声谐振器装置的制作方法

技术特征：
1.一种制造用于流体装置的体声波谐振器结构的方法，包括：在基板的第一表面的一部分上方设置第一导电材料以形成第一电极的至少一部分，所述基板具有与所述第一表面相对的第二表面；在所述第一电极上方设置压电材料；在所述压电材料上方设置第二导电材料以形成第二电极的至少一部分，其中所述第二导电材料基本上平行于所述基板的所述第一表面延伸，所述第二导电材料至少部分地在所述第一导电材料上方延伸，其中所述第一导电材料、所述压电材料和所述第二导电材料的重叠区域形成体声波谐振器，所述体声波谐振器具有第一侧和相对的第二侧；在所述体声波谐振器的第一侧上方设置声能管理结构；在所述第二导电材料的延伸超出所述体声波谐振器的一部分上方设置第三导电材料，其中所述第三导电材料形成互连件，所述互连件在所述声能管理结构上方在基本垂直于所述基板的所述第一表面的方向延伸；以及去除所述基板的所述第二表面的一部分以暴露在所述体声波谐振器的第二侧处的所述第一电极处的化学机械连接。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述体声波谐振器的第一侧上方设置声能管理结构包括由可光成像材料形成至少一个壁结构和顶部以在所述体声波谐振器上方限定气腔。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述体声波谐振器的第一侧上方形成所述声能管理结构包括设置材料层以在所述体声波谐振器上方形成声反射镜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括：在所述基板上设置并且图案化牺牲层；以及在所述牺牲层上方设置钝化层，其中在设置所述第一导电材料之前设置所述钝化层，其中在所述基板的所述第一部分上方设置所述第一导电材料包括图案化所述第一导电材料使得所述第一导电材料在所述牺牲层上方对齐，以及其中所述钝化层在与所述第一导电材料重叠的区域中形成所述第一电极的至少一部分。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：去除与所述钝化层相邻的所述牺牲层。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中去除所述基板的一部分包括减小所述基板的厚度。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述基板的厚度减小到200微米至400微米厚。8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括将所述体声波谐振器结构安装到基部，其中安装所述体声波谐振器包括至少将所述互连件电耦合到所述基部。9.一种制造流体装置的方法，所述方法包括：形成体声波谐振器结构，其中形成所述体声波谐振器结构包括：将第一导电材料设置在基板的第一表面的一部分上方以形成第一电极的至少一部分，在所述第一导电材料上方设置压电材料；在所述压电材料上方设置第二导电材料以形成第二电极的至少一部分，其中所述第二
导电材料基本上平行于所述基板的所述第一表面延伸，所述第二导电材料至少部分地在所述第一导电材料上方延伸，其中所述第一导电材料、所述压电材料和所述第二导电材料的重叠区域形成体声波谐振器，在所述体声波谐振器的第一侧上方形成声反射器，将第三导电材料设置在所述第二导电材料的延伸超出所述体声波谐振器的一部分上方，其中所述第三导电材料形成互连件，所述互连件在所述反射器结构上方在基本垂直于所述基板的所述第一表面的方向延伸，以及去除所述基板的一部分以在所述体波声波谐振器的第二侧暴露所述第一电极；以及将所述体声波谐振器结构安装到基部，其中安装所述体声波谐振器包括将所述互连件耦合到所述基部。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述体波声波谐振器和所述基部之间设置粘合剂材料。11.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述第二电极上方设置功能化材料。12.根据权利要求9所述的方法，还包括：将腔壁附接到所述基部，其中所述腔壁包围所述体声波谐振器结构的周边并且将盖设置在所述腔壁上，其中所述盖包括流体入口和流体出口。13.根据权利要求9所述的方法，其中去除所述基板的一部分包括减小所述基板的厚度。14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其中形成声反射器的步骤包括设置材料的交替层。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述材料的所述交替层选自：碳氧化硅[sioc]、氮化硅[si3n4]、二氧化硅[sio2]、氮化铝[aln]、钨[w]和钼[mo]。16.