电子设备的制作方法

1.本技术实施例涉及电子产品供电技术。更具体地讲，涉及一种电子设备。


背景技术：

2.随着电子产品的发展，一些电子产品如虚拟现实(virtual reality，简称vr)设备、增强显示(augmented reality，简称ar)设备、平板电脑等都是同时拥有多个电源接口，当这些电子产品需要被供电时，该多个电源接口外接供电设备，由该供电设备为电子产品供电。
3.在供电设备通过多个电源接口为电子产品供电时，需要对该多个电源接口输入的电流进行优先级控制，从而避免发生供电冲突，以及避免由于供电冲突引起的供电故障。


技术实现要素：

4.本技术示例性的实施方式提供一种电子设备，可以对电子设备上多个电源接口输入的电流进行优先级控制，避免供电冲突，优化电子产品被供电的过程。
5.一种电子设备，其特征在于，包括：
6.供电控制接口，用于连接所述电子设备的供电单元；
7.n个第一接口，所述第一接口用于连接第一外部设备，n为大于零的整数；
8.n个第一导通模块，所述第一导通模块的输入端与所述第一接口连接，所述第一导通模块的输出端连接所述供电控制接口，当所述第一导通模块导通时，所述第一外部设备通过所述第一接口和所述供电控制接口为所述供电单元充电；
9.第二接口，用于连接第二外部设备；
10.第二导通模块，所述第二导通模块的输入端与所述第二接口连接，所述第二导通模块的输出端连接所述供电控制接口，当所述第二导通模块导通时，所述第二外部设备通过所述第二接口和所述供电控制接口为所述供电单元充电；
11.n个截止模块，所述截止模块与所述第一接口、所述第二接口和所述第一导通模块连接，所述截止模块用于当所述第二外部设备为所述供电单元充电时截止所述第一导通模块，以截止所述第一外部设备为所述供电单元充电。
12.其中一个实施例中，所述第一导通模块包括：
13.mos管q1，所述mos管q1的漏极与所述第一接口连接；
14.电阻r1，所述电阻r1的第一端通过所述截止模块与所述mos管q1的栅极间接连接，所述电阻r1的第二端与所述mos管q1的漏极、所述第一接口连接。
15.其中一个实施例中，所述第一导通模块还包括：
16.电容c1，所述电容c1的一个极板与所述电阻r1的第一端连接，另一个极板所述电阻r1的第二端连接。
17.其中一个实施例中，所述截止模块包括：
18.三极管d1，所述三极管d1的基极与所述第二接口连接，所述三极管d1的发射极接
地；
19.三极管d2，所述三极管d2的基极与所述三极管d1的集电极、所述电阻r1的第一端连接，所述三极管d2的发射极接地，所述三极管d2的集电极与所述mos管q1的栅极连接；
20.当所述三极管d1导通时所述三极管d2截止，导致所述mos管q1和所述mos管q2截止。
21.其中一个实施例中，所述第二导通模块包括：
22.三极管d3，所述三极管d3的基极与所述第二接口连接，所述三极管d3的发射极接地；
23.mos管q2，所述mos管q2的栅极与所述三极管d3的集电极连接，所述mos管q2的漏极与所述第二接口连接，所述mos管q2的源极与所述供电控制接口连接；
24.电阻r2，所述电阻r2的第一端与所述mos管q2的源极、所述供电控制接口连接，所述电阻r2的第二端与所述mos管q2的栅极连接。
25.其中一个实施例中，所述第二导通模块还包括：
26.电容c2，所述电容c2的一个极板与所述电阻r2的第一端连接，另一个极板与所述电阻r2的第二端连接。
27.其中一个实施例中，所述第二导通模块还包括：
28.电阻r3，所述电阻r3的一端连接所述第二接口，所述电阻r3的另一端连接所述三极管d3的基极。
29.其中一个实施例中，所述第一接口还用于连接第三外部设备，所述电子设备包括处理器，所述处理器包括第一控制接口和第二控制接口；
30.所述第一导通模块还包括：
31.mos管q3，所述mos管q3的源极与所述mos管q1的源极连接，所述mos管q3的漏极与所述供电控制接口连接；
32.电阻r4，所述电阻r4的第一端与所述mos管q3的栅极连接，所述电阻r4的第二端与所述mos管q3的源极、所述mos管q1的源极连接；
33.所述电子设备还包括：
34.三极管d4，所述三极管d4的基极与所述第一控制接口连接，所述三极管d4的发射极接地；
35.mos管q4，所述mos管q4的漏极与所述第一控制接口连接，所述mos管q4的源极与所述第一接口、所述电阻r1的第二端、所述mos管q1的漏极连接，所述mos管q4的栅极与所述三极管d4的集电极、该电阻r1的第二短、该三极管d2的基极连接；
36.所述三极管d4的集电极和所述mos管q4的栅极均与所述三极管d2的基极连接；
