半导体器件测量方法及装置与流程

技术特征：
1.一种半导体器件测量方法，其特征在于，包括：提供具有标记的半导体器件，所述半导体器件中形成与所述标记横向间隔的开口，所述横向是指与所述半导体器件的上表面相平行的方向；测量所述开口的顶部和底部分别与所述标记的横向距离，以分别得到第一距离和第二距离；根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述开口的倾斜度。2.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述半导体器件包括基底和膜层结构，所述标记包括第一标记和第二标记；所述提供具有标记的半导体器件的步骤，包括：在所述基底上形成所述第一标记；在所述基底上形成覆盖所述第一标记的所述膜层结构，以在所述膜层结构的顶部形成与所述第一标记相对应的所述第二标记；形成贯穿所述膜层结构并延伸至所述基底内部的所述开口。3.根据权利要求2所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述第一标记包括至少一个凹槽；所述在所述基底上形成覆盖所述第一标记的所述膜层结构，以在所述膜层结构的顶部形成与所述第一标记相对应的所述第二标记的步骤，包括：在所述基底上形成膜层结构，且所述膜层结构填充所述凹槽，以在所述膜层结构的顶部形成与所述凹槽相对应的凹陷，所述凹陷为所述第二标记。4.根据权利要求2所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述测量所述开口的顶部和底部分别与所述标记的横向距离的步骤，包括：测量所述开口的顶部与所述第二标记的中心位置的横向距离；测量所述开口的底部与所述第一标记的中心位置的横向距离。5.根据权利要求4所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述测量所述开口的底部与所述第一标记的中心位置的横向距离的步骤，包括：去除所述第一标记上的所述膜层结构；测量所述开口的底部与所述第一标记的中心位置的横向距离。6.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述开口的倾斜度的步骤，包括：计算所述第一距离与所述第二距离的差值；根据所述差值，确定所述开口的倾斜度。7.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述开口包括半导体器件中的沟道孔和接触孔中的任意一种。8.一种半导体器件测量装置，其特征在于，所述半导体器件具有标记，所述半导体器件中形成与所述标记横向间隔的开口，所述横向是指与所述半导体器件的上表面相平行的方向；所述装置包括：测量模块，用于测量所述开口的顶部和底部分别与所述标记的横向距离，以分别得到第一距离和第二距离；以及，
计算模块，用于根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述开口的倾斜度。9.根据权利要求8所述的半导体器件测量装置，其特征在于，所述半导体器件包括基底以及位于所述基底上的膜层结构，所述标记包括第一标记和第二标记；所述第一标记位于所述基底上，所述第二标记位于所述膜层上，且所述第一标记与所述第二标记相对应。10.根据权利要求9所述的半导体器件测量装置，其特征在于，所述第一标记包括至少一个凹槽，所述第二标记包括形成于所述膜层顶部的至少一个凹陷；所述至少一个凹槽与所述至少一个凹陷一一对应。11.根据权利要求9所述的半导体器件测量装置，其特征在于，所述测量模块包括：第一测量单元，用于测量所述开口的顶部与所述第二标记的中心位置的横向距离；以及，第二测量单元，用于测量所述开口的底部与所述第一标记的中心位置的横向距离。12.根据权利要求8所述的半导体器件测量装置，其特征在于，所述计算模块包括：计算单元，用于计算所述第一距离与所述第二距离的差值；以及，确定单元，用于根据所述差值，计算所述开口的倾斜度。13.根据权利要求8所述的半导体器件测量装置，其特征在于，所述开口包括半导体器件中的沟道孔和接触孔中的任意一种。

技术总结
本发明公开了一种半导体器件测量方法及装置。所述方法包括：提供具有标记的半导体器件，所述半导体器件中形成与所述标记横向间隔的开口，所述横向是指与所述半导体器件的上表面相平行的方向；测量所述开口的顶部和底部分别与所述标记的横向距离，以分别得到第一距离和第二距离；根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述开口的倾斜度。本发明实施例能够提高开口倾斜度的测量准确性。提高开口倾斜度的测量准确性。提高开口倾斜度的测量准确性。


技术研发人员：李寒骁 范光龙 陈金星
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2021/11/30