用于晶片的衬底处置装置的制作方法

技术特征：
1.一种用于晶片的衬底处置装置(10)，其包括：
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末端执行器(11)，
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矫直环(12)，及
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吸盘(13)，其中所述吸盘(13)布置在所述矫直环(12)内，且至少所述矫直环(12)可释放地附着到所述末端执行器(11)，其中所述吸盘(13)的第一部分可连接到真空供应，且所述吸盘(13)的第二部分可通过由所述真空供应提供的减压附着到衬底，其中所述吸盘(13)在常压状态下从所述矫直环(12)突出，及其中所述吸盘(13)在减压状态下与所述矫直环(12)处于同一水平上，在所述减压状态下，所述衬底由所述吸盘(13)固持，使得所述矫直环(12)接触所述衬底。2.根据权利要求1所述的衬底处置装置(10)，其中所述吸盘(13)还可释放地附着到所述末端执行器(11)。3.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中所述矫直环(12)围绕所述吸盘(13)并限制所述吸盘(13)的径向变形。4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中所述吸盘(13)将处于所述减压状态下的所述衬底固持在相对于地面的基本上水平或基本上垂直的位置。5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中当所述矫直环(12)接触所述衬底并且所述衬底是非平面时，所述矫直环(12)至少部分地矫直所述非平面衬底。6.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中在所述常压状态下，所述吸盘(13)从所述矫直环(12)突出距离d，并且其中距离d对所述衬底的尺寸s的比在30：1到800：1之间的范围内。7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中所述矫直环(12)的外圆周大于所述吸盘(13)的外圆周。8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中在所述常压状态下，所述吸盘(13)的衬底接触表面(14)从所述矫直环(12)突出。9.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其中所述矫直环(12)由比所述吸盘(13)的吸盘材料更刚性的材料制成。10.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处置装置(10)，其进一步包括多个吸盘(13)，且优选地包括三个吸盘(13)。11.根据前述权利要求所述的衬底处置装置(10)，其进一步包括多个矫直环(12)，及优选地包括三个矫直环(12)，每一矫直环围绕所述吸盘(13)中的一者。12.一种用于晶片的衬底处置系统，其包括根据前述权利要求中任一项的衬底处置装置(10)和真空供应，所述真空供应连接到所述衬底处置装置(10)的吸盘(13)的第一部分。13.根据前述权利要求所述的衬底处置系统，其进一步包括至少一个替换矫直环以替换所述衬底处置装置(10)的矫直环(12)。14.一种用于衬底处置的方法，其包括以下步骤：
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提供布置在矫直环(12)内的吸盘(13)，其中至少所述矫直环(12)可释放地附着到末端执行器(11)，
其中所述吸盘(13)的第一部分连接到真空供应，并且其中所述吸盘(13)在常压状态下从所述矫直环(12)突出，
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提供所述吸盘(13)的第二部分与衬底之间的接触，及
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通过所述真空供应提供减压状态，使得所述衬底由所述吸盘(13)固持，其中所述吸盘(13)在所述减压状态下与所述矫直环(12)处于同一水平上，使得所述矫直环(12)接触所述衬底。15.根据前述权利要求所述的方法，其中所述矫直环(12)接触所述衬底，并且在所述衬底是非平面的情况下，在所述减压状态下至少部分地矫直所述衬底。

技术总结
本发明涉及一种用于晶片的衬底处置装置、一种用于晶片的衬底处置系统和一种用于衬底处置的方法。所述衬底处置装置包括：末端执行器，矫直环，及吸盘。所述吸盘布置在所述矫直环内。将至少所述矫直环可释放地附着到所述末端执行器。所述吸盘的第一部分可连接到真空供应，且所述吸盘的第二部分可通过由所述真空供应提供的减压附着到衬底。所述吸盘在常压状态下从所述矫直环突出。所述吸盘在减压状态下与所述矫直环处于同一水平上，在所述减压状态下，所述衬底由所述吸盘固持，使得所述矫直环接触所述衬底。接触所述衬底。接触所述衬底。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：胜思科技有限公司
技术研发日：2020.07.30
技术公布日：2021/12/14