37.三极管d5，所述三极管d5的基极与所述第二控制接口连接，所述三极管d5的发射极接地，所述三极管d5的集电极与所述mos管q3的栅极、所述电阻r4的第一端连接；
38.当所述处理器在所述第一控制接口输入高电平信号，且所述处理器在所述第二控制接口输入低电平信号时，所述三极管d4和所述mos管q4导通，所述三极管d5和所述第一导通模块截止，所述电子设备为所述第三外部设备供电。
39.其中一个实施例中，所述第二接口还用于连接第四外部设备，所述处理器还包括第三控制接口，所述电子设备还包括：
40.三极管d6，所述三极管d6的基极与所述第三控制接口连接，所述三极管d6的发射极接地，所述三极管d6的集电极与所述mos管q2的栅极连接；
41.当所述处理器在所述第二控制接口输入低电平信号，且所述处理器在所述第三控制接口输入高电平信号时，所述mos管q2和所述三极管d6导通，所述三极管d4和所述mos管q4导通，所述三极管d5和所述第一导通模块截止，所述电子设备为所述第四外部设备供电。
42.其中一个实施例中，当所述处理器在所述第二控制接口输入高电平信号，且通过所述供电控制接口无法为所述供电单元输入电流时，所述三极管d5导通，进而所述第一导通模块导通，所述第二外部设备为所述第三外部设备供电；
43.当所述第二控制接口输入高电平信号，且通过所述供电控制接口能够为所述供电单元输入电流时，所述第二外部设备为所述第三外部设备和所述供电单元供电。
44.其中一个实施例中，当所述第一接口连接所述第一外部设备，所述第二接口连接所述第四外部设备，且所述处理器在第二控制接口和所述第三控制接口均输入高电平信号时，所述三极管d2、所述三极管d5、所述mos管q2、所述三极管d6和所述第一导通模块导通，所述第一外部设备为所述第四外部设备供电。
45.其中一个实施例中，所述电子设备还包括检测接口，所述电子设备还包括：
46.三极管d7，所述三极管d7的基极与所述三极管d3的基极连接，所述三极管d7的发射极接地，所述三极管d7的集电极与所述检测接口连接。
47.本技术提供的电子设备包括供电控制接口、n个第一接口、n个第一导通模块、第二接口、第二导通模块和n个截止模块，其中所述第一接口用于连接第一外部设备，所述第二接口用于连接第二外部设备，所述第一外部设备和所述第二外部设备都可以为电子设备供电。但是当所述第二外部设备为电子设备供电时，所述截止模块可以截止所述第一导通模块，从而截止所述第一外部设备为所述电子设备供电。因此本技术提供的所述电子设备可以对电子产品的外部供电设备的供电的优先级进行控制，以避免供电冲突，优化电子设备被供电的过程。
附图说明
48.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的实施方式，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
49.图1中示例性示出了实施例一中电子设备的示意图。
50.图2中示例性示出了实施例一种电子设备的充电示意图。
51.图3中示例性示出了实施例二中电子设备的示意图。
52.图4中示例性示出了实施例三中电子设备的示意图。
53.图5中示例性示出了实施例四中电子设备的示意图。
54.图6中示例性示出了实施例五中电子设备的示意图。
55.附图标记说明
56.电子设备
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10
57.供电单元
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11
58.处理器
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12
59.第一控制接口
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121
60.第二控制接口
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122
61.第三控制接口
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123
62.供电控制接口
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100
63.第一接口
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200
64.第一导通模块
