一种嵌埋式陶瓷基板的制作方法

技术特征：
1.一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于，包括从上至下依次设置的正面金属层、瓷片以及背面金属层，所述正面金属层以及背面金属层分别敷接在所述瓷片的上下表面；所述正面金属层包括至少两层上下设置的金属层，至少两层金属层中远离所述瓷片的金属层上开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔,所述贯穿孔用于内嵌芯片。2.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述金属层设有三层，分别为从下至上依次设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层；所述第二金属层以及所述第三金属层上均开设有所述贯穿孔，且所述第二金属层以及所述第三金属层上的贯穿孔相互导通；所述第二金属层的贯穿孔的面积小于第三金属层的贯穿孔的面积。3.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：以至少两层上下设置的金属层中靠近所述瓷片的金属层为第一金属层，所述第一金属层上开设有芯片定位槽，所述芯片定位槽是非贯通盲槽；所述贯穿孔与所述芯片定位槽上下导通，且所述芯片定位槽的横截面面积小于所述贯穿孔的面积。4.根据权利要求3所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述芯片定位槽的深度为第一金属层深度的2/3。5.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：以至少两层上下设置的金属层中靠近所述瓷片的金属层为第一金属层，所述第一金属层上设有内凹的内凹部，且所述第一金属层上还开设有上下贯穿的回形槽，所述回形槽位于所述内凹部的外围，所述回形槽用于将内凹部呈孤岛状设置在第一金属层。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：至少两层上下设置的金属层中靠近所述瓷片的金属层与所述瓷片烧结在一起，其余金属层之间通过真空扩散焊连接。7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述贯穿孔的横截面为正方形、长方形、圆形、五边形、六边形中的一种或几种。8.根据权利要求2所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述第一金属层的厚度为0.2mm
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0.4mm，所述第二金属层的厚度为0.2mm
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0.3mm，所述第三金属层的厚度为0.2mm
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0.3mm，所述背面金属层的厚度为0.5mm
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1.0mm。9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述正面金属层为铜层或铝层。10.根据权利要求1至5中的任意一项所述的一种嵌埋式陶瓷基板，其特征在于：所述背面金属层为铜层或铝层。

技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域。一种嵌埋式陶瓷基板，包括从上至下依次设置的正面金属层、瓷片以及背面金属层，正面金属层以及背面金属层分别敷接在瓷片的上下表面；正面金属层包括至少两层上下设置的金属层，至少两层金属层中远离瓷片的金属层上开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔,贯穿孔用于内嵌芯片。1)提供了一种新型的芯片嵌埋式封装基板；2)能够降低封装模块的厚度，从而降低芯片的封装密度；3)嵌埋式覆铜基板能够为芯片提供更好的散热性，并提供芯片定位槽，可防止芯片焊接时位置偏移。可防止芯片焊接时位置偏移。可防止芯片焊接时位置偏移。


技术研发人员：王斌 贺贤汉 周轶靓 葛荘 吴承侃
受保护的技术使用者：上海富乐华半导体科技有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/12/17