信号，第七pmos管、第七nmos管、第八nmos管的栅极连接熔丝信号正信号。
[0033]
在一些实施例中，所述修调使能单元包括五个pmos管，第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的源极都连接电流源vdd，第一pmos管的漏极连接第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管的栅极，且连接第五pmos管的漏极和所述修调比例控制单元；第三pmos管和第四pmos管的漏极连接所述修调正负单元；第五pmos管的源极连接第二pmos管的漏极；其中，第一pmos管的栅极连接熔丝信号反信号，第五pmos管栅极连接熔丝信号正信号。
[0034]
在一些实施例中，所述修调比例控制单元包括m个控制单元端和n个并联的调节单元端；每个所述控制单元端包括第三nmos管和第四nmos管，第三nmos管栅极连接熔丝信号，第三nmos管漏极和第四nmos管栅极相连后连接所述修调电流源，第三nmos管源极连接第四nmos管漏极，第四nmos管源极接地；每个所述调节单元端均包括第五nmos管和第六nmos管，第五nmos管的源极连接第六nmos管的漏极，第五nmos管的漏极连接修调使能单元，第五nmos管的栅极连接熔丝信号，第六nmos管的源极接地，第六nmos管的栅极连接第四nmos管栅极，且m≥1，n≥1。
[0035]
在一些实施例中，所述电流镜支路包括第一nmos管和第二nmos管，第一nmos管栅极连接电流源vdd，第一nmos管漏极和第二nmos管栅极相连后连接所述修调电流源，第一nmos管源极连接第二nmos管漏极，第二nmos管源极接地。
[0036]
在一些实施例中，所述修调比例控制单元包括m个控制单元端和n个并联的调节单元端；所述控制单元端包括第三nmos管和第四nmos管，第三nmos管栅极连接熔丝信号，第三nmos管漏极和第四nmos管栅极相连后连接所述修调电流源，第三nmos管源极连接第四nmos管漏极，第四nmos管源极接地；每个调节单元端均包括第五nmos管和第六nmos管，第五nmos管的源极连接第六nmos管的漏极，第五nmos管的漏极连接修调使能单元，第五nmos管的栅极连接熔丝信号，第六nmos管的源极接地，第六nmos管的栅极连接第四nmos管栅极。
[0037]
可以理解的是，所述控制单元端的个数m和调节单元端的个数n可以根据实际情况进行设置，控制单元端的个数代表控制精度，调节单元端的个数代表调节精度，本领域技术人员可以根据实际情况，在考虑实际的修调精度和修调损耗下，折中选取合适的个数，例如可以考虑m＝6，n＝4等等。
[0038]
具体的，在一些实施例中，本发明的正温度系数电流修调电路101包括一nmos管
n1_1，一nmos管n2_1，一nmos管n3_1，一nmos管n4_1，以及m组nmos管对(本发明附图仅仅示出其中的第m组nmos管nm_1、n(m 1)_1，其余分组参考第m组)和n组nmos管对，这n组nmos管对还可以包括第n组nmos管nn_1、n(n 1)_1；这里的第n组nmos管可以包括一nmos管n5_1，一nmos管n6_1，一nmos管n7_1，一nmos管n8_1，一nmos管n9_1，一nmos管n10_1，一nmos管n11_1，一nmos管n12_1，一nmos管n13_1，一nmos管n14_1等，一nmos管n15_1，一nmos管n16_1，一nmos管n17_1，一nmos管n18_1，一pmos管p1_1，一pmos管p2_1，一pmos管p3_1，一pmos管p4_1，一pmos管p5_1，一pmos管p6_1，一pmos管p7_1。
[0039]
为了方面描述，在本实施例中，以第m组nmos管nm_1、n(m 1)_1指代整个m组nmos管对，以第n组nmos管nn_1、n(n 1)_1指代后续的n组nmos管对，n1_1和n3_1的漏极与n2_1、n4_1、nm_1、n(n 1)_1、n6_1、n8_1、n12_1、n14_1和n10_1的栅极在i1输入节点处相连，n2_1、n4_1、nm_1、n(n 1)_1、n6_1、n8_1、n12_1、n14_1和n10_1的源极连接到gnd，n2_1、n4_1、n6_1、n8_1、n12_1、n14_1和n10_1的漏极分别与n1_1、n3_1、n5_1、n7_1、n9_1、n11_1和n13_1的源极相连，n1_1的栅极连接到vdd，n3_1的栅极连接到f<n 1>，nm_1的栅极连接到f<m>，nn_1的栅极连接到f<n>，n5_1的栅极连接到f<4>，n7_1的栅极连接到f<3>，n9_1的栅极连接到f<2>，n11_1的栅极连接到f<1>，n13_1的栅极连接到f<0>，n5_1、n7_1、n9_1、n11_1和n13_1、p1_1、p3_1的漏极与p2_1、p4_1和p6_1的栅极相连，p3_1的栅极连接到f<m 2>，源极与p2_1的漏极相连，p1_1、p2_1、p4_1和p6_1的源极连接到vdd，p1_1的栅极连接到p5_1的栅极连接到f<m 1>，源极与p4_1的漏极相连，漏极与n15_1的漏极和n16_1、n18_1的栅极相连，n15_1栅极连接到源极连接到n16_1的漏极，n16_1和n18_1的源极连接到gnd，n18_1漏极连接到n17_1源极，n17_1栅极连接到p7_1栅极连接到源极连接到p6_1的漏极，漏极与n17_1漏极在节点a相连。
