直接蒸发泵至冷板的分子束外延系统的制作方法

技术特征：
1.一种分子束外延系统，包括：生长室，样品操纵器，安装在所述生长室内，用于保持样品，从而在所述样品上进行外延生长，以及源，用于向所述样品提供生长材料的束流量，其特征在于，所述分子束外延系统还包括：冷板，和渗出蒸发器，用于向所述冷板供应吸气剂材料的束流量。2.根据权利要求1所述的分子束外延系统，其特征在于，所述冷板安装在所述生长室内或连接到所述生长室的辅助腔室内。3.根据权利要求1或2所述的分子束外延系统，其特征在于，所述冷板由不锈钢制成。4.根据上述任一权利要求所述的分子束外延系统，其特征在于，所述冷板是所述分子束外延系统的低温板。5.根据上述任一权利要求所述的分子束外延系统，其特征在于，所述渗出蒸发器包括用于加热的细丝和用于多种吸气剂材料的坩埚。6.根据上述任一权利要求所述的分子束外延系统，其特征在于，所述渗出蒸发器被布置成在1e
‑9托到1e
‑2托的束等效压力下供应所述吸气剂材料。7.根据上述任一权利要求所述的分子束外延系统，其特征在于，所述渗出蒸发器提供的束流量被布置成与所述源提供的束流量交叉。8.一种用于消除分子束外延系统中残余气体的方法，其特征在于，所述方法包括：为所述分子束外延系统提供冷板和渗出蒸发器，冷却所述冷板，以及从所述渗出蒸发器向所述冷板提供吸气剂材料的束流量。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述冷板安装在所述系统的生长室内或连接到所述生长室的辅助室内。10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述冷板由液氮或水冷却。11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述冷板被冷却至290k至2k的温度。12.根据权利要求8至11中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述吸气剂材料为镓、铟、铝、钛、铬或硫。13.根据权利要求8至12中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述残余气体包括以下一种或多种：砷、磷、锑、氧、氮、汞、硒和碲。

技术总结
公开了一种分子束外延系统，用于通过将吸气剂材料从渗出蒸发器(5)蒸发到冷板上，来消除分子束外延生长室(1)中在生长之前、生长期间或生长中断期间和/或生长之后的过剩束流量。冷板可以是分子束外延生长室(1)的低温板(2)，也可以是附接腔室(9)中的冷板(8)。所述分子束外延系统包括分子束外延生长室中的低温板(2)或附接到分子束外延生长室(1)的腔室中的冷板(8)。通过适当的工艺，如冷却该冷板、为分子束外延工艺加载基板(3)、为分子束外延生长(7)提供必要的束流量、加热渗出蒸发器(5)并打开蒸发器(5)的快门以便吸气剂材料束流量到达所述板上，多余的束流量将被消除。由此，避免生长层的交叉污染。生长层的交叉污染。生长层的交叉污染。


技术研发人员：杜鹏
受保护的技术使用者：杜鹏
技术研发日：2019.04.22
技术公布日：2021/11/26