多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架与流程

技术特征：
1.多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：包括：取用于制备引线框架的铝合金板带，所述铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在所述合金面层和所述厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对设置有掩膜层的所述合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对设置有掩膜层的所述厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对所述铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。2.根据权利要求1所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：所述合金面层包括依次叠合的tio2层、第一al2o3层、ag层、第二al2o3层以及第三al2o3层，所述第三al2o3层与厚铝面层连接。3.根据权利要求2所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：所述第一刻蚀液包括氢氟酸、硝酸、三氯化铁以及水，且第一刻蚀液中，所述氢氟酸、硝酸和水的体积比为(5
‑
15)：(3
‑
20)：100，所述三氯化铁的浓度为1.8
‑
2.5mol/l；所述第二刻蚀液包括盐酸、硝酸、三氯化铁以及水，且第二刻蚀液中，所述盐酸、硝酸和水的体积比为(3
‑
20)：(3
‑
20)：100，所述三氯化铁的浓度为1.8
‑
2.5mol/l。4. 根据权利要求3所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：所述第一刻蚀液对合金面层喷淋的压力为：2
‑
3 kg/cm2，所述第二刻蚀液对厚铝面层喷淋的压力为：1
‑
1.8 kg/cm2。5.根据权利要求3所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：对所述合金面层进行喷淋刻蚀时控制所述第一刻蚀液温度始终为30
‑
40℃，对所述厚铝面层进行喷淋刻蚀时控制所述第二刻蚀液温度始终为25
‑
40℃。6.根据权利要求1
‑
5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：在所述合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层的方法为：取掩膜油墨并通过丝网印刷的方式分别印制在所述合金面层和厚铝面层上，烘干所述合金面层和厚铝面层上的掩膜油墨，之后曝光显影使掩膜油墨固化得到掩膜层。7.根据权利要求6所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：在所述合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层的方法为：清洁所述铝合金板带；准备所述掩膜油墨并将掩膜油墨置于无光源处静置5
‑
15min；采用丝网印刷的方式将掩膜油墨印制到所述合金面层上，控制印刷时刮板角度为60
‑
80
°
、刮板移动速度为2
‑
5m/min、刮板压力为0.8
‑
1.5kg/cm
²
；印制后将合金面层置于70
‑
100℃的温度下烘烤5
‑
8min；采用丝网印刷的方式将掩膜油墨印制到所述厚铝面层上，控制印刷时刮板角度为60
‑
80
°
、刮板移动速度为2
‑
5m/min、刮板压力为0.8
‑
1.5kg/cm
²
；印制后将厚铝面层置于70
‑
100℃的温度下烘烤5
‑
8min；将印制了掩膜油墨的所述铝合金板带进行曝光，控制光源能量为80
‑
200mj；对曝光后的铝合金板带进行显影，控制显影速度为1.5
‑
2m/min，显影压力为0.8
‑
1.2kg/cm
²
。8.根据权利要求1
‑
5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：对所述铝合金板带抛光的方法为：将所述铝合金板带浸入25
‑
40℃的抛光液中抛光10
‑
20min；
所述抛光液包括硝酸和水，两者的体积比为(3
‑
10)：100。9.根据权利要求1
‑
5任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法，其特征在于：去除所述铝合金板带上的掩膜层的方法为：将所述铝合金板带浸入40
‑
70℃的n
‑
甲基吡咯烷酮中浸泡2
‑
10min使掩膜层脱离。10.多层铝合金引线框架，其特征在于：采用权利要求1
‑
9任一所述的多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。

技术总结
本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。框架的加工精度。框架的加工精度。


技术研发人员：周武 刘波 李忠泽 陈建松 黄傲
受保护的技术使用者：昆山弗莱吉电子科技有限公司
技术研发日：2021.10.25
技术公布日：2022/1/3