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300
65.第二接口
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400
66.第二导通模块
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500
67.截止模块
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600
具体实施方式
68.为使本技术的目的、实施方式和优点更加清楚，下面将结合本技术示例性实施例中的附图，对本技术示例性实施方式进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例性实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
69.基于本技术描述的示例性实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术所附权利要求保护的范围。此外，虽然本技术中公开内容按照示范性一个或几个实例来介绍，但应理解，可以就这些公开内容的各个方面也可以单独构成一个完整实施方式。
70.一些电子产品如虚拟现实(virtual reality，简称vr)设备、增强显示(augmented reality，简称ar)设备、平板电脑等都是同时拥有多个电源接口，当这些电子产品需要被供电时，该多个电源接口外接供电设备，由该供电设备为电子产品供电。但是在供电设备通过多个电源接口为电子产品同时供电时容易发生供电冲突，从而导致供电设备无法正常为电子产品供电，引起供电故障。
71.基于此，本技术提供一种电子设备，该电子设备上的接口包括连接外部设备的至少两个接口和与电子设备的供电单元连接的供电控制接口，对应的，设置有关于至少两个接口之间的至少两个导通模块、与该至少两个导通模块对应的截止模块。在该外部设备通过该至少两个接口为该电子设备供电时，该截止模块可以使得该至少两个导通模块中与优选接口对应的导通模块导通，而与其他接口对应的导通模块全部截止，进而使得只有该至少两个接口中的优选接口作为给电子设备供电的接口，而该至少两个接口中除该优选接口的其他接口则全部截止。此时，便实现了电子设备供电的优先级控制，使得与优选接口连接的外部设备优先为电子设备供电，避免了电子设备的供电冲突和供电故障，优化了电子设备的供电过程。
72.请参见图1，本技术实施例一提供一种电子设备10，该电子设备10包括供电控制接口100、n个第一接口200、n个第一导通模块300、第二接口400、第二导通模块500和n个截止模块600，其中n为大于零的整数。
73.该供电控制接口100用于连接该电子设备10的供电单元11，该供电单元11可以理解为该电子设备10的电池系统。
74.该第一接口200用于连接第一外部设备，该第二接口400用于连接第二外部设备。如果该电子设备10为vr设备、ar设备或平板电脑，该第一接口200和第二接口400可以理解
为类似microusb(micro universalserialbus)接口、type
‑
c usb(type
‑
c universalserialbus)接口等这样的接口。该第一外部设备和该第二外部设备都为供电设备，可选的，该第一外部设备和该二外部设备可以为非usb otg(usb on
‑
the
‑
go)设备，例如通用串行总线(universalserialbus，简称usb)设备、电源适配器等。
75.该第一导通模块300的输入端与该第一接口200连接，该第一导通模块300的输出端连接该供电控制接口100，当该第一导通模块300导通时，该第一外部设备通过该第一接口200和该供电控制接口100为该供电单元11充电。该第一导通模块300只有在该第一接口200有电流输入的时候才会被导通，即该第一导通模块属于单向导通的电路模块。可选的，该第一导通模块300可以包括一个或多个单向导通的器件，该单向导通的元器件例如三极管、金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor，简称mos管)。
76.该第二导通模块500的输入端与该第二接口400连接，该第二导通模块500的输出端连接该供电控制接口100，当该第二导通模块500导通时，该第二外部设备通过该第二接口400和该供电控制接口100为该供电单元11充电。与该第一导通模块300类似，该第二导通模块500只有在该第二接口300有电流输入的时候才会被导通。可选的，该第二导通模块300可以包括一个或多个单向导通的器件，该单向导通的器件例如三极管、mos管。
