一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法与流程

技术特征：
1.一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：包括以下制备步骤：步骤一、硅片的酸腐蚀：先将清洗干净的重掺砷研磨片通过腐蚀机进行酸腐蚀，腐蚀工艺参数要求为：硅片旋转速度30~45rpm，酸腐蚀液循环量为200~300升/min，酸腐蚀液进液量5~10l/min，排液量为4~8l/min，氮气鼓泡时间100~200s，工艺时间100~150s，腐蚀温度28~30℃，其中酸腐蚀液由以下质量份数的各组分组成硝酸：40~50份，氢氟酸：10~15份，冰乙酸：15~20份；步骤二、腐蚀后重掺砷硅片依次经过清洗槽ⅰ、清洗槽ⅱ、清洗槽ⅲ、清洗槽ⅳ、清洗槽
ⅴ
、清洗槽
ⅵ
、清洗槽
ⅶ
进行清洗；步骤三、待清洗结束，经甩干机甩干后进行送检，将检验合格的产品进行收集。2.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽ⅰ为o/f溢流槽。3.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽ⅱ为碱洗槽，其中碱液温度为50~70℃，超声频率为40~80khz，碱洗液为tsc
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1表面活性剂、氢氧化钠和去离子水的混合溶液，其中tsc
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1：氢氧化钠：去离子水的体积比为1：3:96~1:7:92。4.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽ⅲ为qdr槽ⅰ，为冲洗硅片表面碱液残留，快速排空时间≤ 10 s 。5.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽ⅳ为传统sc
‑
2槽，其中溶液温度为25~28℃，配制溶液循环功能，循环量不低于30 l/min，溶液为hcl、h2o2和h2o的混合液，溶液中hcl:h2o2:h2o体积比为1:1.5:16~1:3:16。6.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽
ⅴ
为qdr槽ⅱ，为冲洗硅片表面sc
‑
2残留，快速排空时间≤ 10 s。7.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽
ⅵ
为传统sc
‑
1槽，其中溶液温度为50~70℃，配制溶液循环功能，循环量不低于30 l/min，溶液中氨水：双氧水体积比为1:2:16~1:3:16。8.根据权利要求1所述的一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，其特征在于：步骤二中的清洗槽
ⅶ
为qdr槽ⅲ，为冲洗硅片表面sc
‑
1残留，快速排空时间≤ 10 s。

技术总结
本发明提供了一种重掺砷硅片酸腐蚀后表面雾缺陷的清洗方法，包括以下制备步骤：步骤一、硅片的酸腐蚀：先将清洗干净的重掺砷研磨片通过腐蚀机进行酸腐蚀；步骤二、腐蚀后重掺砷硅片依次经过清洗槽Ⅰ、清洗槽Ⅱ、清洗槽Ⅲ、清洗槽Ⅳ、清洗槽


技术研发人员：韩云霄 杨波 胡晓亮 李战国 李晓川
受保护的技术使用者：麦斯克电子材料股份有限公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/12/13