根据权利要求13所述的方法，其中所述基板的厚度减小到200微米至400微米厚。17.一种制造流体装置的方法，所述方法包括：形成体声波谐振器结构，其中形成所述体声波谐振器结构包括：将第一导电材料设置在所述基板的第一表面的一部分上方以形成第一电极的至少一部分，在所述第一导电材料上方设置压电材料；在所述压电材料上方设置第二导电材料以形成第二电极的至少一部分，其中所述第二导电材料基本上平行于所述基板的所述第一表面延伸，所述第二导电材料至少部分地在所述第一导电材料上方延伸，其中所述第一导电材料、所述压电材料和所述第二导电材料的重叠区域形成体声波谐振器，在所述体声波谐振器的第一侧上方形成气腔，将第三导电材料设置在所述第二导电材料的延伸超出所述体声波谐振器的一部分上方，其中所述第三导电材料形成互连件，所述互连件在所述反射器结构上方在基本垂直于所述基板的所述第一表面的方向延伸，以及去除所述基板的一部分以在所述体波声波谐振器的第二侧暴露所述第一电极；以及将所述体声波谐振器结构安装到基部，其中安装所述体声波谐振器包括将所述互连件
耦合到所述基部。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述体波声波谐振器和所述基部之间设置粘合剂材料。19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述第二电极上方设置功能化材料。20.根据权利要求17至19中任一项所述的方法，还包括：将腔壁附接到所述基板，其中所述腔壁包围所述体声波谐振器结构的周边并且将盖设置在所述腔壁上，其中所述盖包括流体入口和流体出口。21.根据权利要求17所述的方法，其中去除所述基板的一部分包括减小所述基板的厚度。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述基板的厚度减小到200微米至400微米厚。23.根据权利要求17至19、21或22中任一项所述的方法，其中形成气腔的步骤包括形成至少一个壁和光可成像材料的顶部。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述顶部的面积为100平方微米至500,000平方微米。25.一种流体装置，包括：体声波谐振器结构，所述体声波谐振器结构包括：布置在基板下方的体声波谐振器，其中所述体声波谐振器包括设置在基板的第一表面的一部分上方的第一电极、设置在所述第一电极上方的压电材料以及设置在所述压电材料上方的第二电极，其中所述第一电极、所述压电材料和所述第二电极的重叠区域形成体声波谐振器；设置在所述体声波谐振器的第一侧上方的声能管理结构；设置在所述第二电极的延伸超出所述体声波谐振器的一部分上方的互连件，其中所述互连件在所述声能管理结构的高度上方在基本上垂直于所述基板的所述第一表面的方向上延伸，以及其中所述基板包括从所述基板的第二表面延伸至所述第一电极的开口；设置在所述第一电极上方的所述开口处的功能化材料；电耦合到所述互连件的基部；从所述基部延伸并且包围所述体声波谐振器结构的腔壁；以及至少部分地由所述基板和所述腔壁界定的流体腔。26.根据权利要求25所述的流体装置，其中所述声能管理结构包括至少一个壁和包含光可成像材料的顶部。27.根据权利要求26所述的流体装置，其中所述顶部具有100平方微米至500，000平方微米的面积。28.根据权利要求25所述的流体装置，其中所述声能管理结构包括声反射器。29.根据权利要求28所述的流体装置，其中所述声反射器包括选自以下材料的交替层：碳氧化硅[sioc]、氮化硅[si3n4]、二氧化硅[sio2]、氮化铝[aln]、钨[w]、和钼[mo]。30.根据权利要求25至30中任一项所述的流体装置，其中所述基板具有200微米至400微米的厚度。
31.根据权利要求25至30中任一项所述的流体装置，其中所述体声波谐振器结构包括多个体声波谐振器，所述多个体声波谐振器中的每个包括相关的声能管理结构和用于将所述多个体声波谐振器中的每个独立地电耦合到所述基部的互连件。32.根据权利要求31所述的流体装置，其中所述多个体声波谐振器沿着所述基板以行和列的模式布置。

技术总结
制造用于流体装置的体声波谐振器结构的方法可以包括将第一导电材料设置在基板的第一表面的一部分上以形成第一电极的至少一部分的第一步骤；然后，可以将压电材料设置在第一电极之上；接下来，可以将第二导电材料设置在压电材料上方以形成第二电极的至少一部分；然后将声能管理结构设置在体声波谐振器的第一侧上方；接着，将第三导电材料设置在第二导电材料的延伸超出体声波谐振器的一部分上；最后，基板的第二表面的一部分被去除以暴露在体声波谐振器的第二侧的第一电极处的化学机械连接。连接。连接。


技术研发人员：里约
受保护的技术使用者：QORVO生物技术有限公司
技术研发日：2020.05.06
技术公布日：2021/12/16