荧光体粒子、复合体、发光装置和荧光体粒子的制造方法与流程

技术特征：
1.一种荧光体粒子，是含有eu的α型塞隆荧光体粒子，在所述α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。2.根据权利要求1所述的荧光体粒子，其中，在横切所述微小凹部的一个截面，深度为5nm～500nm。3.根据权利要求1或2所述的荧光体粒子，其中，包含至少一个最大径为50nm～2000nm的所述微小凹部。4.根据权利要求3所述的荧光体粒子，其中，包含至少一个最大径超过1000nm且为2000nm以下的所述微小凹部，并且包含至少一个最大径超过500nm且为1000nm以下的所述微小凹部。5.根据权利要求3或4所述的荧光体粒子，其中，包含至少一个最大径为50nm～500nm的所述微小凹部。6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体粒子，其中，具有多个所述微小凹部邻接的微小凹部群。7.根据权利要求1～6中任一项所述的荧光体粒子，其中，在所述荧光体粒子的表面，所述微小凹部所占的区域的面积比率为10％～25％。8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体粒子，其中，所述α型塞隆荧光体粒子由含有eu元素的α型塞隆荧光体构成，所述α型塞隆荧光体由通式：(m1
x
，m2
y
，eu
z
)(si
12－(m n)
al
m n
)(o
n
n
16－n
)表示，在所述通式中，m1为1价li元素，m2为2价ca元素，0≤x＜2.0，0≤y＜2.0，0＜z≤0.5，0＜x y，0.3≤x y z≤2.0，0＜m≤4.0，0＜n≤3.0。9.根据权利要求8所述的荧光体粒子，其中，1.5＜x y z≤2.0。10.根据权利要求8或9所述的荧光体粒子，其中，0≤x≤0.1。11.根据权利要求1～10中任一项所述的荧光体粒子，其中，发光峰值波长为590nm以上。12.根据权利要求1～11中任一项所述的荧光体粒子，其中，所述微小凹部为除去异相而得的痕迹。13.一种复合体，具备：权利要求1～12中任一项所述的荧光体粒子和密封所述荧光体粒子的密封材料。14.一种发光装置，具备：发出激发光的发光元件，和转换所述激发光的波长的权利要求13所述的复合体。15.一种荧光体粒子的制造方法，是权利要求1～12中任一项所述的荧光体粒子的制造方法，具备：混合工序，将包含构成含有eu的α型塞隆荧光体粒子的元素的原料混合，加热工序，加热原料的混合物，得到α型塞隆荧光体，粉碎工序，将所述加热工序中得到的α型塞隆荧光体粉碎，得到α型塞隆荧光体粒子，和通过对所述粉碎工序中得到的α型塞隆荧光体粒子实施酸处理，在所述α型塞隆荧光体粒子的表面形成微小凹部的工序。

技术总结
一种含有Eu的α型塞隆荧光体粒子。在该α型塞隆荧光体粒子的表面形成有至少一个微小凹部。该α型塞隆荧光体粒子优选经过原料的混合工序、加热工序、粉碎工序和酸处理工序来制造。造。造。


技术研发人员：野见山智宏 武田雄介 高村麻里奈 奥园达也 宫崎胜 渡边真太郎
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：2020.03.24
技术公布日：2021/11/26