77.该截止模块600与该供电控制接口100、该第一接口200、该第二接口400和该第一导通模块300连接，即一个该第一接口200连接有一个该第一导通模块300，一个该第一导通模块300连接有一个该截止模块600。请参见图2所示的该电子设备10的充电示意图，该截止模块600用于当该第二外部设备为该供电单元11充电时截止该第一导通模块300，以截止该第一外部设备为该供电单元11充电。
78.如图2所示，该截止模块600截止该第一导通模块300的条件是该第二外部设备为该供电单元11充电时截止，即该截止模块600当该第二接口400有电流输入时截止该第一导通模块300，因此该截止模块600必须与该第二接口400连接。可选的，该截止模块600也是单向导通或单向触发的电路模块，当该第二接口400有电流输入时，该第二接口400的电平状态为高电平信号，从而触发该截止模块600作用，该截止模块600被触发后截止该第一导通模块300。
79.如上描述，该第一导通模块300属于单向导通的电路模块，该第一导通模块300中可以包含单向导通的器件，因此该截止模块600在被触发后截止该第一导通模块300的方式可以是通过控制输入至该第一导通模块300的电平高低来控制截止该第一导通模块300。例如，该第一导通模块300在接收到高电平信号的状态下才可以导通，则该截止模块600可以将输入至该第一导通模块300的电平状态控制在低电平信号，从而截止该第一导通模块300。当该第一导通模块300被截止后，该第一外部设备无法再通过该第一接口200和该第一导通模块300为该供电单元11充电，此时只能由该第二外部设备通过该第二接口400和该第二导通模块500为该供电单元11充电。
80.需要说明的是，该第二接口400是基于该截止模块600产生的优选接口，即因为该截止模块600的结构可以对该第一导通模块300截止，所以该第二接口400才是优选接口，与该第二接口400连接的第二外部设备才是优选的供电设备。在该电子设备10的实际制作中，工作人员可以提前选定优选接口作为该第二接口400，然后按照本实施例提供的结构制作该电子设备10。
81.本实施例提供的该电子设备10包括一一对应设置的n个第一接口200、n个第一导通模块300和n个截止模块600，当该第二接口400有电流接入的时候，该第一导通模块300连接的该截止模块600会截止该第一导通模块300，从而截止该第一外部设备为该供电单元11充电。即，只要该第二外部设备通过该第二接口400输入电流，则所有用于连接外部设备的接口中只有该第二接口400可以将外部设备的电流通过该供电控制接口100输入至该供电单元11。因此本实施例提供的该电子设备10在被充电时可以对外部设备通过接口输入的电流进行优先选择和控制，使得优选的接口作为与外部设备连接的供电接口，从而避免多个接口同时输入电流时引发的供电冲突和供电故障。
82.请参见图3，本技术实施例二提供的该电子设备10中对实施例一中的该第一导通模块300进行进一步的描述，在本实施例中，该第一导通模块300包括mos管q1和电阻r1，该截止模块600包括三极管d1和三极管d2。
83.该mos管q1的漏极与该第一接口200连接，该电阻r1的第一端通过该截止模块600与该mos管q1的栅极间接连接，该电阻r1的第二端与该mos管q1的漏极、该第一接口200连接。具体的，该截止模块600中的三极管d1的基极与该第二接口400连接，该三极管d1的发射极接地，该三极管d1的集电极与该三极管d2的基极连接。该三极管d2的基极还与该电阻r1的第一端连接，该三极管d2的发射极接地，该三极管d2的集电极与该mos管q1的栅极连接。
84.如图3所示，当该第二接口400输入电流时，该三极管d1导通，从而使得该三极管d2的基极接地。当该三极管d2的基极接地后，该mos管q1的栅极电压过高，此时即便该第一接口200输入电流，但由于该mos管q1的栅极电压和漏极电压之间的电压差过小，该mos管q1依然处于截止状态。而此时该第二导通模块500在该第二接口400输入电流后处于导通状态，从该第二接口400输入的电流可以通过该第二导通模块500进入该供电控制接口100，实现该第二外部设备为该供电单元11充电的过程。
85.可选的，该第一导电模块300中也可以设置多个mos管，该多个mos管之间依次串联，当该多个mos管导通后该第一接口200至该供电控制接口100导通。