[0040]
在一些实施例中，假设电流镜支路n1_1/n2_1支路mos管宽长比为16倍n13_1/n14_1支路，那么以此类推可以得出n3_1/n4_1、n5_1/n6_1、n7_1/n8_1、n9_1/n10_1、n11_1/n12_1支路的比例依次为16、8、4、2、1。在一些实施例中，本发明的负温度系数电流修调电路102包括一nmos管n1_2，一nmos管n2_2，一nmos管n3_2，一nmos管n4_2，m组nmos管对(本发明附图仅仅示出其中的nmos管nm_2、n(m 1)_2，其余分组参考第m组)和n组nmos管对，这n组nmos管对还可以包括第n组nmos管nn_2、n(n 1)_2；这里的第n组nmos管可以包括一nmos管n5_2，一nmos管n6_2，一nmos管n7_2，一nmos管n8_2，一nmos管n9_2，一nmos管n10_2，一nmos管n11_2，一nmos管n12_2，一nmos管n13_2，一nmos管n14_2等，一nmos管n15_2，一nmos管n16_2，一nmos管n17_2，一nmos管n18_2，一pmos管p1_2，一pmos管p2_2，一pmos管p3_2，一pmos管p4_2，一pmos管p5_2，一pmos管p6_2，一pmos管p7_2。
[0041]
同样为了方面描述，在本实施例中，以第m组nmos管nm_2、n(m 1)_2指代整个m组nmos管对，以第n组nmos管nn_2、n(n 1)_2指代后续的n组nmos管对，n1_2和n3_2的漏极与n2_2、n4_2、nm_2、n(n 1)_2、n6_2、n8_2、n12_2、n14_2和n10_2的栅极在i2输入节点处相连，n2_2、n4_2、nm_1、n(n 1)_1、n6_2、n8_2、n12_2、n14_2和n10_2的源极连接到gnd，n2_2、n4_2、n6_2、n8_2、n12_2、n14_2和n10_2的漏极分别与n1_2、n3_2、n5_2、n7_2、n9_2、n11_2和n13_2的源极相连，n1_2的栅极连接到vdd，n3_2的栅极连接到f<n 1>，nm_2的栅极连接到f<m>，nn_2的栅极连接到f<n>，n5_2的栅极连接到f<4>，n7_2的栅极连接到f<3>，n9_2的栅极
连接到f<2>，n11_2的栅极连接到f<1>，n13_2的栅极连接到f<0>，n5_2、n7_2、n9_2、n11_2和n13_2、p1_2、p3_2的漏极与p2_2、p4_2和p6_2的栅极相连，p3_2的栅极连接到f<m 2>，源极与p2_2的漏极相连，p1_2、p2_2、p4_2和p6_2的源极连接到vdd，p1_2的栅极连接到p5_2的栅极连接到源极与p4_2的漏极相连，漏极与n15_2的漏极和n16_2、n18_2的栅极相连，n15_2栅极连接到f<m 1>，源极连接到n16_2的漏极，n16_2和n18_2的源极连接到gnd，n18_2漏极连接到n17_2源极，n17_2栅极连接到f<m 1>，p7_2栅极连接到f<m 1>，源极连接到p6_2的漏极，漏极与n17_2漏极在节点b相连。在一些实施例中，假设电流镜支路n1_2/n2_2支路mos管宽长比为16倍n13_2/n14_2支路，以此类推n3_2/n4_2、n5_2/n6_2、n7_2/n8_2、n9_2/n10_2、n11_2/n12_2支路的比例依次为16、8、4、2、1。
[0042]
可以理解的是，本发明实施例中，正温度系数电流修调电路和负温度系数电流修调电路的核心区别在于修调正负控制单元的不同，在正温度系数电流修调电路中，p5_1的栅极连接熔丝信号正信号，p7_1的栅极、n15_1的栅极和n17_1的栅极连接熔丝信号反信号；而在负温度系数电流修调电路中，p5_2的栅极连接熔丝信号反信号，p7_2的栅极、n15_2栅极和n17_2栅极连接熔丝信号正信号。
[0043]
在一些优选实施例中，图4是本发明实施例中的基准电压电路图，如图4所示，本发明的基准电压电路103包括一pnp管b1，一pnp管b2，一偏置电流源ibias1，一偏置电流源ibias2。ibias1和ibias2的电流流入节点连接到vdd，b1发射极与b2基极和ibias1电流流出节点相连，b1基极和集电极与b2集电极连接到gnd，b2发射极与ibias2电流流出节点连接于节点c。
[0044]
其中，正温度系数电流修调电路101中节点a与负温度系数电流修调电路102中节点b和103中节点c相连，并连接到2*v
eb
节点。
[0045]
在本发明的第二方面，本发明的一种针对基准电压的修调方法包括：
[0046]
控制输入修调使能单元使能的熔丝信号，使得正温度系数电流修调电路和负温度系数电流修调电路使能；
[0047]
