气体传感器、使用其的集成电路器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种气体传感器，包括：衬底，具有感测区域和围绕所述感测区域的周围区域，并且所述衬底还具有设置在所述感测区域中的开口；加热器，被设置为至少位于所述开口上面，其中，所述加热器的电阻率大于6
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m；介电层，设置在所述加热器上；感测电极，设置在所述介电层上；以及气体敏感膜，设置在所述感测电极上，其中，预定的气体可流入所述开口。2.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，所述加热器由钨(w)合金、钛钨(tiw)、氮化钛铝(tialn)、钽铝(taal)或它们的组合制成。3.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，所述加热器包括多层。4.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，所述加热器包括：图案部分，设置在所述衬底的感测区域上；以及焊盘，设置在所述衬底的周围区域上并且连接至所述图案部分。5.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，所述图案部分的线宽度为0.1μm至25μm。6.根据权利要求1所述的气体传感器，还包括：隔膜，设置在所述衬底与所述加热器之间。7.根据权利要求1所述的气体传感器，其中，所述隔膜由以下材料制成：硅(si)、二氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)、碳化硅(sic)、氮氧化硅(sion)或多孔硅。8.根据权利要求7所述的气体传感器，其中，所述隔膜具有设置在所述衬底的所述感测区域与所述周围区域之间的边界处的至少一个贯通孔。9.一种集成电路器件，包括：气体传感器，包括：衬底，具有感测区域和所述感测区域外侧的周围区域，并且所述衬底还具有设置在所述感测区域中的开口；加热器，被设置为至少位于所述开口上面，其中，所述加热器的熔点在500℃至3000℃的范围内；介电层，覆盖所述加热器；感测电极，设置在所述介电层上；和气体敏感膜，设置在所述感测电极上；互补金属氧化物半导体(cmos)器件，设置在所述气体传感器的衬底下面；以及多个连接元件，设置在所述气体传感器与所述互补金属氧化物半导体器件之间并且电连接至所述气体传感器和所述互补金属氧化物半导体器件，其中，预定的气体可流入所述开口。10.一种用于制造气体传感器的方法，包括：至少在衬底的感测区域中的开口上或上面形成加热器，其中，所述衬底具有所述感测区域和围绕所述感测区域的周围区域，并且所述加热器的电阻率大于6
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m；在所述加热器上形成介电层；在所述介电层上形成感测电极；以及
在所述感测电极上形成气体敏感膜，其中，预定的气体可流入所述开口。

技术总结
本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6


技术研发人员：郑钧文 朱家骅 赖飞龙 林详淇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2015.11.13
技术公布日：2022/1/4