86.可选的，该第一导通模块300还包括电容c1，该电容c1的一个极板与该电阻r1的第一端连接，该电容c1的另一个极板与该电阻r1的第二端连接。
87.可选的，该三极管d1的基极与该第二接口400之间还可以设置有电阻(如图3所示ra)，该电阻的阻值大小、规格等均可以根据实际需要选择。
88.以上该mos管q1、该电阻r1、该电容c1、该三极管d1和该三极管d1的规格均可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
89.本实施例在实施例一的基础上对该第一导通模块300和该截止模块600进行进一步的描述，该第一导通模块300包括mos管q1和电阻r1，该截止模块600包括三极管d1和三极管d2。当该第二接口400有电流输入时该三极管d1导通，进而该三极管d2截止，该三极管d2的截止导致该mos管q1截止，此时该第一接口200输入的电流不会再流入该供电单元11，只有该第二外部设备为该供电单元11充电。本实施例提供的该电子设备10通过三极管和mos管之间的相互作用控制该第一接口200和该第二接口400之间输入电流的优先级，所用到的器件不仅成本低，且可以有效实现该供电单元11输入电流的优先级控制，避免了电子设备由于供电冲突引起的供电故障。
90.请参见图4，本技术实施例三在实施例二的基础上对该第二导通模块500进行进一
步的描述。该第二导通模块500包括三极管d3、mos管q2和电阻r2。该三极管d3的基极与该第二接口400连接，该三极管d3的发射极接地。该mos管q2的栅极与该三极管d3的集电极连接，该mos管q2的漏极与该第二接口400连接，该mos管q2的源极与该供电控制接口100连接。该电阻r2的第一端与该mos管q2的源极、该供电控制接口100连接，该电阻r2的第二端与该mos管q2的栅极连接。
91.当该第二接口400输入电流时，该三极管d3导通，从而该mos管q2的栅极接地，该mos管q2导通，此时从该第二接口400输入的电流可以输入至该供电控制接口100，并通过该供电控制接口100输入至该供电单元11。且如实施例二中描述的，当该第二接口400输入电流时该第一导通模块300截止，此时只由该第二外部设备为该电子设备10的供电单元11充电。
92.可选的，该第二导通模块500还包括电容c2，该电容c2的一个极板与该电阻r2的第一端连接，该电容c2的另一个极板与该电阻r2的第二端连接。
93.可选的，该第二导通模块500还包括电阻r3，该电阻r3的一端连接该第二接口400，该电阻r3的另一端连接该三极管d3的基极。该电阻r3的规格和大小可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
94.该三极管d3、该mos管q2、该电阻r2和该电容c2的规格均可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
95.请参见图5，本技术实施例四提供的电子设备10可以对该第一接口200连接的外部设备供电，即该第一接口200还用于连接第三外部设备。该第三外部设备可以为usb otg设备，如usb闪存盘、移动硬盘等。该电子设备10包括处理器12，该处理器12包括第一控制接口121和第二控制接口122，当该电子设备10需要为第三外部设备供电时，该电子设备10通过该第一控制接口121和该第一接口200为该第三外部设备供电。本实施例中该第一控制接口121、该第二控制接口122均为该处理器12上的通用输入/输出口(general purpose input output，简称gpio)口。
96.该第一导通模块300还包括mos管q3和电阻r4。该mos管q3的源极与该mos管q1的源极连接，该mos管q3的漏极与该供电控制接口连接。因此当该mos管q1和该mos管q3同时导通时该第一导通模块300导通。该mos管q3的栅极还与该三极管d2的集电极连接，当该三极管d2截止的时候，该mos管q1和该mos管q3均截止，此时该第一导通模块300截止。
97.该电阻r4的第一端与该mos管q3的栅极连接，该电阻r4的第二端与该mos管q3的源极、该mos管q1的源极连接。可选的，该第一导通模块300还包括电容c3，该电容c3的一个极板与该电阻r4的第一端连接，该电容c3的另一个极板与该电子r4的第二端连接。
