新型SiCMOSFET功率器件的制作方法

技术特征：
1.一种新型sic mosfet功率器件，其特征在于，包括：衬底；漏极金属层，所述漏极金属层设置于所述衬底下；漂移区，所述漂移区设置于所述衬底上；源区，所述源区设置于所述漂移区上；阱区，所述阱区设置于所述源区上；沟道区，所述沟道区设置于所述源区上；沟槽，所述沟槽平行于所述沟道区中沟道电流方向设置，并且所述沟槽穿过所述沟道区并到达所述阱区；栅极金属层，所述栅极金属层设置于所述沟槽上；源极金属层，所述源极金属层设置于所述栅极金属层上。2.根据权利要求1所述的新型sic mosfet功率器件，其特征在于，其中，所述源区包括第一源区和第二源区；所述阱区和所述沟道区的深度与所述沟槽的深度相同，并且在所述沟槽底部还设有第三源区。3.根据权利要求2所述的新型sic mosfet功率器件，其特征在于，其中，所述第三源区的深度与所述第二源区的深度相同。4.根据权利要求1所述的新型sic mosfet功率器件，其特征在于，其中，所述源区包括第一源区和第二源区；所述阱区和所述沟道区的深度大于所述沟槽的深度，并且所述第二源区的深度大于所述沟道区和所述阱区的深度。5.根据权利要求4所述的新型sic mosfet功率器件，其特征在于，所述沟槽底部设有浮空区，在所述浮空区周边还设有n型掺杂物质以形成掺杂区。

技术总结
本实用新型提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；源区，源区设置于漂移区上；阱区，阱区设置于源区上；沟道区，沟道区设置于源区上；沟槽，沟槽平行于沟道区中沟道电流方向设置，并且沟槽穿过沟道区并到达阱区；栅极金属层，栅极金属层设置于沟槽上；源极金属层，源极金属层设置于栅极栅极金属层上。本实用新型能够增加沟槽侧壁的沟道宽度，并且由于碳化硅不同面具有不同的电子迁移率，因此可以选择相对高电子迁移率的侧面，从而能够保证沟槽侧壁的反型层电子迁移率高于器件表面的反型层电子迁移率，以有效降低器件的沟道电阻。低器件的沟道电阻。低器件的沟道电阻。


技术研发人员：张景超 赵善麒
受保护的技术使用者：江苏宏微科技股份有限公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2021/12/7