环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备与流程

技术特征：
1.一种环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。2.根据权利要求1所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，释放所述鳍片牺牲层之前，还包括：对所述鳍片进行刻蚀减薄，并使得所述鳍片中的鳍片沟道层与鳍片牺牲层均被减薄；释放所述鳍片牺牲层之后，还包括：在所述伪栅极内被释放与刻蚀掉的空间形成内隔离层。3.根据权利要求2所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，对所述鳍片进行刻蚀减薄，包括：对所述鳍片的第一侧与第二侧分别进行刻蚀，所述第一侧与所述第二侧指沿指定方向分布于所述鳍片的两侧，所述指定方向垂直于所述沟道方向。4.根据权利要求3所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，对所述鳍片的第一侧与第二侧分别进行刻蚀，以减薄所述鳍片，包括；以选择性刻蚀的方式对所述鳍片的第一侧与第二侧分别进行刻蚀。5.根据权利要求1至4任一项所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀，包括：在所述锗硅材料层刻蚀出槽体，所述槽体的槽底高度匹配于最底层的沟道层的高度，所述槽体与所述沟道层之间被硅材料隔开。6.根据权利要求5所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，所述槽体槽底的硅材料沿指定方向的宽度匹配于未被减薄的鳍片的宽度。7.根据权利要求1至4任一项所述的环栅器件的源漏制备方法，其特征在于，所述鳍片牺牲层的材料为锗硅。8.一种环栅器件的器件制备方法，其特征在于，包括：权利要求1至7任一项所述的源漏制备方法。9.一种环栅器件，其特征在于，采用权利要求8所述的器件制备方法制备而成。10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的环栅器件。

技术总结
本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。层形成源极与漏极。层形成源极与漏极。


技术研发人员：陈鲲 徐敏 杨静雯 王晨 张卫 徐赛生 吴春蕾
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2022/1/3