98.该电子设备10还包括三极管d4和mos管q4。该三极管d4的基极与该第一控制接口121连接，该三极管d4的发射极接地。该mos管q4的漏极与该第一控制接口121连接，该mos管q4的源极与该第一接口200、该电阻r1的第二端、该mos管q1的漏极连接，该mos管q4的栅极与该三极管d4的集电极、该电阻r1的第二短、该三极管d2的基极连接。因此，当该处理器12在该第一控制接口121输入高电平信号时，该三极管d4导通，导致该mos管q4的栅极接地。此时该mos管q4导通，由该第一控制接口121输入的电流导通的该mos管q4到达该第一接口200。
99.但是要完成该电子设备10对该第三外部设备的供电，还需要避免该第三外部设备
通过该第一接口200为该供电系统11充电的情况，此时便需要断开该第一导通模块300。因此该电子设备10还包括三极管d5，该三极管d5的基极与该第二控制接口122连接，该三极管d5的发射极接地，该三极管d5的集电极与该mos管q3的栅极、该电阻r4的第一端连接。当该处理器12在该第一控制接口121输入高电平信号时，该处理器12也在该第二控制接口122输入低电平信号，此时该三极管d4和该mos管q4导通，而该三极管d5截止，该三极管d5的截止导致该mos管q3截止，从而导致该第一导通模块300截止。此时则由该电子设备10为该第三外部设备供电，而不存在该第三外部设备再为该电子设备10供电的情况。该处理器12在该第一控制接口121和该第二控制接口122输入电平的大小可以由工作人员进行控制，或者由其他控制装置进行控制，本技术不做限定。
100.可选的，该第一控制接口121和该三极管d4之间还设置有电阻rb，该电阻rb的一端与该第一控制接口121连接，该电阻rb的另一端与该三极管d4的基极连接。该电阻rb的规格和大小均可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
101.该mos管q3、该电阻r4、该三极管d4、该mos管q4和该三极管d5的规格可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
102.本实施例提供了该电子设备10为该第一接口200连接的外部设备供电时的电子设备结构和供电原理，当该第一接口200连接有usb otg设备时，该电子设备10作为供电设备为该usb otg设备供电。此时该处理器12在该第一控制接口121输入高电平信号，在该第二控制接口122输入低电平信号，使得该三极管d4和该mos管q4导通，该三极管d5和该mos管q3截止，从该第一控制接口121输入的电流可以通过该第一接口200输入至该第三外部设备(usb otg设备)，而该第三外部设备和该供电单元11之间的通路被截止，该第三外部设备无法为该供电单元11供电。本实施例提供的该电子设备10不仅可以实现电子设备充电控制，还可以实现电子设备供电控制，并在该电子设备供电时停止电子设备充电过程，有效避免供电和充电之间发生的电流冲突，保障电子设备的使用安全性。
103.请参见图6，本技术实施例五基于实施例四的基础上提供一种电子设备10，该电子设备10中的该第二接口400还用于连接第四外部设备，该处理器12还包括第三控制接口123。该第四外部设备可以为usb otg设备，该第三控制接口123为该处理器12上的gpio口。
104.该电子设备10包括三极管d6，该三极管d6的基极与该第三控制接口123连接，该三极管d6的发射极接地，该三极管d6的集电极与该mos管q2的栅极连接。当该处理器12在该第二控制接口122输入低电平信号，且该处理器12在该第三控制接口123输入高电平信号时，该三极管d6导通，进而该mos管q2导通，而该mos管q4和该三极管d5均截止，该第一外部设备无法通过该第一接口200和该第一导通模块300为该供电系统11供电。
105.可选的，当该处理器12在该第二控制接口122输入高电平信号，且通过该供电控制接口100无法为该供电单元11输入电流时，该三极管d5导通，进而该第一导通模块100导通，该第二外部设备为该第三外部设备供电。具体的，当该第二接口400连接该第二外部设备，且当该第一接口200连接该第三外部设备时，该第二接口400输入有电流，此时该三极管d3导通，从而该mos管q2导通。此时当该处理器12在该第二控制接口122输入高电平信号时，该mos管q1和该mos管q4导通，进而该第二接口400至该第一接口200导通，该第二外部设备输入的电流依次通过该第二接口400、该mos管q2、该mos管q4和该mos管q1和该第一接口200输入至该第三外部设备。
106.而当该第二控制接口122输入高电平信号，且通过该供电控制接口100能够为该供电单元11输入电流时，该第一外部设备输入的电流也可以通过该mos管q2和该供电控制接口100为该供电单元11供电，此时该第二外部设备为该第三外部设备和该供电单元供电。