控制输入修调正负控制单元的熔丝信号，通过调节温度调节系数，从正温度系数电流修调电路中得到v
eb
节点电压的正修调结果，从负温度系数电流修调电路中得到v
eb
节点电压的负修调结果；
[0048]
控制输入修调比例控制单元的熔丝信号，得到对应比例的修调结果。
[0049]
本发明可以针对基准电压中的任一v
eb
电压进行修调(v
eb
或者
△
v
eb
电压)，工作过程如下：
[0050]
在一些实施例中，假设本发明通过一组(m 3)bit的熔丝信号(f<m 2：0>)控制单元正温度系数电流修调电路101、负温度系数电流修调电路102的使能和修调，当f<m 2>＝0，修调单元使能，假设i1＞i2，在未修调前，节点c电压其中a和b表示不同的控制系数。
[0051]
当f<m 2>＝0，f<m 1>＝1，则对于正温度系数电流修调电路101，p2_1、p3_1、p6_1、p7_1导通，p4_1、p5_1、n15_1、n16_1、n17_1、n18_1、p1_1断开；对于负温度系数电流修调电路102，p2_2、p3_2、p4_2、p5_2、n15_2、n16_2、n17_2、
n18_2导通，p1_2、p6_2、p7_2断开；则对于正温度系数电流修调电路101，其支路电流由p6_1/p7_1流向负温度系数电流修调电路102中的n17_2/n18_2支路，如图5所示，因为i1＞i2，电流流入节点c，则可以得到修调值电流流入节点c，则可以得到修调值通过调节α值，可以实现对该v
eb
电压的正精确修调。
[0052]
当f<m 2>＝0，f<m 1>＝0，则对于正温度系数电流修调电路101，p2_1、p3_1、p4_1、p5_1、n15_1、n16_1、n17_1、n18_1导通，且p6_1、p7_1、p1_1断开；对于负温度系数电流修调电路102，p2_2、p3_2、p6_2、p7_2导通，且n4_2、n5_2、n15_2、n16_2、n17_2、n18_2断开；则对于负温度系数电流修调电路102模块，支路电流由p6_2/p7_2流向正温度系数电流修调电路101的n17_1/n18_1支路，如图6所示。因为i1＞i2，电流从节点c流出，流从节点c流出，通过调节α值，实现对该v
eb
电压的负精确修调。
[0053]
在本发明实施例中，具体电流比例修由熔丝信号f<n:0>以及f<n 1:m>控制，其中f<n 1:m>控制倍率的修调比例(例如粗调解)，f<n:0>控制具体的修调比例(例如细调解)。
[0054]
例如，当f<n 1:m>全为0时，n3_1/n4_1与n3_2/n4_2支路断开，通过控制f<n：0>的开关信号，分别导通各个支路，实现可调节的电流比例为(其中，i≤2
n 1
)以及)以及(其中，i≤2
n 1
)，设此时可调因子为α，则α的可调比例为α，则α的可调比例为(其中，i≤2
n 1
)并且可以任意调解f<n:0>与f<n 1:m>中的任一熔丝来实现不同的比例控制。
[0055]
当f<n 1:m>全为1时，可以修调整体比例，同上原理，α变为当f<n 1:m>全为1时，可以修调整体比例，同上原理，α变为(其中，i≤2
n 1
)，通过调整熔丝f<n 1:m>的值，可以将α的修调最小步径在与之间切换，并且可以任意调解f<n:0>与f<n 1:m>中的任一熔丝来实现不同的比例控制。
[0056]
需要强调的是，本发明中主要对α进行调解，α可变大变小，从而实现对整个系数的调整，而对系数β的调节电路也可以参照本发明的方案作出一定的调整后得到。
[0057]
通过以上几个步骤，本发明所提出的基准电压修调电路实现了v
eb
电压的精确修调以实现对基准电压的精确修调。
[0058]
由上述实施例可见，本发明通过在高精度数字温度传感器基准电压产生单元中采用上述修调结构，可以实现对基准电压的精确控制与修调，并且可以对基准电压进行正向、负向的修调，这种方式解决传统修调方式使用多个电阻修调，以调节正温度系数与负温度系数电压目的，但传统使用电阻方式占用版图面积大、精度差的问题。
[0059]
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、
“
另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“外”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0060]
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征，例如，每个所述控制单元端包括第三nmos管和第四nmos管指的是每个控制单元端中均存在上述第三nmos管和第四nmos管，有m个控制单元端即对应m个第三nmos管和m个第四nmos管。
[0061]
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋转”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0062]
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。