107.可以通过该处理器12设置是否能够通过该供电控制接口100为该供电单元11输入电流，或者由工作人员进行人为设置。
108.可选的，当该第一接口200连接该第一外部设备，该第二接口400连接该第四外部设备，且该处理器12在该第二控制接口122和该第三控制接口123均输入高电平信号时，该三极管d2、该三极管d5、该mos管q2、该三极管d6和该第一导通模块300导通，该第一外部设备为该第四外部设备供电。具体的，该第二控制接口122输入高电平时，该三极管d5导通，从而使该mos管q4和该mos管q1导通。该第三控制接口123输入高电平时，该三极管d6导通，从而使该mos管q2导通。由此，该第一外部设备输入的电流依次通过该第一接口200、该mos管q2、该mos管q4、该mos管q3和该第二接口400输入至该第四外部设备。
109.可选的，该电子设备10还包括检测接口124和三极管d7。该检测接口124可以是该处理器12上的gpio口。该三极管d7的基极与该三极管d3的基极连接，该三极管d7的发射极接地，该三极管d7的集电极与该检测接口124连接。
110.当该供电控制接口100有电流输入时，该第三控制接口123为低电平，此时可以通过检测该检测接口124的电平状态判断该供电控制接口100中输入的电流是通过该第一接口200输入还是通过该第二接口400输入。如果该供电控制接口100中的电流是通过该第二接口400输入，则此时该三极管d7导通，该处理器12在该检测接口124检测到低电平。如果该供电控制接口100中的电流是通过该第一接口200输入，则此时该三极管d7截止，该处理器12在该检测接口124检测到高电平。
111.可选的，该三极管d7的发射极还连接有电阻rc，该电阻rc的一端连接该三极管d7的集电极，该电阻rc的另一端连接电源端vpp。该电阻rc的阻值大小、规格等均可以根据实际需要选择，本技术不做限定。
112.本实施例提供了该电子设备10为该第二接口400连接的外部设备供电时的电子设备结构和供电原理，当该三极管d6导通且该第一导通模块截止时，该电子设备10为该第四外部设备供电，避免了该电子设备10供电和充电之间的冲突。本实施例还提供了该第二外部设备通过该电子设备10为该第三外部设备供电和/或为该电子设备10供电的原理，该第一外部设备通过该电子设备10为该第四外部设备供电的原理等，揭示了该电子设备10中的多种电流输入输出的多样性。即，本实施例提供的该电子设备10不仅可以实现电子设备充电控制、电子设备供电控制，还可以实现不同外部设备互相之间供电的控制。而且无论是在电子设备充电控制、或电子设备供电控制或不同外部设备通过该电子设备互相之间供电控制的过程中，本实施例提供的该电子设备都可以将充电过程进行有序控制，防止出现类似充电供电同时进行的电流冲突，有效优化电子设备的充电和供电过程、外部设备通过该电子设备进行充电供电的过程。
113.需要说明的是，本技术中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本技术的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。
114.本技术中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是
用于区别类似或同类的对象或实体，而不必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明(unless otherwise indicated)。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换，例如能够根据本技术实施例图示或描述中给出那些以外的顺序实施。
115.此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的那些组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。
116.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。
117.为了方便解释，已经结合具体的实施方式进行了上述说明。但是，上述示例性的讨论不是意图穷尽或者将实施方式限定到上述公开的具体形式。根据上述的教导，可以得到多种修改和变形。上述实施方式的选择和描述是为了更好的解释原理以及实际的应用，从而使得本领域技术人员更好的使用该实施方式以及适于具体使用考虑的各种不同的变形的实施方式。